DRAM内部分割成多个L-Bank,每个L-Bank形状相同,彼此独立,可以独立工作。早期的DRAM芯片内部分为2个L-Bank,后来是4个,DDR3内存芯片为8个。在进行寻址时需要先确定是哪个L-Bank,然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问,一次只能是一个L-Bank,而每次与CPU交换的数据就是 L-Bank 存储阵列中一个“存储单元”的容量。SDRAM内存芯片一次传输的数据量就是芯片的位宽,那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽(也是 L-Bank 的位宽)。下图为4BANK内存颗粒内部结构示意图。
针对内存的操作指令有如下几种:
1).Command INHIBIT(初始化);
2).No Operation(无动作);
3).Active(使指定L-Bank中的指定行有效);
4).Read(从指定L-Bank中的指定列开始读取数据);
5).Write(从指定L-Bank中的指定列开始写入数据);
6).Burst Terminate(突发传输终止);
7).Precharge(预充电命令,关闭指定或全部L-Bank中的工作行);
8).Auto Refresh(自动刷新)&#x