【BLE】CC2541之SNV

最新推荐文章于 2023-03-17 14:39:41 发布

甜甜的大香瓜

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分类专栏： BLE-CC2541

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本篇博文最后修改时间：2017年01月06日，11:06。

一、简介

本文以SimpleBLEPeripheral工程为例，介绍SNV的使用。

二、实验平台

协议栈版本：BLE-CC254x-1.4.0

编译软件：IAR 8.20.2

硬件平台：Smart RF开发板（主芯片CC2541）

博主：甜甜的大香瓜

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四、实验前提

1、在进行本文步骤前，请先阅读以下博文：

暂无

2、在进行本文步骤前，请先实现以下博文：

暂无

五、基础知识

1、SNV是什么？

答：

NV就是从内部flash划分出来的一块专用于存储数据的flash。

NV就是Non-Volatile (非易挥发)，香瓜在文档中看到的都是NV，很长一段时间困惑为什么大家都叫它SNV。

详细阅读OSAL API.pdf（位于C:\Texas Instruments\BLE-CC254x-1.4.0\Documents\osal）后发现，该文档第10章讲解的是NV，第11章则讲述的是SNV（Simple Non-Volatile）。

2541的协议栈用的是SNV（8位ID），而不是NV（16位ID）。

由这个线索，将我心中的各种百度不到的SNV的疑问也都迎刃而解了。

注：详细了解SNV后才发现我低估它了，并不像多数SNV资料中写的那么简单，因此本篇增加了大篇幅来解析SNV是怎么一回事。

2、SNV有多大？

答：

1）在C:\Texas Instruments\BLE-CC254x-1.4.0\Projects\ble\common\cc2540\ti_51ew_cc2540b.xcl中有这么两段代码：

// Setup of CODE banks
// -------------------
//
-D_BANK0_START=0x00000         // Note: Unconventional bank numbering on this part:
-D_BANK0_END=0x07FFF           //       "BANK0" is the root bank/common area!
//
-D_BANK1_START=0x18000
-D_BANK1_END=0x1FFFF
//
-D_BANK2_START=0x28000
-D_BANK2_END=0x2FFFF
//
-D_BANK3_START=0x38000
-D_BANK3_END=0x3FFFF
//
-D_BANK4_START=0x48000
-D_BANK4_END=0x4FFFF
//
-D_BANK5_START=0x58000
-D_BANK5_END=0x5FFFF
//
-D_BANK6_START=0x68000
-D_BANK6_END=0x6FFFF
//
-D_BANK7_START=0x78000
// End of code space has to match that of OSAL NV page start.
// Note that in this way, we'll be wasting last page spaced by NV pages,
// but in order not to overwrite NV pages when downloading new image, the waste
// is inevitable.
// New OSAL NV driver will move the NV pages to the last pages not wasting
// last page itself.
-D_BANK7_END=(_BLENV_ADDRESS_SPACE_START-1)

上面这段代码说明256K的flash被分为8个BANK，每块BANK为32K。

在第8块BANK的末尾分出了一块flash，用于NV。

// Internal flash used for NV address space.
// ---------------------------
//
// Address range for HAL_FLASH_PAGE_SIZE == 2048
-D_BLENV_ADDRESS_SPACE_START=0x7E800
-D_BLENV_ADDRESS_SPACE_END=0x7F7FF
//
// Address range for HAL_FLASH_PAGE_SIZE == 4096
//-D_BLENV_ADDRESS_SPACE_START=0x7D000
//-D_BLENV_ADDRESS_SPACE_END=0x7EFFF
//
-Z(CODE)BLENV_ADDRESS_SPACE=_BLENV_ADDRESS_SPACE_START-_BLENV_ADDRESS_SPACE_END

