中科院光电所研发出365纳米波长,曝光分辨率达到22纳米的光刻机,是近紫外的光线,离极紫外还有一点差距。光刻机的波
长决定了芯片工艺的大小,波长越短,造价越高。像ASML最先进的EUV极紫外光刻机,波长只有13.5纳米,可以生产10nm、7nm
的芯片。
光刻机的分辨率(Resolution)表示光刻机能清晰投影最小图像的能力,是光刻机最重要的技术指标之一,决定了光刻机能够被
应用于的工艺节点水平。
中科院光电所研发出365纳米波长,曝光分辨率达到22纳米的光刻机,是近紫外的光线,离极紫外还有一点差距。光刻机的波
长决定了芯片工艺的大小,波长越短,造价越高。像ASML最先进的EUV极紫外光刻机,波长只有13.5纳米,可以生产10nm、7nm
的芯片。
光刻机的分辨率(Resolution)表示光刻机能清晰投影最小图像的能力,是光刻机最重要的技术指标之一,决定了光刻机能够被
应用于的工艺节点水平。