【模电笔记(2)】半导体基础（三极管BJT）

上篇补充：

【模电笔记(1)】PN结、二极管、错题整理

1 常用半导体器件

1.3 双极结型三极管（BJT）

思路：【组成、工作原理（定性）】$\stackrel{定性到定量}{⟶}$【伏安特性曲线（测量法）】$\stackrel{器件建模}{⟶}$【大信号模型（EM+厄尔利）】$\stackrel{放大区模型}{⟶}$【小信号模型】

1.3.1 结构及类型

一、构成方式

1. 发射区（发射载流子的区域）——掺杂浓度高，具有较小的电阻
2. 基区——掺杂浓度低，很薄
3. 集电区（收集载流子的区域）——中等掺杂浓度，面积很大

制造方式：在N型区上面加一层B获得P型区，再在上面掺杂一层高浓度P改型成为N型区，形成三明治结构。故最上面的N型区掺杂浓度比下面的N型区高，上面的小区域为发射区，下面的大区域为集电区。

二、结构
三个区域、三个电极、两个PN结
符号：箭头指向N

1.3.2 电流放大的工作原理

一、放大
放大的根本：不能失真

二、基本共射放大电路

$V_{B}B$使发射结导通，加$R_b$作为限流电阻（最大电流为$V_{B}B/R_b$，不会击穿）
$V_{C}C$大于$V_{B}B$，发射结正向偏置、集电结反偏
放大：$i_c=\beta i_b$
$i_c$的放大源自于$V_{CC}$提供的能量

三、晶体管内部载流子的运动（放大基本原理）
共射接法为例

1. 发射结正偏——扩散运动恢复
   $i_{En}$：发射区大量自由电子向基区扩散
   $i_{Ep}$：基区空穴向发射区扩散
   由基尔霍夫电流定律，得到$$i_E=i_{En}+i_{Ep}$$由于基区掺杂浓度很低，空穴数目很少，所以$i_{En}\gg i_{Ep}$，有$i_E\approx i_{En}$
   扩散速度与PN结上加的正向电压正相关。

2. 基区——扩散、复合、产生
   $$i_B=i_{Bn}+i_{Ep}-I_{CBO}$$（1）大部分自由电子向集电极扩散：由于基区掺杂浓度低且很薄，扩散过来的非平衡少子比基区原来的多子浓度还高，与基区内空穴复合后还有大量自由电子继续向集电区扩散。
   （2）小部分与基区空穴复合：“薄”和“掺杂浓度低”是保证自由电子顺利存活到集电区的两点原因，决定了复合的百分比。
   （3）为填补基区复合掉的空穴，从基极流入电流（自由电子流出）$i_{Bn}$：基区掺杂浓度不变，被复合掉的空穴会被来自基极电流的空穴填补，也就是有电子从基极流出。

$i_B$、$i_C$比例固定（实际上是$i_{Bn}$、$i_{Cn}$比例固定）——三极管有放大功能原因：
（1）由于流向集电极和从基极流出的自由电子数目固定（基区结构不变）
（2）扩散速度不变（与浓度梯度有关）——移到集电结旁边的自由电子必须被迅速移走，才能保证浓度梯度。
若没有被迅速移走，$i_C$不会增大，但基区中被复合掉的空穴增多，需要填补的更多，$i_B$会增大。

3. 集电结反偏——收集自由电子+漂移
   $$i_C=i_{Cn}+I_{CBO}$$$i_{Cn}$：集电结反偏，电场作用吸入大量自由电子
   $I_{CBO}$：反偏导致的漂移电流

四、放大系数
注意：$i_E$流出，$i_B{i}_C$流入

1. 共射电流放大系数：
   （1）直流放大系数$$\bar{\beta }=\frac{i_{Cn}}{i_{Bn}}=\frac{i_C-I_{CBO}}{i_B-i_{Ep}+I_{CBO}}\approx \frac{i_C}{i_B}$$（2）交流放大系数$$\beta =\frac{\Delta i_C}{\Delta i_B}$$
2. 共基电流放大系数：$$\alpha =\frac{i_E}{i_C}=\frac{\bar{\beta }}{1+\bar{\beta }}$$
3. 穿透电流 $I_{CEO}$ ：基极开路时E和C极电流
4. 反向电流 $I_{CBO}$