上面这段代码说明NV的起始地址是0x7E800，终止地址是0x7F7FF，两个数值之间有4096个字节，也就是4K。（注释部分为8192字节，也就是8K）

这个NV大小我们可以根据需要来改变，当然NV的flash大了、放代码的flash就小了。

2）在TI的技术论坛看到这么一句话也印证了上述说法：

3、SNV的接口资料哪里有？

答：OSAL API.pdf（位于C:\Texas Instruments\BLE-CC254x-1.4.0\Documents\osal）

4、使用SNV有什么需要注意的？

答：

在OSAL API.pdf的文档中提到了几个注意点：

1）写SNV会耗时百毫秒级，尽可能在写的时候关闭中断。

2）尽可能地少写SNV，因为它耗时耗电。

3）如果SNV的存储结构改变，或者协议栈版本升级了，有必要重新擦除和初始化SNV内存数据，否则读写时会出错。

4）尽量不要把SNV的代码放到中断函数里。

香瓜也补充一个很重要的注意点：

IAR的debug仿真时默认是全片擦除，因此会擦除flash中的code、NV。

所以经常有群友来回仿真调试时发现自己写的掉电保存数据没了，不知所以然，问题就出在这里。

解决办法：

（具体我也不知道该怎么填，大家自行百度或实验吧）

5、SNV的哪些ID是可以用的？

答：

在bcomdef.h中已经定义了一些我们不能用的SNV的ID：

/** @defgroup BLE_NV_IDS BLE Non-volatile IDs
 * @{
 */
// Device NV Items -    Range 0 - 0x1F
#define BLE_NVID_IRK                    0x02  //!< The Device's IRK
#define BLE_NVID_CSRK                   0x03  //!< The Device's CSRK
#define BLE_NVID_SIGNCOUNTER            0x04  //!< The Device's Sign Counter

// Bonding NV Items -   Range  0x20 - 0x5F    - This allows for 10 bondings
#define BLE_NVID_GAP_BOND_START         0x20  //!< Start of the GAP Bond Manager's NV IDs
#define BLE_NVID_GAP_BOND_END           0x5f  //!< End of the GAP Bond Manager's NV IDs Range

// GATT Configuration NV Items - Range  0x70 - 0x79 - This must match the number of Bonding entries
#define BLE_NVID_GATT_CFG_START         0x70  //!< Start of the GATT Configuration NV IDs
#define BLE_NVID_GATT_CFG_END           0x79  //!< End of the GATT Configuration NV IDs
/** @} End BLE_NV_IDS */

实际上上面的ID所在的区域，本来就不是我们该使用的，我们适合用的ID是在0x80~0xFE：

注：这张表要看OSAL API.pdf的第十一章的SNV，别看错到第十章的NV。

六、实验步骤

1、添加头文件（simpleBLEPeripheral.c）

#include "osal_snv.h"

2、按键处理代码中添加测试代码（simpleBLEPeripheral.c）

static uint8 write_time = 0;    //擦写次数
#define SNV_TEST_ID     0x80
static void simpleBLEPeripheral_HandleKeys( uint8 shift, uint8 keys )
{
  VOID shift;  // Intentionally unreferenced parameter  
  uint8 data[252];
  uint8 ret;
  
  //UP 读SNV
  if ( keys & HAL_KEY_SW_1 )
  {
    ret = osal_snv_read(SNV_TEST_ID, sizeof(data), data);

    if(ret == NV_OPER_FAILED)
    {
        //未保存过，设置出厂数据
        //osal_memset(data, 0x55, sizeof(data));  //作为发送缓冲区，写0x55
        
        for(uint8 i = 0; i < 252; i++)
        {
          data[i] = i;
        }

      
        osal_snv_write(SNV_TEST_ID, sizeof(data), data); 

        osal_memset(data, 0, sizeof(data)); //清空缓冲区后，作为接收缓冲区       
        ret = osal_snv_read(SNV_TEST_ID, sizeof(data), data);
    } 
  }

  //DOWN 写SNV
  if ( keys & HAL_KEY_SW_3 )
  {
    write_time++;
    osal_memset(data, write_time, sizeof(data));
    osal_snv_write(0x80, sizeof(data), data);
  }     
}

七、注意事项

暂无

八、实验结果

1、当写入252字节到SNV、并读出252字节SNV时，读写正常。