MOS管缓启动电路
利用的都是MOS管的米勒平台效应,分为NMOS和PMOS两种,一般的NMOS用在接地端,PMOS用在电源的正端,这是由与他们的开启电压不同造成的,以NMOS为例,开启电压要求Vgs>Vth, 当NMOS的源极接地时,这个条件很好满足,只需要一个较低的电压就可以控制NMOS的开启和关闭,而如果将NMOS接到电源的正极部分,当NMOS导通时,源极电压可以近似看成是电源电压,这时要想让NMOS保持导通则必须在栅极施加一个比电源电压还要高Vth的控制电压,实际应用中需要设计复杂的自举电路,因此如果没有特殊要求,电源的缓启动一般就是NMOS放在地端,PMOS放在源端,下面就介绍几个实用的电路,
NMOS 缓启动电路
上图中的控制端口可以接MCU的一个引脚,实现上下电控制,通过更改R3和C1的大小控制开通的速度,仿真波形如下,开启时间完全可以通过软件进行仿真得到。
可以明显的看到有一个平台期。
下图是按键版本的启动电路,
也可以将按键放到和R3串联的位置,根据按键的特点和系统情况选择,上图中按键按下后电路关闭,可以通过设置R3,R5,C1的大小,调节开启和关闭的速度。
上图是典型的PMOS缓启动电路,三极管的控制端可以接MCU,进行程控,通过调节R5,C2,R3,C1的大小调节开启和关闭的速度,下面是该电路的仿真,可以看到上升和下降时间基本相同。
下图是按键方式的控制,
因为PMOS是高电平关闭,所以当按键关闭后电源导通。
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