STM32入门教程（FLASH闪存篇）

Zevalin爱灰灰

已于 2024-02-17 14:36:50 修改

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分类专栏： STM32入门教程笔记文章标签： stm32 嵌入式硬件单片机

于 2023-12-05 16:03:49 首次发布

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重要的内容写在前面：

该系列是以up主江协科技的STM32视频教程为基础写下去的，大部分内容都参考了老师的课件，对于一些个人认为比较重要但是老师仅口述的部分，笔者都有用文字的方式记录并标出了重点。
文中的图片基本都来源于老师的课件以及开发板和芯片的手册，粘贴过来是为了方便阅读。
如果有条件的可以先学习一些相关课程再去看STM32的教程，学起来会更加轻松（不太建议零基础开始直接STM32，听起来可能会有点困难，可以先学51单片机），相关课程有数字电路（强烈推荐先学数电，不然可能会有很多地方理解起来很困难）、模拟电路、计算机组成原理（像寄存器、存储器、中断等在这门课里有很详细的介绍）、计算机网络等。
如有错漏欢迎指出。

视频链接：[15-1] FLASH闪存_哔哩哔哩_bilibili

1、STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行擦除和编程。

（1）读写FLASH的用途：

①利用程序存储器的剩余空间来保存掉电不丢失的用户数据。

②通过在程序中编程（IAP），实现程序的自我更新。

（2）在线编程（In-Circuit Programming – ICP）用于更新程序存储器的全部内容，它通过JTAG、SWD协议或系统加载程序（Bootloader）下载程序。

（3）在程序中编程（In-Application Programming – IAP）可以使用微控制器支持的任一种通信接口下载程序。

2、闪存模块组织：

3、FLASH基本结构：

4、FLASH解锁：

（1）FPEC共有三个键值：RDPRT键 = 0x000000A5；KEY1 = 0x45670123；KEY2 = 0xCDEF89AB

（2）解锁：

①复位后，FPEC被保护，默认不能写入FLASH_CR（控制寄存器）。

②在FLASH_KEYR先写入KEY1，再写入KEY2，即可解锁。

③错误的操作序列会在下次复位前锁死FPEC和FLASH_CR。

（3）加锁：

设置FLASH_CR中的LOCK位锁住FPEC和FLASH_CR。

5、使用指针访问存储器：

（1）使用指针读指定地址下的存储器：

	uint16_t Data = *((__IO uint16_t *)(0x08000000));  //读地址0x08000000下的2个字节（16位，半字）

（2）使用指针写指定地址下的存储器：

*((__IO uint16_t *)(0x08000000)) = 0x1234;  //写2个字节（16位，半字）的数据0x1234到地址0x08000000

其中：

#define    __IO    volatile  //volatile在逻辑上没有什么作用，只是为了防止编译器优化

6、程序存储器编程：

（1）首先读取控制寄存器的LOCK位，如果LOCK=1，那就需要解锁（在KEYR寄存器先写入KEY1再写入KEY2）才能继续操作，如果LOCK=0，可以往下进行编程（写入）操作。

（2）置CR寄存器的PG位为1，开始编程操作，不过STM32的闪存会在写入数据之前会检查指定地址有没有被擦除，如果未被擦除，STM32不执行写入操作。（另外每次写入都必须一次性写半字，也就是16位）

（3）编程过程需要一定时间，在这段时间里程序等待CR寄存器的BSY位被置为0，也就是等待编程操作完成。

（4）“读出并验证所有页的数据”这一步是测试程序的步骤，一般程序不执行这一步。

7、程序存储器页擦除：（被擦除部分全部置为1）

（1）首先读取控制寄存器的LOCK位，如果LOCK=1，那就需要解锁（在KEYR寄存器先写入KEY1再写入KEY2）才能继续操作，如果LOCK=0，可以往下进行擦除操作。

