DDR5 的优势与应用

DDR5 是新一代 DRAM 内存,具有一系列强大的功能,可提升可靠性、可用性和可维护性 (RAS),降低能耗并显著提高性能。请查看下方表格,了解 DDR4 和 DDR5 之间的一些主要特性差异。

DDR5 的优势

特性/选项

DDR4DDR5DDR5 优势
数据速率 600-3200MT/s4800-8800MT/s 提高性能和带宽
VDD/VDDQ/VPP 1.2/1.2/2.5  1.1/1.1/1.8更低功耗
内部 VREFVREFDQVREFDQ、VREFCA、VREFCS提高电压裕度,降低 BOM 成本
设备存储密度 2Gb-16Gb 16Gb、24Gb、32Gb支持容量更大的单芯片设备
预取 8n16n保持较低的内部核心时钟
DQ 接收器均衡CTLEDFE改善 DRAM 内接收的 DQ 数据眼图的张开度
占空比调整 (DCA)DQ 和 DQS改善发送 DQ/DQS 引脚上的信号
内部 DQS 延迟监控无 DQS 间隔振荡器 增强环境变化时的稳健性
片上 ECC128b+8b SEC、错误检查和清理增强片上 RAS
CRC写入读/写通过保护读取数据操作增强系统 RAS
存储体组 (BG)/存储体 4 BG x 4 存储体 (x4/x8)
2 BG x 4 存储体 (x16)
8 BG x 4 存储体 (16-64Gb x4/x8)
4 BG x 4 存储体 (16-64Gb x16)
提高带宽/性能
命令/地址接口ODT、CKE、ACT、RAS、CAS、WE、A<X:0> CA<13:0>显著减少 CA 引脚数
ODTDQ、DQS、DM/DBIDQ、DQS、DM、CA 总线 提高信号完整度,降低 BOM 成本
突发长度BL8(以及 BC4)BL16(以及 BC8 OTF)仅使用 1 个 DIMM 子通道即可获取 64B 缓存行。
MIR(“镜像”引脚)有 改善 DIMM 信号
总线反转 数据总线反转 (DBI)命令/地址反转 (CAI)降低 VDDQ 噪声
CA 训练、CS 训练CA 训练、CS 训练改善 CA 和 CS 引脚上的时序裕度
写入均衡训练模式进一步改进补偿不匹配的 DQ-DQS 路径
读取训练模式可通过 MPR 实现专用 MR,用于串行(用户定义)、时钟和 LFSR 生成的训练模式使读取时序裕度更加稳健
模式寄存器7 x 17 位最多 256 x 8 位(LPDDR 类型读/写) 提供扩展能力
PRECHARGE 命令所有存储体、每个储存体所有存储体、每个储存体、同一存储体PREsb 允许在每个 BG 中对存储体预充电
REFRESH 命令 所有存储体所有存储体、同一存储体REFsb 允许在每个 BG 中刷新存储体
环回模式支持 DQ 和 DQS 信号测试 

 

应用服务器:高性能、大容量内存

提供更高带宽、更低延迟和更大容量的 MRDIMM 主内存,可用于加速使用 Intel Xeon 6 处理器的内存密集型工作负载,如 AI 和高性能计算环境等。 

我们的大容量 MRDIMM 提供从 32GB 到 256GB 的容量选择,可轻松部署在数据中心环境中。高性能 MRDIMM 解决方案在带宽和能效方面可提高 39%。

大容量 RDIMM 助力 AI 发展

  • DDR5 RDIMM 扩展后的总带宽高达 8000 MT/s,MRDIMM 扩展后的总带宽高达 8800 MT/s
  • 与 3200 MT/s 的 DDR4 SDRAM 相比,DDR5 SDRAM 内存的带宽最高可提升 1 倍
  • 基于 32GB 单颗粒的 128GB RDIMM 带来了更大容量
  •  业界前沿的大容量 RDIMM 模块正在全球各地推动 AI 数据中心的发展。128GB DDR5 RDIMM 内存采用行业前沿的 1β (1-beta) 技术,与采用 3DS 硅通孔 (TSV) 技术的竞品相比,位密度提高 45% 以上,能源效率提升高达 22%,延迟最多降低 16%。

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