MKE06-KDS-PE使用IntFlash方法

单片机：MKE06Z
环境：KDS（Kinetis Design Studio)
目的：使用片内的Flash存储若干数据，实现读写。

1. KDS的PE中有两个关于内部flash的组件：FLASH_LDD和IntFLASH，其中后者高级点，可以选择后者。
2. 然后双击组件，对其进行配置。可能需要配置FLASH_LDD组件中的频率，这里配置为12M。
   有三种写的方法，可以选择后两者。第一种不进行擦除，需要手动先擦除。
   擦除后为0xFF。
   
3. 重要的选择我们自己使用的Flash的地址，系统默认的程序段放在地址从0x410–0x1FFFF的范围内，其实真正的程序占不满，这里把m_text的size修改为0x1F000，那么供我们使用的范围为0x1F410~0x1FFFF，大小为3055个字节。（双击CPU组件，选择Build options）
   也可以通过生成的.map文件（在Debug文件夹中）查看程序和变量的分布情况。
   当然也可以不修改，修改了之后PE在生成代码时，应该会在我们设定好的范围内生成，这样更加安全点。

测试代码和结果如下。
uint8 u8data_read;
uint8 u8data_write = 0x33;

uint16 u16data_read;
uint16 u16data_write = 0x4455;

uint32 u32data_read;
uint32 u32data_write = 0x66778899;

byte data_read[50];
byte data_write[] = {0x00,0x0B,0xCC,0x40,0x01,0x40,0x01,0x5B,
0x13,0x79,0x00,0x11,0x50,0x7B,0x01,0x21,
0x5A,0x1C,0x79,0x00,0x39,0xC6,0x81,0x5B,
0x3A,0xC6,0x10,0x7b,0x02,0xF0,0x06,0xC1,
0x1B,0x00};

void test_flash(void)
{
IFsh1_SetByteFlash(0x1F800,u8data_write);
IFsh1_GetByteFlash(0x1F800,&u8data_read);

IFsh1_SetWordFlash(0x1F804,u16data_write);
IFsh1_GetWordFlash(0x1F804,&u16data_read);

IFsh1_SetLongFlash(0x1F808,u32data_write);
IFsh1_GetLongFlash(0x1F808,&u32data_read);

IFsh1_SetBlockFlash(&data_write[0],0x1F810,sizeof(data_write));
IFsh1_GetBlockFlash(0x1F810,&data_read[0],sizeof(data_write));
}

4. 上面的8个函数，有的可能需要先使能再使用。点开左边IntFlash组件，找到相应的函数，右键->Toggle Enable/Disable，然后重新生成代码，编译即可。
5. 后面的SetBolckFlash有时会漏掉后面的两个字节或是只存储了前8个字节，所以，最好用前面的3种方法，计算好了地址，然后可以一一对应的存储。
6. 最后可以在调试暂停后，打开Memery（Window菜单栏下），查看实际Flash的存储情况，如上图所示。
   完。