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RSS订阅原创 【模电笔记(4)】基本放大电路（构成原理、性能指标、三种组态、两种分析方法）
MOS JFET期中不考，就不写了:）：温度影响的三个指标βcβ1dTdβ≈0.5∼1.0∘CVBEΔTΔVBE≈−2.1mT∘CICBOICBOTICBOT0∗210T−T0。
2024-05-07 15:10:11
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原创 【模电笔记(2)】半导体基础（三极管BJT）
上篇补充：【模电笔记(1)】PN结、二极管、错题整理目录1 常用半导体器件1.3 双极结型三极管（BJT）1.3.1 结构及类型1.3.2 电流放大的工作原理1.3.3 BJT伏安特性特性曲线1.3.4 BJT主要参数1.3.5 BJT大信号模型1.3.6 BJT小信号模型1.3.7 频率特性1 常用半导体器件1.3 双极结型三极管（BJT）思路：【组成、工作原理（定性）】⟶定性到定量\stackrel{定性到定量}{\longrightarrow}⟶定性到定量【伏安特性曲线（测量法）】⟶器件建
2024-05-05 17:01:35
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原创 【信号与系统】笔记一（1分类2基本信号）
冲激函数的描述性定义δt0t≠0∫−∞∞δtdt1⎩⎨⎧δt0∫−∞∞δtdt1t0冲激函数的广义函数定义∫−∞∞δtφtdtφ0∫−∞∞δtφtdtφ0广义函数【概念】定义在一类“性质很好”的函数空间上的连续线性泛函。Ngφt∫−∞∞gtφtdtNgφt)]∫−∞∞gtφtdt公式所需对应部分检验函数φt。
2024-02-21 20:35:26
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原创 【笔记】数字电子技术基础（1）
十进制、二进制、八进制、十六进制：0~9,A(10),B(11),C(12),D(13),E(14),F(15)
2023-08-07 23:52:59
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空空如也
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