DDR基础概述
- 定义:全称Double Data Rate SDRAM,从原有的SDRAM基础上改进。存储原理同SDRAM,需要行地址、列地址选通进行充放电。
- 层次:Channel -> DIMM -> Rank -> Chip -> Bank -> Column/Row
DDR3信号列表
DDR3各类器件的地址mapping
page size计算, 2*column_bit * (Xn) / 8
简化状态图
上面的状态图可以进行操作的拆解,在拆解各个操作前,先熟悉下每条命令的作用。
状态图操作拆解如下:
- 启动
上电->复位->初始化->长校准(ZQCL)-> IDLE - 读命令
IDLE ->Activating -> Bank Active -> 读数据(一次或多次)-> 预充电 -> IDLE - 写命令
IDLE -> Activating -> Bank Active ->写数据(一次或多次) -> 预充电 -> IDLE - 刷新
IDLE -> Refreshing -> IDLE - 自刷新
IDLE -> Auto Refreshing -> IDLE - 自动定期校准
IDLE -> ZQ Calibration -> IDLE - Leveling
IDLE -> MRS/MPR/Write Leveling -> IDLE - Power Down进入和退出
后续内容中进行描述