（2）首先置CR寄存器的PER位为1，在AR寄存器中写入要擦除的页，再置STRT位为1，其中置STRT为1是触发条件，触发芯片开始工作，而PER=1则决定芯片需要进行页擦除操作。

（3）擦除过程需要一定时间，在这段时间里程序等待CR寄存器的BSY位被置为0，也就是等待擦除操作完成。

（4）“读出并验证所有页的数据”这一步是测试程序的步骤，一般程序不执行这一步。

8、程序存储器全擦除：

（1）首先读取控制寄存器的LOCK位，如果LOCK=1，那就需要解锁（在KEYR寄存器先写入KEY1再写入KEY2）才能继续操作，如果LOCK=0，可以往下进行擦除操作。

（2）首先置CR寄存器的MER位为1，置STRT位为1，其中置STRT为1是触发条件，触发芯片开始工作，而MER=1则决定芯片需要进行全擦除操作。

（3）擦除过程需要一定时间，在这段时间里程序等待CR寄存器的BSY位被置为0，也就是等待擦除操作完成。

（4）“读出并验证所有页的数据”这一步是测试程序的步骤，一般程序不执行这一步。

9、选项字节：（nXXX代表XXX的反码）

（1）信息块的组织结构：

①RDP：写入RDPRT键（0x000000A5）后解除读保护。

②USER：配置硬件看门狗和进入停机/待机模式是否产生复位。

③Data0/1：用户可自定义使用。

④WRP0/1/2/3：配置写保护，每一个位对应保护4个存储页（中容量）。

（2）选项字节编程：

①解锁闪存（解锁LOCK位），检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。

②解锁FLASH_CR的OPTWRE位。

③设置FLASH_CR的OPTPG位为1。

④写入要编程的半字到指定的地址。

⑤等待BSY位变为0。

⑥读出写入的地址并验证数据。

（3）选项字节擦除：

①解锁闪存（解锁LOCK位），检查FLASH_SR的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。

②解锁FLASH_CR的OPTWRE位。

③设置FLASH_CR的OPTER位为1。

④设置FLASH_CR的STRT位为1。

⑤等待BSY位变为0。

⑥读出被擦除的选择字节并做验证。

10、器件电子签名：电子签名存放在闪存存储器模块的系统存储区域，包含的芯片识别信息在出厂时编写，不可更改，使用指针读指定地址下的存储器可获取电子签名。

（1）闪存容量寄存器：基地址为0x1FFF F7E0，大小为16位。

（2）产品唯一身份标识寄存器：基地址为0x1FFF F7E8，大小为96位。

11、读写内部FLASH：

（1）按照下图所示接好电路，并将OLED显示屏的项目文件夹复制一份作为模板使用。

（2）在stm32f10x_flash.h文件中有闪存模块相关的函数。

[1]FLASH_Unlock函数：解锁LOCK位。

[2]FLASH_Lock函数：加锁LOCK位。

[3]FLASH_ErasePage函数：闪存擦除某一页。

[4]FLASH_EraseAllPages函数：闪存擦除全部页。

[5]FLASH_EraseOptionBytes函数：擦除选项字节。

[6]FLASH_ProgramWord函数：往闪存指定地址写一个字（32位）。

[7]FLASH_ProgramHalfWord函数：往闪存指定地址写半个字（16位）。

[8]FLASH_ITConfig函数：开启中断。

[9]FLASH_GetFlagStatus函数：获取状态标志位。

[10]FLASH_ClearFlag函数：清除状态标志位。

[11]FLASH_GetStatus函数：获取当前状态。

[12]FLASH_WaitForLastOperation函数：等待上一次操作完成（等待BSY=0）。

（3）在项目的System组中添加MyFLASH.h文件和MyFLASH.c文件用于封装闪存模块的代码。

①MyFLASH.h文件：

#ifndef __MyFLASH_H
#define __MyFLASH_H

uint32_t MyFLASH_ReadWord(uint32_t Address);
uint16_t MyFLASH_ReadHalfWord(uint32_t Address);
uint8_t MyFLASH_ReadByte(uint32_t Address);
void MyFLASH_EraseAllPages(void);
void MyFLASH_ErasePages(uint32_t PageAddress);
void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data);
void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data);

