一、Altera MAX10 FPGA片内Flash介绍
MAX 10 FPGA 采用 TSMC 的 55 nm 嵌入式 NOR 闪存技术制造,并提供双配置CFM(Configration Flash Memery )和UFM(User Flash Memery)。配置灵活支持双配置,也支持CFM与UFM相互共享。不同型号的片子对应最大的UFM容量从Quartus软件里面即可找到:
MAX10依然是SRAM结构,只是片内集成了Flash,因此加速了配置启动速度,减少了外设,从而简化了设计。既然是nor flash,那么也遵守普通nor的特点,写入慢,读取快。比eeprom多一步擦除过程。
你用或不用,它就在那。各位屌丝脑洞大开的时候到了,快想想读取快的Flash可以干些什么。我们要充分压榨max10的每一滴油水,就一定要搞定UFM。
二、MAX10 初体验——片内User Flash的使用
1.在IP Catalog里面搜索flash,双击打开Altera On-Chip Flash,又打开了Qsys。看来Altera真是死磕nios了。不过不用担心,Avalon MM比起AXI简单的要命,下面简单的例子介绍后,看一下时序,想必很快就可以上手。
本例为了体验片内Flash的并行速度,时钟频率设为100MHz,选择了并行数据接口,burst方式为递增,突发模式设置为最大128字节。FPGA配置方式选择单个非压缩镜像,这样做可以多释放一块Flash供我们使用。我们这次不玩IAP,且为了保护FPGA配置镜像不被意外损坏,将CFM设置为隐藏。初始化使用hex或mif文件,怎样创建都行。(逻辑本来就很简单,也懒得去仿真了,所以dat文件也就没有做。初始化文件本例用了个部分递增序列,用以检验代码的正确性)
2.在生成HDL之前,我们还是先看一下IP核的接口,在右上侧点击block symbol,了解一下信号功能位宽及方向。
其中data为Avalon MM的用户读写接口,crs为Avalon MM的控制接口。(我们只需要关注data接口即可完成正常读写工作)
3.生成HDL
生成HDL后,将生成的synthesis目录里面的qip文件添加到工程中。qip文件为索引文件,quartus将根据索引路径获取综合仿真所需的文件。
4.程序源码:
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module ufm_test(
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input wire i_clk,
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input wire i_rst_n,
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output wire [31:0]readdata,
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output wire rdatavalid
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);
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wire clk50;
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wire rst;
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wire locked;
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reg [14:0]flash_raddr;
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wire waitrequest;
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pll u_pll (
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.areset (~i_rst_n),
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.inclk0 (i_clk),
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.c0 (clk100),
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.locked (locked)
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);
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assign rst = ~(i_rst_n & locked);
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//gen read address
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always@(posedge clk100 or posedge rst)
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if(rst)
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flash_raddr <= 15'd0;
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else if(waitrequest)
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flash_raddr <= flash_raddr;
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else if(flash_raddr == 15'd29184 - 15'd8)
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flash_raddr <= 15'd0;
-
else
-
flash_raddr <= flash_raddr + 15'd8;
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userflash u0 (
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.clock (clk100 ),// clk.clk
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.reset_n (~rst ),// nreset.reset_n
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//crs
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.avmm_csr_addr (1'b0 ),// csr.address
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.avmm_csr_read (1'b0 ),// .read
-
.avmm_csr_writedata (32'd0 ),// .writedata
-
.avmm_csr_write (1'b0 ),// .write
-
.avmm_csr_readdata ( ),// .readdata
-
//data
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.avmm_data_addr (flash_raddr),// data.address 15bit
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.avmm_data_read (1'b1 ),//.read always enable
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.avmm_data_writedata (32'd0 ),//.writedata 32bit
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.avmm_data_write (1'b0 ),//.write
-
.avmm_data_readdata (readdata ),//.readdata 32bit
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.avmm_data_waitrequest (waitrequest),//.waitrequest
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.avmm_data_readdatavalid (rdatavalid ),//.readdatavalid
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.avmm_data_burstcount (8'd8 ) //.burstcount
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);
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endmodule
5.下载pof
由于sof文件包含的内容为sram结构的配置信息,不包含flash的内容,所以UFM初始化文件不会通过sof下载写入flash,所以需要将ufm信息包含到pof文件,并下载。
综合完毕后,打开Convert Programming File,将sof转换为pof。
选择pof格式,Mode选择Internal Configuration,添加已经生成的sof文件。先不要着急Generate,现在还添加UFM初始化文件。
点击Options/Boot info按钮,UFM source选择Load memory file并添加自己定义的UFM的初始化文件。
添加UFM初始化后再生成pof文件。此时的pof包含了用户逻辑与UFM的初始化信息,文件个头会稍微大一些。
6.sinaltap抓数
本例的工程将avalon的读取data相关的信号进行了抓取:
上图触发时刻后为四组突发长度为8的读取模式,下图为其中一段的放大:
从图中可以看出 当valid为高时,输出的读取数据按字节递增,说明读取过程正确无误。
当前clk为100MHz,发起一个长度为8的突发读取需要22个clk,共读出了32个字节。由此可以算出当前的flash读取速率为每clk 1.45个字节,不得不说并行读取速率就是快。这么快的速率完全可以跟上程序的处理速度,用Max10不好好利用UFM,简直暴殄天物。
三、个人感受
1.鉴于Altera On-Chip Memery是基于Qsys的IP核,可以看得出Altera在推广Avalon和Nios上的一贯作风。
2.非集成Flash的FPGA,如cyclone4系列只能串行读写EPCS,来当做UFM使用,且总线速率不超过25MHz。MAX10的体验确实出乎意料,并行总线读取flash,那叫一个快。
3.本文没有尝试写入,是因为nor flash的写入过程确实太慢,手册说擦除一个扇区就需要350ms。如果只是存一个用户参数,再写入之前先进行读取备份,然后再执行擦除操作,再执行写入操作。过程繁琐,且在寄存器中备份需要占用大量LE,也不划算。
4.IAP过程也需要程序写入到相应的Flash,但是一个配置文件就将近1MBytes(本文的sof就有700多KB,pof有800多KB)。由于写入过程很慢,最好需要通过nios系统并外挂一个片外的RAM来缓存要写入的配置文件。尽管MAX10支持DDR3跑400M,但是需要消耗大量的逻辑来支持DDR,如果单独为了IAP而添加外部的RAM,有些得不偿失。建议IAP最好还是在不额外增加bom的时候使用。其他时候安心的用单个配置flash吧,其他的都划作UFM,想怎么用,就怎么用。