1.3.3 BJT伏安特性特性曲线

（研究共射接法）
定义输入回路、输出回路：根据电路实际作用。比如本处为放大电路，则放大后的电流$i_C$所在回路为输出。
输入回路：$i_B$ $v_{BE}$
输出回路：$i_C$ $v_{CE}$

一、输入特性

$$i_B=f(v_{BE}){|}_{v_{CE}=const}$$

1. 正向特点：
   （1）$v_{CE}$越大曲线右移（基区宽度调制效应导致）：$v_{CE}$增大，集电区从基区吸收自由电子的能力增强，$i_B$会变小；为了维持$i_B$不变，必须让更多的电子从发射区扩散到基区，需要更大的$v_{BE}$。
   （2）$v_{CE}\ge 1v$，曲线基本不变：反偏电压足够大，已将大部分电子捕获，对$i_B$影响不大。
2. 反向特点：
   反向电压达到一定值后发生齐纳击穿（$Si$平面NPN管：5~7V）
   相应击穿电压：$V_{(BR)EBO}$

二、输出特性

$$i_C=f(v_{CE}){|}_{i_B=const}$$

正向作用区（图1.3.3第一象限）分为三个作用区+一个击穿区。

1. 饱和区：双结正偏
   判断方法1
   双结正偏。
   判断方法2
   $$\beta i_B>i_{cmax}=\frac{V_{CC}}{R_C}$$$$i_B=\frac{V_{BB}-v_{BE}}{R_b}$$通过上述两个式子判断是否在饱和区。
   此处$i_C$不受$i_B$控制，且$v_{CE}$非常小，两个PN结都正偏。
   一些理解：网课这里的讲解，是把相同$i_B$下的$\beta$当成一个固定值，所以在饱和区有$\beta i_B>i_C$；教材中，$\beta$即定义为$i_C{i}_B$之间关系，会随着$v_{CE}$变化，始终有$\beta i_B=i_C$。

（1）从外特性解释饱和：输出回路放大区中，假设$i_B$不断加大，$i_C$也跟着不断加大，但由于$i_C=\frac{V_{CC}-v_{CE}}{R_c}$，其最大值不会超过$\frac{V_{CC}}{R_c}$。$i_C$还有增加的空间是由于$v_{CE}$还有缩小的空间，当$v_{CE}$缩小到一定程度，进入饱和区，也即$i_c=\frac{V_{CC}}{R_c}$。饱和区内，$v_{CE}$小，集电结正偏，相当于导体，$V_{CC}$相当于全加在$R_c$上。
（2）从内特性解释饱和：双结正偏，C和E间电压差很小，由外电路决定通过的电流$i_C$。

2. 放大区：发射结正偏，集电结反偏
   $v_{BE}>0,i_B>0,v_{CE}\ge v_{BE}$
   （1）共射BJT输出交流短路下的交流电流增益：$$\beta =\frac{i_c}{i_b}{|}_{d{v}_{CE}=0}$$ 表示输入电流增量对输出电流增量的控制作用。
   （2）共射BJT在输入交流开路（输入置0）条件下的输出电阻：$$r_{ce}=\frac{d{v}_{CE}}{d{i}_C}{|}_{d{i}_B=0}$$基区宽度调制效应的外部表现：$i_B$不变时，$i_C$随$v_{CE}$变化而斜升。

3. 截止区：双结反偏
   $i_C=I_{CBO},i_B=-I_{CBO},i_E=0$，为满足$i_E=0$，发射结必须反偏。发射结反偏，则发射极电压高于基极，而由于$V_{CC}$存在集电极电压高于发射极，故集电结也是反偏。

