1.2节 MOS基本构成 --续

继续上次的话题，答案就是最简单的单向阀门咯。而MOS就可以想成为一个带开关的阀门。示意如下：这里g代表gate即开关（连接水源和水泵管子上的阀门）而d代表drain（抽水的水泵），s代表source（可以想成水源）。而MOS本身的结构是（正视图）： 其中（a）被定义为是nMOS，（b）是pMOS。图中n+和p+的部分就是以前讲的构成n型和p型半导体的部分（即带有n半导体成分的是nMOS反之亦然），注意pMOS符号上有一个圆圈，代表着“非”（NOT），也就是它在说：“我不是nMOS”。SiO2就是石英（沙子）是绝缘体，而Polysillicon就是多晶硅（其人类制造的纯度已经能够到达12个九99.9999999999%），是极好的半导体。而bulk就是基板通常是接地的（所以常说MOS是四极元件，除了g，s，d还有本体接地！）。这里以（a）为例，p基低和g接地，n+代表负的电子多余，也就是s和d的电压比大地还要负（参见上一篇对电压正负的解释），所以pn节反偏--当然是阻断状态。也就是OFF状态。而当g的电压升高时，自然会产生电场，而电子自然往高压处跑，就会吸引n+区域的电子往SiO2下方扩散。当g的电压到达特定值的时候，两个n+区域扩散出足够的电子时（大于SiO2下面p正空的数目时）就会产生一个电子通道，

这样s和d之间就有电流啦，就是说MOS管处于导通（ON）状态。同理可得，大家自己分析一遍，提示：pMOS的话n基地和g接高电压的时候，pn结。。。。。~~

这里要指出为了以后的书写便利，把相对于低电压的正电压叫做VDD（逻辑回路里是代表1），而那个低电压即使VSS（或GND）。

下一节我们进入真正的 逻辑门 神马的，这里对MOS管只是一个简单回顾，其电气特性以及制造工艺都要在后几张才能讲到噢~

关于命名（了解的话有助于记忆）：1.人们在1970年代的时候，没有现在的科技所以用金属代替多晶硅，所以被称为MOS--

metal-oxide-

semiconductor（金属-氧化物-半导体）。现在虽然改为多晶硅（Polysillicon），但是延续之前的命名。2.上文提到了给g施加电压，在物理中电压会产生电场，而电场会导致MOS管导通或关闭，所以叫 场效应管---MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors）

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