过零检测电路,你知道几种方案?

先科普一下啥是过零检测电路,直接看图:

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图1

如图1中,我们重点看红色小圈,这个时刻就是220V从正值转为负值时的临界值,也就是0V,这个应该很容易理解,那过零检测电路其实就是采集这个0V的临界时刻,那系统知道这个时刻到底有什么作用呢?

(1)功率控制,在一些需要使用到晶闸管来控制强电设备的项目中,那这个过零检测电路就非常重要了,系统通过采集这个“过零点”来控制晶闸管的导通角,实现功率的精确控制。

(2)对继电器的触点起到保护,当继电器带的负载电流很大的时候,如果强行断开,继电器的触点间很容易出现拉弧现象,损伤继电器,对继电器的寿命影响是非常大的。

(3)监控保护,系统可以实时检测到输入电源的质量,判断是否会出现过载,欠压等情况。

(4)EMI的降低,这个效果还是比较明显,系统在零点附近对设备进行控制,很大上程度上可以减少电流突变的情况出现。

(5)同步控制,当系统存在多个设备时,可以通过检测过零点来进行多个设备的同步控制。

过零检测实现的方案也比较多,以下例举的几种是常用的方案,具体使用哪一种方案需要视具体项目需求来考虑。

三极管

利用电阻分压的方式降低电压和限流从而给三极管的基极提供合适正向偏置电压和电流。

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比较器

这个方案同样也是采用电阻分压限流的方式才给到运放的输入端,通过和参考基准电压做比较,从而改变输出。

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光耦隔离

光耦隔离同样也需要加入电阻来进行降压和限流才能给到光耦的输入端,光耦隔离是核桃在实际项目中用的最多的一种方案。

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带过零检测的专用芯片

有很多监控和复位芯片都是具备过零检测功能的,如BM1Z

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以上电路只是大概的方案图,并不是真正的原理图,要能真正的运用起来,还要经过计算来匹配合适参数的器件才行,请勿直接照搬用在实际项目中。

单片机过零检测电路图 如下图所示为按上述思想设计的电压正向过零检测电路。220V的交流电首先经过电阻分压,然后进行光电耦合,假设输入的是A相电压,则在A相电压由负半周向正半周转换时,图中三极管导通并工作在饱和状态,会产生一个下降沿脉冲送入ADμC812的INT0引脚使系统进入中断程序。微机系统进入中断程序后,发出采样命令并从采样保持器读取无功电流值Iqm,这个无功电流即为A相的无功电流,经过1/4个周期电压达到最大值,此时对电压进行采样,得到UM,由UM=1.414U可以得到电压有效值U。   首先用PWM(脉宽调制)方法用于可控硅控制是有条件的,即调制频率不能大于市电频率(50Hz),也就是周期不能小于20mS,否则就不能达到调制作用,调制频率超过市电频率时,可控硅即处于连续导通状态而不能达到调压目的。只有调制频率低于市电频率才能起到调压目的,即限制市电的周波通过可控硅的数量而起到调压的目的。因此用该种方法调制的电压周波数一定是小于50HZ,超过了人眼视觉暂留效应,此就是用于调光产生闪烁的原因。该调压方法用在调功或对脉动电压不敏感的用途上尚可。如果采用可控硅调压用在调光上,须采用移相的调制方法,可使光连续可调。采用移相方法就需过零检测作为移相基点。过零检测其实并不难,如果要求调压比不是很高采用简单的方法即可奏效;用一只三极管即可。用单片机进行移相调压控制可以做得很精。
### 三极管实现比较器电路的设计与原理 #### 原理概述 比较器是一种用于检测两个输入信号之间大小关系的电子器件。通过使用三极管作为核心元件,可以构建简单的模拟比较器电路。其基本工作原理基于三极管的开关特性:当基极电流发生变化时,集电极和发射极之间的导通状态随之改变。 在一个典型的三极管比较器中,通常会设置一个固定的参考电压连接到其中一个输入端(通常是基极端),而另一个输入端则接收待测信号电压[^3]。如果待测信号电压超过参考电压,则三极管进入饱和区;反之,若待测信号低于参考电压,则三极管处于截止状态。这种切换行为使得输出能够反映两者的相对高低关系。 #### 设计方法 以下是利用双极型晶体管(BJT)来搭建简单比较器的具体方式: 1. **硬件组成** - 使用NPN或PNP类型的BJT作为主要控制单元。 - 配合分压网络设定基准阈值Vref。 2. **电路配置实例** 假设采用NPN型三极管Q1构成如下形式的基础比较器: ```plaintext Vin ----| R1 |---- Base(Q1) | GND -----| R2 |---| Vref (via voltage divider from supply rail) Collector(Q1)---> Output to load or next stage amplifier etc. Emitter(Q1)------ GND ``` 在此布局里,Vin代表变动中的测试源,R1&R2共同决定静态操作点即预设界限值Vref. 3. **运行机制分析** 对于上述安排而言,一旦Vin>Vref,那么流入base区域的有效正向偏置促使Q1开启;此时collector-emitter路径呈现较低阻抗特征致使output接近于零伏特(ground level),表明高逻辑态被触发.[^4] 相反状况下(Vin<Vref),几乎没有足够的驱动力让Q1激活,因此它保持关闭姿态,从而导致output趋向电源轨附近数值,指示低逻辑条件成立。 #### 实际应用考量因素 为了提高性能表现以及适应更多实际需求,在基础架构之上还可以引入额外组件进行优化调整比如增加保护二极管防止反向击穿损害、串联电阻限制最大允许电流等等措施都是常见做法之一。另外值得注意的是温度漂移效应对精度的影响也需要加以重视并通过适当补偿手段予以缓解。[^5] ```python import numpy as np def comparator_output(v_in, v_ref=2.5, r1=10e3, r2=10e3): """ Simulate a basic NPN transistor-based comparator circuit output based on input voltages and resistances. :param v_in: Input signal voltage :param v_ref: Reference threshold set by resistor network :param r1: Resistance value of upper part in the potential divider chain :param r2: Lower resistance forming same pair with above one :return: Boolean indicating whether Vin is greater than Vref leading either HIGH(True)/LOW(False). """ # Calculate theoretical reference point assuming ideal conditions without loading effects considered here calculated_vref = (r2 / (r1 + r2)) * 5 if abs(calculated_vref - v_ref) > .01: raise ValueError("Mismatch between specified & computed references due possibly mismatched parameters.") return bool(np.signbit(v_in - v_ref)) ```
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