#endif

②MyFLASH.c文件：

#include "stm32f10x.h"                  // Device header

uint32_t MyFLASH_ReadWord(uint32_t Address)  //读取Address地址下的一个字
{
	return *((__IO uint32_t *)(Address));
}

uint16_t MyFLASH_ReadHalfWord(uint32_t Address)  //读取Address地址下的半个字
{
	return *((__IO uint16_t *)(Address));
}

uint8_t MyFLASH_ReadByte(uint32_t Address)  //读取Address地址下的一个字节
{
	return *((__IO uint8_t *)(Address));
}

void MyFLASH_EraseAllPages(void)  //擦除全部页
{
	FLASH_Unlock();  //解锁
	FLASH_EraseAllPages(); //擦除全部页
	FLASH_Lock();    //加锁
}

void MyFLASH_ErasePages(uint32_t PageAddress)  //擦除页起始地址PageAddress下的页
{
	FLASH_Unlock();  //解锁
	FLASH_ErasePage(PageAddress); //擦除指定页
	FLASH_Lock();    //加锁
}

void MyFLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data)  //往Address地址写一个字Data
{
	FLASH_Unlock();  //解锁
	FLASH_ProgramWord(Address, Data); //往指定地址写一个字
	FLASH_Lock();    //加锁
}

void MyFLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data)  //往Address地址写半个字Data
{
	FLASH_Unlock();  //解锁
	FLASH_ProgramHalfWord(Address, Data); //往指定地址写半个字
	FLASH_Lock();    //加锁
}

（4）在项目的System组中添加Store.h文件和Store.c文件用于封装业务层的代码。

①Store.h文件：

#ifndef __Store_H
#define __Store_H

extern uint16_t Store_Data[];

void Store_Init(void);
void Store_Save(void);
void Store_Clear(void);

#endif

②Store.c文件：

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "MyFLASH.h"

#define STORE_START_ADDRESS  0x800FC00  //使用闪存0x800FC00的一页进行调试（只要程序占用空间不大，该页一般空闲）
#define STORE_COUNT          512        //一页有512个半字

uint16_t Store_Data[STORE_COUNT];       //存储在SRAM中的数组，用于暂存FLASH中的数据

void Store_Init(void)
{
	if(MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS) != 0xA5A5)  //闪存的0x800FC00页只初始化一次即可
	{
		MyFLASH_ErasePages(STORE_START_ADDRESS);  //擦除0x800FC00页
		MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS, 0xA5A5);
		//0x800FC00页的第一个半字用来做标志，如果初始化过一次，数据掉电不丢失，重新上电后该半字仍为0xA5A5
		for(uint16_t i = 1; i < STORE_COUNT; i++)  //该页剩下的空间全部初始化为0
		{
			MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i * 2, 0x0000);
		}
	}
	for(uint16_t i = 0; i < STORE_COUNT; i++)  //将0x800FC00页的数据拷贝到SARM的数组中，便于程序修改
	{
		Store_Data[i] = MyFLASH_ReadHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i * 2);
	}
}

void Store_Save(void)  //将SARM中的数据保存到闪存的0x800FC00页
{
	MyFLASH_ErasePages(STORE_START_ADDRESS);  //先擦除原来保存的数据
	for(uint16_t i = 0; i < STORE_COUNT; i++) //把SRAM中数组的数据逐半字写入FLASH
	{
		 MyFLASH_ProgramHalfWord(STORE_START_ADDRESS + i * 2, Store_Data[i]);
	}
}

void Store_Clear(void)  //清空0x800FC00页保存的数据（不是擦除）
{
	for(uint16_t i = 1; i < STORE_COUNT; i++)  //先把SARM中暂存的数据请空
	{
		Store_Data[i] = 0;
	}
	Store_Save();  //将SARM中的数据保存到闪存的0x800FC00页
}