4. 击穿区
   $i_B=-I_{CBO}$对应的输出曲线相当于$i_E=0$的共基输出特性曲线。
   集电结雪崩击穿（与输入特性曲线反向齐纳击穿区分）

应用：改变基极电位，使之在饱和和截止之间来回跳变——制造电子开关

三、温度的影响
1.对输入特性
正向（发射结）：温度升高曲线左移
反向（集电结）：每10度翻一倍

2.对输出特性
温度高，$\beta$变大；曲线微微上倾。
两个受温度影响：$I_{CBO}$、$\beta$

1.3.4 BJT主要参数

1. 电流增益$\alpha$、$\beta$
   $\alpha$共基，$\beta$共射，$\alpha =\frac{\beta }{1+\beta },\beta =\frac{\alpha }{1-\alpha }$
2. 极间反向电流$I_{CBO}{I}_{CEO}$
   温度越高，反向电流、穿透电流越大，BJT的工作稳定性越差。
   温度每升高$10^{\circ }C$，$I_{CEO}$增大一倍。
3. 极限参数
   （1）$I_{CM}$集电极最大允许电流
   $\beta$下降到2/3时所允许的最大集电极电流值
   $i_C$增大到很大时，$\beta$值下降。$i_C$增大到$I_{CM}$时，$\beta$下降到原来的2/3。
   （2）$P_{CM}$集电极最大允许功耗
   （3）反向击穿电压$V_{(BR)CEO}{V}_{(BR)CBO}$
4. 频率参数$f_T$
   信号频率增大，结电容作用明显，使$\beta$下降，$\beta (jw)$的幅值下降到1时对应的频率就是$f_T$。
   解释频率特性
   $X_C=\frac{1}{2\pi f}$，一定范围内，频率越大，结电容容抗越小，交流电流可以旁路，$i_B$直接经过$C_{\pi }$流向$E$极，$C$极电流减小，$\beta$下降。
   注：与笔记（4）中基本放大电路的通频带联系。

1.3.5 BJT大信号模型

大信号模型：EM方程 + 厄尔利模型
一、$Ebers-Moll$ 模型的普遍形式
$$i_C=I_s(e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}-1)-\frac{I_S}{{\alpha }_R}(e^{\frac{v_{BC}}{V_T}}-1)$$$$i_E=\frac{I_S}{{\alpha }_F}(e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}-1)-I_S(e^{\frac{v_{BC}}{V_T}}-1)$$

${\alpha }_F$：共基极正向电流传输系数
${\alpha }_R$：共基极反向电流传输系数
饱和时——BJT增益小
饱和区、截止区——脉冲数字电路的工作区

二、模型推导
对于放大电路，$i_C$与$v_{BE}(v_{CE})$及$i_B$与$v_{BE}$关系式重要。故分别研究$v_{CE}$、$v_{BE}$不变时正向作用区的模型。

（一）$v_{CE}$不变时——$EM$模型A. 非平衡少子的运动
非平衡少子：理解为做漂移运动的多子
以发射结基区侧为原点、集电区方向为$x$轴正方向建系如图。集电结基区侧位置横坐标为$x=W$。

1. $N_A$：P区掺杂浓度。
2. $n_p(0)$：基区发射结边界处的非平衡少子（电子）浓度。漂移运动受电场影响，可知其与$v_{BE}$关系：$$n_p(0)=n_{p0}{e}^{\frac{v_{BE}}{V_T}}$$$n_{p0}$为P区的热平衡电子浓度。
3. $n_p(W)$：基区集电结边界处的少子浓度。
   a. 基区宽度$W$很窄 $+$ 集电结场强对基区边缘电子有很强作用力$\to$$n_p(W)\approx 0$；
   b. 基区内多子与非平衡少子复合很少，非平衡少子在基区内的浓度分布几乎为一条直线！
   $\to$ $n_p(W)=n_{p0}{e}^{\frac{v_{BE}}{V_T}}\approx 0$
4. $p_p(x)$：非平衡多子（理解为做扩散运动的少子，此处指代为补充基区正电荷进入基区的电流$i_{Bn}$）。
   $v_{BE}>0$时，发射结向基区注入电子，需要基极外电路提供正电荷维持基区电中性，成为非平衡多子$p_p(x)$。
   电中性要求：$N_A+n_p(x)=p_p(x)$ 故$\to$ $p_p(x)$也为直线。
5. 上述过程中，非平衡少子（电子）做两个运动。
   一：沿浓度梯度在基区内扩散，被集电极收集形成$i_{Cn}$；
   二：复合形成基极电流$i_{Bn}$。
   代入计算浓度梯度等，可得正向作用下$EM$模型：$$i_C=I_S{e}^{\frac{v_{BE}}{V_T}}$$基区流入电流$i_B=i_{Bn}+i_{BE}$，其中$i_{BE}$为$v_{BE}$正偏下空穴扩散电流，即上面的$i_{Ep}$。所以有：$$i_B=i_{Bn}+i_{BE}\approx i_{Bn}=\frac{i_C}{\beta }=\frac{I_S}{\beta }{e}^{\frac{v_{BE}}{V_T}}$$

