NOR Flash具有以下特点:
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非易失性:与易失性存储器(如RAM)不同,NOR Flash存储的数据在断电后依然保持。
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随机访问性:可以像传统的随机存取存储器一样,灵活地随机读写任何位置的数据,而不需要按块或页面方式访问,最小擦除单元为扇区。
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适用于代码存储:由于其能够快速随机访问,NOR Flash通常用于嵌入式系统中存储程序代码和启动代码。
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嵌入式设备启动存储器:NOR Flash通常用于嵌入式系统的启动存储器,因为它具有快速启动时间和可靠的数据存储性能。
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相对较低的密度:与NAND Flash相比,NOR Flash的存储密度相对较低,但由于其随机访问性和可靠性,它通常用于存储小容量的关键数据。
NAND Flash具有以下特点:
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高密度存储:相对于NOR Flash,NAND Flash的存储密度更高,可存储更多的数据。
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块存储结构:NAND Flash以块为单位进行读写操作,一个块通常包含多个扇区(或页),并且擦除操作是以块为单位进行的。因此,对于NAND Flash,数据的写入和擦除操作需要按块进行,而不能按独立的字节或字进行操作。(EEPROM最小擦写单元为字节)
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顺序访问性:相对于NOR Flash,NAND Flash的随机访问速度比较慢,但顺序读写速度较快。
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适用于大容量存储:由于其高密度存储特性,NAND Flash通常用于存储大容量数据,如图像、音频、视频等。
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数据完整性和可靠性:NAND Flash采用了一些额外的技术,如错误纠正码(ECC)和坏块管理等,以确保数据的完整性和存储的可靠性。
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相对低成本:相比于NOR Flash,NAND Flash的生产成本相对较低,这使得它成为大容量存储的经济选择。