（5）在main.c文件中粘贴以下代码，然后编译，将程序下载到开发板中进行调试。

#include "stm32f10x.h"                  // Device headerCmd
#include "OLED.h"
#include "Key.h"
#include "Store.h"

uint8_t KeyNum;

int main()
{
	OLED_Init();
	Key_Init();
	Store_Init();
	
	OLED_ShowString(1,1,"Flag:");
	OLED_ShowString(2,1,"Data:");
	
	while(1)
	{
		KeyNum = Key_GetNum();
		
		if(KeyNum == 1)  //按下按键1，修改闪存数据
		{
			Store_Data[1] += 1;
			Store_Data[2] += 2;
			Store_Data[3] += 3;
			Store_Data[4] += 4;
			Store_Save();       //保存数据
		}
		if(KeyNum == 2)  //按下按键2，清空指定页STORE_START_ADDRESS的数据
		{
			Store_Clear();      //清空数据
		}
		
		OLED_ShowHexNum(1,6,Store_Data[0],4);  //0xA5A5（标志）
		OLED_ShowHexNum(3,1,Store_Data[1],4);
		OLED_ShowHexNum(3,6,Store_Data[2],4);
		OLED_ShowHexNum(4,1,Store_Data[3],4);
		OLED_ShowHexNum(4,6,Store_Data[4],4);
	}
}

（6）使用STM32 ST-LINK Utility可以查看闪存中的数据存储情况，在程序下载到开发板中后，点击红框所在的按钮，然后把Address修改为0x0800FC00，就可以查看0x0800FC00这一页的存储内容。（如果想下载新程序，需要点击蓝框所在按钮，否则ST-LINK会被占用）

（7）程序最大占用空间可以设置，当程序所占空间超过设定值时程序将无法编译。

12、读取芯片ID：

（1）按照下图所示接好电路，并将OLED显示屏的项目文件夹复制一份作为模板使用。

（2）产品唯一身份标识寄存器的地址：

（3）在main.c文件中粘贴以下代码，然后编译，将程序下载到开发板中进行调试。

#include "stm32f10x.h"                  // Device header
#include "OLED.h"

int main(void)
{
	OLED_Init();						//OLED初始化
	
	OLED_ShowString(1, 1, "F_SIZE:");	//显示静态字符串
	OLED_ShowHexNum(1, 8, *((__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E0)), 4);		//使用指针读取指定地址下的闪存容量寄存器
	
	OLED_ShowString(2, 1, "U_ID:");		//显示静态字符串
	OLED_ShowHexNum(2, 6, *((__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E8)), 4);		//使用指针读取指定地址下的产品唯一身份标识寄存器
	OLED_ShowHexNum(2, 11, *((__IO uint16_t *)(0x1FFFF7E8 + 0x02)), 4);
	OLED_ShowHexNum(3, 1, *((__IO uint32_t *)(0x1FFFF7E8 + 0x04)), 8);
	OLED_ShowHexNum(4, 1, *((__IO uint32_t *)(0x1FFFF7E8 + 0x08)), 8);
	
	while (1)
	{
		
	}
}

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STM32入门教程（FLASH闪存篇）

（1）首先读取控制寄存器的LOCK位，如果LOCK=1，那就需要解锁（在KEYR寄存器先写入KEY1再写入KEY2）才能继续操作，如果LOCK=0，可以往下进行编程（写入）操作。（1）首先读取控制寄存器的LOCK位，如果LOCK=1，那就需要解锁（在KEYR寄存器先写入KEY1再写入KEY2）才能继续操作，如果LOCK=0，可以往下进行擦除操作。（2）置CR寄存器的PG位为1，开始编程操作，不过STM32的闪存会在写入数据之前会检查指定地址有没有被擦除，如果未被擦除，STM32不执行写入操作。
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