stm32f407zgt6的flash有1M容量,总共分为11个扇区,每个扇区的地址和大小如下所示
#define ADDR_FLASH_SECTOR_0 ((u32)0x08000000) //扇区0起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1 ((u32)0x08004000) //扇区1起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2 ((u32)0x08008000) //扇区2起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3 ((u32)0x0800C000) //扇区3起始地址, 16 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4 ((u32)0x08010000) //扇区4起始地址, 64 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5 ((u32)0x08020000) //扇区5起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6 ((u32)0x08040000) //扇区6起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7 ((u32)0x08060000) //扇区7起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8 ((u32)0x08080000) //扇区8起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9 ((u32)0x080A0000) //扇区9起始地址, 128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10 ((u32)0x080C0000) //扇区10起始地址,128 Kbytes
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11 ((u32)0x080E0000) //扇区11起始地址,128 Kbytes
读取一个字函数:
u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
return *(vu32* )faddr; //将地址转换成指针类型,再取值
}
读取N个字到数组中
void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u16 NumToRead)
{
u16 i;
for(i=0;i<NumToRead;i++)
{
pBuffer[i]=STMFLASH_ReadWord(ReadAddr);
ReadAddr+=4;//以字的形式读取,每次地址加4
}
}
写数据到flash
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
FLASH_Status status=FLASH_COMPLETE; //flash状态
u32 endaddr=WriteAddr+4*NumToWrite; //写入数据的结束地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||WriteAddr%4) //已字的形式进行写入,
return;
FLASH_Unlock(); 解锁flash
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGAERR | FLASH_FLAG_WRPERR);//清除标志位
FLASH_DataCacheCmd(DISABLE); //flash擦除期间,禁止缓存数据
status=FLASH_EraseSector(STMFLASH_GetFlashSector(WriteAddr),VoltageRange_3); //擦除地址所在扇区,并返回状态
if(status==FLASH_COMPLETE)
{
while(WriteAddr<endaddr)
{
if(FLASH_ProgramWord(WriteAddr,*pBuffer)!=FLASH_COMPLETE) //写入数据
{
break;
}
WriteAddr+=4;
pBuffer++;
}
}
FLASH_DataCacheCmd(ENABLE); 打开数据缓存
FLASH_Lock();上锁
}
一般使用stm32自带flash存储的都是一次写入的固定只读数据,1是flash寿命不行,2是flash容量比较大,在擦除扇区时,数据无法保存,本例程中使用的是字形式进行读取,也可以改成半字或其他形式。
源码在这我的github;借鉴正点原子