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Phil_Pan888
这个作者很懒,什么都没留下…
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为什么都喜欢用串口通讯?那为什么还用RS485,SPI和I2C?
那如果在通信双方之间加一个clock时钟信号,不给通信双方约定相同的速度,我们只需根据时钟信号的上升沿进行发送接收数据,大大提高了通信速率,于是产生了SPI通信,它可以轻松突破10M。之前在做单片机产品的时候,用的最多的就是串口通讯,凡是单片机的外设,优先选用带串口功能的,比如蓝牙模块,WIFI模块,4G模块,电表和显示屏等等。所以串口的速度是非常的慢,之所以这么慢是因为早期的单片机频率比较低,时钟精度也不高,所以通信双方的波特率不能做到完全一致,速率太快就会通信异常。点击图片可详看串口介绍。原创 2024-05-07 17:47:29 · 342 阅读 · 0 评论 -
一个用稳压二极与MOS管构成的过压保护电路
1.当输入端是5V左右的电压的时候(VDD-IN=5V),稳压二极管D1没有被反向击穿,Q1三极管处于截止状态。PMOS管导通,所以D极输出的就是5V电压。2.假设输入端输入的电压大于5V很多,比如12V或者24V,此时稳压二极管D1处于反向击穿区,Q1三极管导通,PMOS管截止。原文链接:https://blog.csdn.net/foleon/article/details/130013424。如图,利用稳压管和PMOS管组成一个保护电路,起过压保护和防反接的的作用。所以具有防反接功能。原创 2024-03-19 11:17:41 · 634 阅读 · 0 评论 -
硬件基础:带缓启动MOS管电源开关电路
1、控制电源开关的输入信号 Control 为低电平或高阻时,三极管Q2的基极被拉低到地,为低电平,Q2不导通,进而MOS管Q1的Vgs = 0,MOS管Q1不导通,+5V_OUT 无输出。此时将 Control 设为低电平,三极管Q2关闭,电容C1与G极相连端通过电阻R2放电,电压逐渐上升到5V,起到软关闭的效果。比如在电源电压是5V,负载是个大容量电容的时候,电源瞬间开启令电压瞬间上升达到5V,电容充电电流会非常大。从公式可以看出,当电容容量越大,电压越高,时间越短,电流就会越大,从而形成浪涌电流。原创 2024-03-19 10:19:59 · 1339 阅读 · 0 评论 -
mos管缓启动电路的工作原理2
原创 2024-03-09 11:12:00 · 416 阅读 · 0 评论 -
PMOS管缓启动电路分析1
上图是典型的PMOS缓启动电路,三极管的控制端可以接MCU,进行程控,通过调节R5,C2,R3,C1的大小调节开启和关闭的速度,下面是该电路的仿真,可以看到上升和下降时间基本相同。上图中的控制端口可以接MCU的一个引脚,实现上下电控制,通过更改R3和C1的大小控制开通的速度,仿真波形如下,开启时间完全可以通过软件进行仿真得到。也可以将按键放到和R3串联的位置,根据按键的特点和系统情况选择,上图中按键按下后电路关闭,可以通过设置R3,R5,C1的大小,调节开启和关闭的速度。下图是按键版本的启动电路,原创 2024-03-09 11:07:44 · 840 阅读 · 0 评论 -
真实案例分享:MOS管电源开关电路,遇到上电冲击电流超标
我粗略扫了一下规格书,Vds,Id,Vgs(th)这些主要参数没太大区别,反正现有的应用远没达到器件的极限,所以直接替换是没啥问题的。可我还是不服气,这个电路以前也用过,也详细测过不可能出现这么大的脉冲电流,虽然新项目在MOS管后面增加了一些电容,但电容总容量实际没增加太多,即使上电瞬间充电也不太可能产生这么大电流才对,一定是什么地方出错了。我:不可能,这电路用了很久了,一直都没出过问题,新项目虽然功耗增加了一些,但不可能有那么大脉冲电流,因为板上的大电容总容量又没增加多少,你是不是测错了?原创 2024-03-09 09:53:12 · 1148 阅读 · 0 评论 -
Android系统启动过程-uBoot+Kernel+Android