B.反向饱和电流$I_S$
典型值为$10^{-14}\sim 10^{-15}A$

C.前提条件：正向作用区
$$\frac{v_{BE}}{V_T}>1,e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}\gg 1$$

（二）$v_{BE}$不变时——厄尔利效应

1. 基区宽度调制效应
   $n_p(0)$不变，$v_{CE}$增加某一$\Delta v_{CE}$时
   $\to$集电结反偏电压增大，导致基区有效宽度减小$\Delta W$
   $\to$$n_p(W-\Delta W)\approx 0$
   $\to$基区非平衡少子浓度梯度增大，曲线变陡（引起两方面结果）
   $\to$一方面：$i_C$与浓度梯度$\frac{d{n}_p(x)}{dx}$正相关，$i_C$增大$\Delta i_C$
   $\to$另一方面：$S$_曲线下方变小，复合电流$i_{Bn}$变小，$i_B$相应减小
   总结：$v_{CE}$增加引起$i_C$增加，从而使输出特性斜升。
   
2. 厄尔利效应
   相似三角形：$$\frac{\overline{i_C}}{V_A}=\frac{\Delta i_C}{\Delta v_{CE}}\approx \frac{\Delta i_C}{v_{CE}}$$得到：$$\Delta i_C=\overline{i_C}\frac{v_{CE}}{V_A}$$$v_{CE}$与$\Delta v_{CE}$不相等是由于饱和压降$V_{CE(sat)}$。
   $\overline{i_C}$为拐点对应电流，实际上是不受$v_{CE}$影响时的电流，可用 $\overline{i_C}=I_S{e}^{\frac{v_{BE}}{V_T}}$表示。
   $$i_C=\overline{i_C}+\Delta i_C=\overline{i_C}(1+\frac{v_{CE}}{V_A})=I_S{e}^{\frac{v_{BE}}{V_T}}(1+\frac{v_{CE}}{V_A})$$
   所以输出特性曲线向左延长线交于一点：$V_A$厄尔利电压，是描述共射BJT宽度调制效应的参数。
   $NPN$的$V_A$：$70\sim 130V$，典型值：$100V$

1.3.6 BJT小信号模型

一、概述
1.建模意义：非线性器件$⟶$线性化处理
2.问题界定：非线性电路实现线性放大。
3.模型条件：
（1）工作在放大区：需要外界合适的直流偏置。解释：在由放大区特性推出的$EM$大信号模型上取工作点，对非线性曲线线性处理。
（2）小信号：幅值$<10mV$的交流。解释：根据级数展开理论，此幅值导致误差小于10%。
二、四个参数

端口	参数名	计算	数量级（近似）
$i-i$	$r_{\pi }$	$\frac{\beta }{g_m}=\beta r_e$	$10^4$
$i-o$	$g_m$	$\frac{I_C}{V_T}$	$10^{-2}$
$o-i$	$r_{\mu }$	$\beta r_{ce}$	$10^8$
$o-o$	$r_{ce}$	$\frac{V_A}{I_C}$	$10^6$

1.3.7 频率特性

重要公式：$$f_T=\frac{1}{2\pi }\ast \frac{g_m}{C_{\pi }+C_{\mu }}$$