DDR3协议（四）Self-Refresh&Power-Down

在DDR3中几乎所有的状态都要求时钟必须处于稳定状态，只有在两个条件下，输入时钟可以进行切换，

• Self-Refresh mode
• Precharge Power-Down mode

Refresh&Self-Refresh

时延参数

Refresh

• DDR为维持自身的数据，每隔固定时间必须要进行一次Refresh操作。
• 进行Refresh之前需要进行Precharge操作后处于Idle状态，并要满足tRP的最小时延要求。
• Refresh结束之后，所有bank也是处于Idle状态。
• 进行Refresh与下一次有效命令（除去NOP / DES）之间，需要满足最小时间tRFC。
• 考虑到命令的调度性能，Refresh命令的间隔可以灵活调整，最大不能超过 9 x tREFI。
  

Self-Refresh

• 处于Self-Refresh状态，DDR在系统power-down的状态下，不需要时钟仍能保持数据；
• 进入Self-Refresh状态前需要进行Precharge操作后处于Idle状态，并满足tRP最小时延要求；
• 进入Self-Refresh状态前，ODT功能需要关闭，ODT需要提前（ODTL+0.5tCK）拉低；
• 对于DLL ON的配置下，进入Self-Refresh状态会自动降DLL disable，退出时自动进行enable；
  

Power Down

Power Down的进入和退出

• CKE拉低的同时，DDR进入Power-Down状态；
• 如果所有Bank都处于关闭状态，DDR将进入Precharge Power-Down状态；只要有Bank处于激活状态，则进入Active Power-Down状态；
• 在进入Power-Down且为faster Power-Down退出时，DLL必须维持Lock状态，否则在退出Power-Down状态后，DLL必须进行复位操作。

退出Power-Down的时序参数以及对应配置如下：

Power-Down时序及对应参数

Power-Down进入和退出时序

图中tXP为Fast Exit Mode的退出时序，如配置为Slow Exit Mode需要等待tXPDLL，图示如下：

Refresh/Active/Precharge/MRS to Power-Down
几者的区别在于Command to Power-Down的时延要求不一致，下图仅以MRS为例

Power-Down after RD&RDA

Power-Down after WR

Power-Down after WRA

与WR->Power-Down的时序区别在于tWRAPDEN 和 tWRPDEN（中间的固定值X是对于BL8或者BC4 OTF为4； 对于BC4应为2）
tWRAPDEN = WL+X+WR+1（通过上图也明显看出）
tWRPDEN = WL+X+(tWR/tCK)
对于WR和tWR/tCK这个应该怎么理解？ -> tWR根据协议上不同的速率下有不同的最小值要求，WR是根据MR0进行配置得来，两者不相关？

Power-Down Enter-Exit-Enter

相对于前面的power-down时序，需要额外满足tCKE即可

Power-Down Exit-Refresh-Enter

对于Exit Power-Down之后进行Refresh操作，需要保证下一次进入Power-Down时满足DLL lock时序

Power-Down Refresh-Enter-Exit-Enter

Power-Down在Refresh之后进入，在正常退出Power-Down满足其时序的同时，也需要满足Refresh到下一个Valid命令的最小延迟tRFC后，再进入Power-Down

Power Down下切换时钟频率

• 如果RTT_NOM使能，在进入Power Down时，需要将ODT保持为0；如未使能，则可不关注；
• Power Down期间CKE保持为低，输入频率只能在最小与最大支持频率间切换；
• 在退出Power Down状态后，需要通过MRS命令对DLL进行RESET操作；
• 通过MRS命令对WR\CL\CWL进行重新配置，以适配新频率，且此期间CKE必须维持为1；
• 在DLL Re-lock期间，ODT保持为0，CKE保持为1；
  

DLL

• 上述切换频率中都有提到DLL这个功能，同时在切换时钟的频率只能在约束的最小、最大之间进行。
• 对于这个频率的限制的原因之一就是DLL的存在，因为DLL去做相位的调整和锁定，是有支持的时钟范围在，当DLL off的状态下，DDR时钟可以降到更低的频率来进行处理。
• DLL的切换也是基于Self-Refresh来完成。

DLL on to off

• DDR进行Precharge且处于Idle状态，ODT维持高阻；
• 发起MRS配置MR1 bit0为1，将DLL disable；
• 等待tMOD时间，发起Self-Refresh（需要满足Self-Refresh对应时序）；
• 修改频率，并等待时钟稳定；
• 退出Self-Refresh状态（ODT在使能的情况下，必须维持为0）；
• 等待tXS后，发起MRS命令配置对应寄存器。
  

DLL off to on

基本与DLL on->off过程类似，主要区域在于：

• 先修改频率，退出Self-Refresh之后再使能DLL，并进行DLL Reset操作；
• 发起DLL Reset操作后等待至少tDLLK时间，才能进行读写之类需要DLL lock状态的命令。