本文是参考大量网上资源在结合自己查看源代码总结出来的,让自己同时也让大家加深对Android系统启动过程有一个更加深入的了解!再次强调,本文的大多数功劳应归功于那些原创者们,同时一些必要的参考链接我会一一附上。注:由于本人采用Exynos4412开发板学习,所以本文大部分资料都是基于此处理器的简介:对于整个Android系统的启动总的来说分为三个阶段:BootLoader引导即uBoot.binlinux内核启动即zImageAndroid系统启动即ramdisk.img与system.img。原创 2023-12-05 14:59:24 · 2196 阅读 · 0 评论 -
I2C、SPI、UART、RGB、LVDS,MIPI,EDP和DP等显示屏接口简要总结
MIPI (Mobile Industry Processor Interface) 是2003年由ARM, Nokia, ST ,TI等公司成立的一个联盟,目的是把手机内部的接口如摄像头、显示屏接口、射频/基带接口等标准化,从而减少手机设计的复杂程度和增加设计灵活性。太快,LCD反应不过来,显示不了,太慢也不合适,这个范围可以根据你的刷新率需求和lcd 的规格书(一般会有一个最少响应周期)来确定。SPI没有官方化,速率不统一,根据器件不同传输速率不一,有几M,十几M的,也有几十M的,比I2C速度快。原创 2023-12-05 14:54:30 · 3146 阅读 · 0 评论 -
硬件设计基础说明
小范围的不等距对差分信号影响并不是很大,间距不一致虽然会导致差分阻抗发生变化,但因为差分对之间的耦合本身就不显著,所以阻抗变化范围也是很小的,通常在10%以内,只相当于一个过孔造成的反射,这对信号传输不会造成明显的影响。应该等长优先,差分信号是以信号的上升沿和下降沿的交点作为信号变化点的,走线不等长的话会使这个交点偏移,对信号的时序影响较大,另外还给差分信号中引入了共模的成分,降低信号的质量,增加了EMI。而且高频信号跨岛会使信号的特征阻抗产生特变,导致信号的反射和叠加,产生振铃现象。原创 2023-10-25 14:37:22 · 70 阅读 · 0 评论 -
电平触发和边沿触发 && ACCDET模块耳机检测
基于这个区别:如果用电平触发在一段时间内会一直响应中断,比如发数据开始会拉低,直到发完后才会拉高,这个低电平触发会不断执行,但其实只想它发数据时触发一次,将其改成低的边沿触发即可。插入耳机,若是高电平触发中断,需要保证AUX_EINT_STATE为1,否则为0。耳机的状态会保存到ACCDET的寄存器中,当电压在任意2个范围间切换时,状态发生变化,ACCDET产生中断,中断处理中读取状态寄存器的值,并根据状态的变化做相应的处理。__/ ,这个图中,0到1变换,/部分就是上升沿,原创 2023-09-23 14:42:37 · 736 阅读 · 0 评论 -
GPIO 上拉下拉解释说明
3、I/O端口,有的可以设置,有的不可以设置,有的是内置,有的是需要外接,I/O端口的输出类似与一个三极管的C,当C接通过一个电阻和电源连接在一起的时候,该电阻成为上C拉电阻,也就是说,如果该端口正常时为高电平,C通过一个电阻和地连接在一起的时候,该电阻称为下拉电阻,使该端口平时为低电平,作用:比如,当一个接有上拉电阻的端口设为输入状态时,他的常态就为高电平,用于检测低电平的输入。可见对应于S3C2410的GPB-BPH口内部有上拉电阻寄存器,当相应的上拉电阻使能时,对应的I/O引脚悬空时,表现出高电平。原创 2023-09-01 09:48:17 · 3240 阅读 · 0 评论 -
示波器的采样率和存储深度在实际操作有什么用?
同理,当我们示波器的窗口时基设置为100us/div时,采样时间T=1ms,此时仍按照1Mpts的存储深度来计算,采样率为1GS/s,在某些示波器中,该采样率已经达到最高采样率。可以看出,在不同的采样率下,1MHz的方波是完全不一样的,在采样率小的情况下,被测到的方波出现了“吉布斯效应”。示波器在测量信号时,需要这样,一个一个点的对波形进行采样,显然,这样的采样点越多,所测到的波形,就越接近最真实的波形。问:其实我想问的是,如果有一个50Hz的方波,最低采样率应该是多少,才能使得采样的波形不会失真?原创 2023-08-31 18:30:20 · 1077 阅读 · 0 评论 -
PoE供电技术简介
这就是,Alternative A或Alternative B标准并未对1&2,3&6,4&5,7&8四对双绞线进行正负极性规定的原因,或者说标准的PD芯片前端都要加入整流电桥(可由四个分立二极管组成;图 4所示,1&2&3&6只做数据传输引脚,PSE通过4&5&78空闲引脚(无变压器)为PD供电,把4&5引脚直接连接形成正(或负)极,把7&8引脚直接连接形成负(或正)极,称为“Alternative B(4&5,7&8) —— 基于10/100 BASE-T的空闲引脚供电”。原创 2023-08-28 17:15:54 · 229 阅读 · 0 评论 -
