第1章 常用半导体器件
本文仅为模拟电路学习笔记流,仅供参考,详见《模拟电子技术基础(第五版)》
提示:以下是本篇文章正文内容,下面案例可供参考
一、什么是半导体?
首先,需要知道物质的导电性能是由其原子结构决定的。正如:经济基础决定上层建筑。
类比其他物质,我们熟知的有:导体、绝缘体材料。
导体:通常是由低价元素组成,外层价电子容易摆脱原子核的束缚,导电性能最好;
绝缘体:通常是由高价元素组成,外层价电子极易受到原子核的束缚,导电性能最差。
因此,半导体:通常是四价元素组成,导电性能介于导体和绝缘体之间。
本征半导体是半导体的一种,接下来介绍本征半导体。
二、什么是本征半导体?
1.定义
纯净半导体经过一定的工艺过程制造成的单晶体,即为本征半导体。
以上定义基本是从书上照搬来的,但是需要注意一点:本征半导体并不完全等同于纯净半导体,而是经过工艺加工得到的晶体结构。
2.结构
要理解本征半导体的结构,首先要理解其晶体结构,根据个人理解,总结如下:
(外层)价电子+(内层)原子核–>1个原子–>多个原子–>单个晶体
例如:4价原子和3价原子的符号示意图如下所示
3.性能及特点
由于本征半导体本身的晶体结构特点,引申出值得人们研究的特点。比如:
共价键:晶体中的相邻原子之间离的很近,因此外层价电子落入相邻的原子轨道形成共用电子,这样的结构称为共价键结构。
由于本征半导体本身容易受到温度的影响,引申出的特点,如:
自由电子:本征半导体受到热激发,外层价电子得到能量后摆脱共价键的束缚,成为自由电子;
空穴 :自由电子离开共价键后留下的空位置称为空穴。
自由电子-空穴对:本征半导体中,自由电子和空穴总是成对出现的,两者浓度总是相等。
载流子:运载电荷的粒子都称为载流子(例如:自由电子带负电荷,空穴带正电荷,它们都属于载流子)
载流子的运动:
本征激发:半导体受到热激发形成自由电子-空穴对的现象;
复合:自由电子运动过程中填补空穴的位置,使得两者消失的现象。
载流子浓度与温度的关系:
本征半导体中,载流子的浓度是环境温度的函数。
a、温度一定时,载流子浓度一定,自由电子和空穴浓度相等,达到动态平衡;
b、温度升高时,载流子浓度增大,导电性能增强。
三、什么是杂质半导体?
1.定义
在纯净硅晶体中掺杂少量杂质元素,使其替换原晶体中的原子所形成的半导体。
2.分类
2.1 N型半导体
(N-Negative,多数载流子是自由电子带负电)
定义:在纯净硅晶体中掺杂五价元素(如:磷P),使其替换原硅原子,形成N型半导体。
以上定义基本是从书上照搬来的,但是需要注意一点书本都是以磷这个五价元素作为参考,实际N型半导体除了磷元素也有掺杂其他元素类型。
结构:由于五价元素外层有五个价电子,除了与相邻硅原子形成共价键外,还有一个电子。如下图所示:
Ps:为什么N型半导体的多数载流子是自由电子?
常温下,由于热激发,杂质原子多出的一个电子得到少量能量很容易就成为自由电子。
多数载流子:自由电子(浓度高),少数载流子:空穴(浓度低)
特点:N型半导体的掺杂浓度越高,多数载流子的浓度也越高,导电性能也越好。
2.2 P型半导体
(P-Positive,多数载流子是空穴带正电)
定义:在纯净硅晶体中掺杂三价元素(如:硼B),使其替换原硅原子,形成P型半导体。
以上定义基本是从书上照搬来的,但是需要注意一点书本都是以硼这个三价元素作为参考,实际N型半导体除了硼元素也有掺杂其他元素类型。
结构:由于三价元素外层有三个价电子,除了与相邻硅原子形成共价键外,还有一个空位。如下图所示:
Ps:为什么P型半导体的多数载流子是空穴?
当硅原子的外层电子填补该空位后,就会在其原来的共价键留下一个空穴。
多子:空穴(浓度高),少子:自由电子(浓度低