eFuse的诞生源于几年前IBM工程师的一个发现:与更旧的激光熔断技术相比,电子迁移(EM)特性可以用来生成小得多的熔丝结构。EM熔丝可以在芯片上编程,不论是在晶圆探测阶段还是在封装中。采用I/O电路的片上电压(通常为2.5V),一个持续200微秒的10毫安直流脉冲就足以编程单根熔丝。
eFuse
最新推荐文章于 2023-11-09 17:17:41 发布
eFuse的诞生源于几年前IBM工程师的一个发现:与更旧的激光熔断技术相比,电子迁移(EM)特性可以用来生成小得多的熔丝结构。EM熔丝可以在芯片上编程,不论是在晶圆探测阶段还是在封装中。采用I/O电路的片上电压(通常为2.5V),一个持续200微秒的10毫安直流脉冲就足以编程单根熔丝。