1000兆以太网详解PHY 硬件设计注意事项
其中初级中心抽头的接法需要根据PHY芯片来决定,电压驱动的就要接电源,电流驱动直接接个电容到地即可,是具体还要参看芯片的datasheet和参考设计了。RJ是Registered Jack的缩写,意思是“注册的插座”。在一些工业场景下环境恶略需要增添ESD保护器件,ESD器件一版放到靠近连接器位置,对于百兆以太网来说只需要4通道低结电电容器件,根据需要的静电等级进行型号选型。根据功能划分,内部有无集成变压器,有无集成LED指示灯,根据外壳分类是否金属或塑料,有无金属弹片等,进行选型时需要清楚明了。原创 2023-08-28 16:49:24 · 3552 阅读 · 1 评论 -
ADC采样的参考电源的准度问题
ADC采样的参考电源的准度问题假如ADC是12位的,MCU的供电电压3.3V,实际测试供电电压3.35V,偏差(3.35-3.3)/3.3≈1.5%,请问提高ADC采样的准度,这个电压还有必要再提升吗?ADC采样的是压力的值,压力传感器是压阻型的,和一个固定电压分压之后送到MCU的ADC口进行采样。(图中NTC实际是压阻型压力传感器,根据压力的不同,电阻不同,分压不同,ADC不同,得出当前的压力值)问题:1.这种情况要如何进一步提升采样的准度?知道的请详细说明依据,一起探讨,共同进步。原创 2023-08-28 11:31:44 · 92 阅读 · 0 评论 -
一篇文章带你全面认识单片机的晶振
分析整个振荡槽路可知,利用Cv来改变频率是有限的,决定振荡频率的整个槽路C=Cbe,Cce,Cv三个串联后和Co并联再和C1串联。每个单片机系统里都有晶振,晶振是由石英晶体经过加工并镀上电极而做成的,主要的特性就是通电后会产生机械震荡,可以给单片机提供稳定的时钟源,晶振提供时钟频率越高,单片机的运行速度也就越快。其中Co,C1,L1,RR是晶体的等效电路。而且当设计需要降低功耗时,比如说便携式仪表等,就需要外部晶振,因为内部晶振不能根据需要停止,而外部晶振可以适时停止,从而进入休眠状态,降低功耗。原创 2023-08-28 10:48:28 · 919 阅读 · 0 评论 -
接地电阻要小于4Ω,你知道是为什么吗?
因此,工作电压确定的情况下,接地电阻越小,能通过的电流就越大,电流泄放效果越好。这是因为系统如果发生故障,故障电流一般不会大于10A,因此当接地电阻为4Ω时,流过接地电阻时产生的故障电压为4*10=40V。实际上,使用一般市电的电器只要有零线和火线两根就可以正常工作了,多出来的这根线是地线,也就是说这些电器必须要接地工作,此时接地电阻就至关重要了。一般而言,接地电阻应不大于4Ω。但如果接地电阻太大(假如大过人体电阻),当人触摸机壳时,人体就成了接地线,电流就从人体流入大地,导致人体触电,相当危险。原创 2023-08-28 10:46:26 · 141 阅读 · 0 评论 -
盘点嵌入式系统中LCD的接口类型
如果给液晶施加电场,会改变它的分子排列,从而改变光线的传播方向,配合偏振光片,它就具有控制光线透过率的作用,再配合彩色滤光片,改变加给液晶电压大小,就能改变某一颜色透光量的多少。数据位传输有8位,9位,16位,18位,24位。主要看LCD的驱动方式和控制方式,目前手机上的彩色LCD的连接方式一般有这么几种:MCU模式(也写成MPU模式的),RGB模式,SPI模式,VSYNC模式,MDDI模式,DSI模式。该模式串行的双向高速命令传输模式,连线有D0P,D0N,D1P,D1N,CLKP,CLKN。原创 2023-08-28 10:43:38 · 309 阅读 · 0 评论 -
保险丝选型注意事项
保险丝通电时因电流转换的热量会使熔体的温度上升,在负载正常工作电流或允许的过载电流时,电流所产生的热量和通过熔体,壳体和周围环境所幅射,对流和传导等方式散发的热量能逐步达到平衡;在保险丝起保护作用熔断时开路,电源电压会直接加在保险丝两端,所以,在使用时,保险丝耐压值需要大于电源的电压,并留合适的余量。由上表即曲线可知,温度在70℃左右时,熔断电流已经下降到了标称值的50%左右,而在-20℃时,熔断电流是标称值的140%左右,这个变化是很大的。正常情况下,保险丝是串联在电路中的,上面的电压很小。原创 2023-08-26 16:06:33 · 51 阅读 · 0 评论