关于eFuse的一些介绍

1、eFuse简介

    eFuse的全称是“电子熔断器”（electronic fuse），是一种可编程电子保险丝，是一种用于存储信息和保护芯片的非易失性存储器件。它的原理是基于电子注入和热效应。在eFuse中，短电流脉冲被应用于热致电子发射，这会使电流通过一个非常小的导线。该电流会引起电线中的材料熔断，形成一个永久性的开路。这个过程是不可逆的，一旦eFuse被熔断，就不能再次编程。

2、eFuse作用

    eFuse可以被用于多个应用场景，例如芯片保护、电源管理、电路校准等。在芯片保护方面，eFuse可以用于防止电路被过电压或过电流损坏，也可用于防篡改、防破解等。在电源管理方面，eFuse可以用于控制电流和电压，确保电路正常工作。在电路校准方面，eFuse可以用于校准电路参数，例如时钟频率和电流偏置等。总的来说eFuse的优点是体积小、功耗低、可编程性强、可靠性高、不易被擦除等，因此在集成电路中得到了广泛应用。

3、eFuse使用

    在芯片出厂之前eFuse会被写入信息，eFuse的容量通常不会很大，一些芯片eFuse只有128bit，也存在部分芯片eFuse容量超过1Kbit的，主要看芯片需求。

    eFuse可用于存储芯片的修复数据，也可用于存储芯片的关键信息：如芯片可使用电源电压，关键时钟频率，芯片的版本号，生产日期。在厂家生产好die后，会进行测试，将芯片的信息写到eFuse中去。

芯片在初次上电过程中会读取eFuse中的电压字段数值，送到芯片外部的电源管理器，电源管理器在芯片初始上电前会提供一个标准的电压（假设为1.0v），在接受到eFuse中的电压字段数值后会调节电压大小。如果芯片质量较好，电源管理器会将电源电压调节到较低值（0.8v），假设芯片质量一般，电压管理器将电源电压调节到稍高值（0.85v）。

4.efuse

（1）一般的描述

个人使用是TSMC的256 bits High Density Electrical Fuse，其宏由32个具有随机访问接口的一次性可编程保险丝组成。电保险丝是一种采用标准CMOS逻辑工艺制造的非易失性存储器。该电保险丝宏广泛应用于芯片ID、内存冗余、安全码、配置设置、特征选择等方面。电子保险丝只能保证在本文档规定的电压和温度条件下工作，否则可能会造成永久性损坏。

（2）系统结构

（3）该电保险丝宏具有8种工作模式:

a阵列程序(A_PGM)

在此模式下，该宏已准备好进行电气保险丝编程。这个宏中的任何位都可以通过将频闪器调高并选择适当的地址来以任何顺序编程。所选择的地址需要满足设置和保持时间有关的频闪是有效的。一次只有一个比特被编程。

b冗余程序(R_PGM)

在这种模式下，该宏准备在冗余位上进行保险丝编程。冗余阵列中的任何位都可以通过将频闪器调高并选择适当的地址来以任何顺序编程。所选择的地址需要满足设置和保持时间有关的频闪是有效的。一次只有一个比特被编程。

c阵列读取(A_READ)和Margin A_READ1模式

在这两种模式下，该宏准备从保险丝单元读取数据。32位Q31-Q0可以通过提高STROBE高与适当的地址选择读出。在此读操作期间，地址信号A7~A3为“不关心”。“Array read Mode”的读跳点低于“Margin A_READ1 Mode”的读跳点。如果RSB处于“L”，启用冗余功能，即使不需要修复，上电后也必须进入冗余读模式(R_READ或Margin R_READ1)，在阵列读模式(A_READ或Margin A_READ1)之前读一次RIR数据。冗余读取需要两个频闪周期来读取完成的修复信息。

数据将被存储在寄存器中，直到断电或断电。在后续的阵列读操作中，当读操作访问到主阵列中的故障位时，相应的输出数据将被自动更正

d冗余读取(R_READ)和R_READ1模式

在这两种模式下，该宏准备从冗余信息行读取数据到寄存器，Q31~Q0和RF3~RFO由两个周期的STROBE高电平。冗余读操作时，地址信号A7~A0除A2外为“不关心”。冗余read模式的读跳闸点低于空白R_READ1模式的读跳闸点。

e断电

In this mode, the macro is at power-down mode. In the power-down mode, the power-leakage has best performance and consumes the least current of VDD.

f待机模式

When PD=L, PS=L, CSB=H, STROBE, PGENB and LOAD, MR, RWL, RSB are "don't care", the macro is at standby mode.

（4）时序框图

 特别注意：

When RSB is at "L" to enable the redundancy feature (repair function), please MUST enter the redundancy read mode (R_READ or Margin R_READ1) and read the RIR data once prior to the array read mode (A_READ or Margin A_READ1) after power-up even if repairing is not needed. Redundancy read requires two strobe cycles to read out the complete repairing information. The data will be stored in registers and will remain there until power-down or power-off. In subsequent array read, when read access the failure bit in the main array, the corresponding output data will be corrected automatically.