nor Flash和nand Flash的区别

flash 按照结构可以分为 nor flash 和 nand flash两大类。

1. 特点

• nor flash

nor flash的特点就是芯片内执行，这样应用程序可以直接在 flash 内存内运行，不必再把代码读到系统 RAM 中。

nor flash 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。

• nand flash

nand flash 结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

应用nand flash 的困难在于flash 的管理和需要的特殊接口。

2. 容量和成本

nor flash 的容量大小为1MB ~ 32MB ，而nand flash 的为16MB ~ 512MB。

nand flash 的单元尺寸几乎是nor flash 的一半，由于生产的过程更为简单，因此价格也是相对低。

4. 性能差别

nor flash 的读速度比 nand flash稍快一些

nor flash 的写入速度比 nand flash 慢了很多

nand flash 的4ms擦除速度远比nor flash 的5s 快

nand flash 的擦除单元更小，相应的擦除电路也就更小

5. 接口差别

nor flash 的接口和RAM一样，

nand flash 是使用I/O口来串行地存取数据。

6. 易用性

nor flash 可以像其他存储器那样连接，还可以直接在上面运行代码

使用 nand flash 的话就复杂了，需要I/O接口，必须先写入驱动程序，才可以继续执行其他的操作。

7. 耐用性

在nand flash内存中的每个块的最大擦除写次数是100万次，

nor flash 的擦写次数是10万次。

8. 坏处处理

nand flash 器件中的坏处是随机分布的

nand flash 器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。

9. 位交换

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，nand flash发生的次数要比nor flash多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用EDC/ECC算法。
　　这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

10. 主要用途

nor flash常用于保存代码和关键数据，nand flash 用于保存数据。

11. 软件支持

当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。

在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持

在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。

使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。

驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

12. 参考文章

https://www.cnblogs.com/yuanqiangfei/p/16329850.html