上篇补充:
目录
1 常用半导体器件
1.3 双极结型三极管(BJT)
思路
:【组成、工作原理(定性)】
⟶
定性到定量
\stackrel{定性到定量}{\longrightarrow}
⟶定性到定量【伏安特性曲线(测量法)】
⟶
器件建模
\stackrel{器件建模}{\longrightarrow}
⟶器件建模【大信号模型(EM+厄尔利)】
⟶
放大区模型
\stackrel{放大区模型}{\longrightarrow}
⟶放大区模型【小信号模型】
1.3.1 结构及类型
一、构成方式
- 发射区(发射载流子的区域)——掺杂浓度高,具有较小的电阻
- 基区——掺杂浓度低,很薄
- 集电区(收集载流子的区域)——中等掺杂浓度,面积很大
制造方式
:在N型区上面加一层B获得P型区,再在上面掺杂一层高浓度P改型成为N型区,形成三明治结构。故最上面的N型区掺杂浓度比下面的N型区高,上面的小区域为发射区,下面的大区域为集电区。
二、结构
三个区域、三个电极、两个PN结
符号:箭头指向N
1.3.2 电流放大的工作原理
一、放大
放大的根本:不能失真
二、基本共射放大电路
V
B
B
V_BB
VBB使发射结导通,加
R
b
R_b
Rb作为限流电阻(最大电流为
V
B
B
/
R
b
V_BB/R_b
VBB/Rb,不会击穿)
V
C
C
V_CC
VCC大于
V
B
B
V_BB
VBB,发射结正向偏置、集电结反偏
放大:
i
c
=
β
i
b
i_c=\beta i_b
ic=βib
i
c
i_c
ic的放大源自于
V
C
C
V_{CC}
VCC提供的能量
三、晶体管内部载流子的运动(放大基本原理)
共射接法为例
-
发射结正偏——扩散运动恢复
i E n i_{En} iEn:发射区大量自由电子向基区扩散
i E p i_{Ep} iEp:基区空穴向发射区扩散
由基尔霍夫电流定律,得到 i E = i E n + i E p i_E=i_{En}+i_{Ep} iE=iEn+iEp由于基区掺杂浓度很低,空穴数目很少,所以 i E n ≫ i E p i_{En} \gg i_{Ep} iEn≫iEp,有 i E ≈ i E n i_E\approx i_{En} iE≈iEn
扩散速度与PN结上加的正向电压正相关。 -
基区——扩散、复合、产生
i B = i B n + i E p − I C B O i_B=i_{Bn}+i_{Ep}-I_{CBO} iB=iBn+iEp−ICBO(1)大部分自由电子向集电极扩散:由于基区掺杂浓度低且很薄,扩散过来的非平衡少子比基区原来的多子浓度还高,与基区内空穴复合后还有大量自由电子继续向集电区扩散。
(2)小部分与基区空穴复合:“薄”和“掺杂浓度低”是保证自由电子顺利存活到集电区的两点原因
,决定了复合的百分比。
(3)为填补基区复合掉的空穴,从基极流入电流(自由电子流出) i B n i_{Bn} iBn:基区掺杂浓度不变,被复合掉的空穴会被来自基极电流的空穴填补,也就是有电子从基极流出。
i B i_B iB、 i C i_C iC比例固定(实际上是 i B n i_{Bn} iBn、 i C n i_{Cn} iCn比例固定)——三极管有放大功能原因:
(1)由于流向集电极和从基极流出的自由电子数目固定(基区结构不变)
(2)扩散速度不变(与浓度梯度有关)——移到集电结旁边的自由电子必须被迅速移走,才能保证浓度梯度。
若没有被迅速移走, i C i_C iC不会增大,但基区中被复合掉的空穴增多,需要填补的更多, i B i_B iB会增大。
- 集电结反偏——收集自由电子+漂移
i C = i C n + I C B O i_C=i_{Cn}+I_{CBO} iC=iCn+ICBO i C n i_{Cn} iCn:集电结反偏,电场作用吸入大量自由电子
I C B O I_{CBO} ICBO:反偏导致的漂移电流
四、放大系数
注意
:
i
E
i_E
iE流出,
i
B
i
C
i_Bi_C
iBiC流入
- 共射电流放大系数:
(1)直流放大系数 β ˉ = i C n i B n = i C − I C B O i B − i E p + I C B O ≈ i C i B \bar \beta=\frac{i_{Cn}}{i_{Bn}}=\frac{i_C-I_{CBO}}{i_B-i_{Ep}+I_{CBO}}\approx \frac{i_C}{i_B} βˉ=iBniCn=iB−iEp+ICBOiC−ICBO≈iBiC(2)交流放大系数 β = Δ i C Δ i B \beta=\frac{\Delta i_C}{\Delta i_B} β=ΔiBΔiC - 共基电流放大系数: α = i E i C = β ˉ 1 + β ˉ \alpha=\frac{i_E}{i_C}=\frac{\bar \beta}{1+\bar \beta} α=iCiE=1+βˉβˉ
- 穿透电流 I C E O I_{CEO} ICEO :基极开路时E和C极电流
- 反向电流 I C B O I_{CBO} ICBO
1.3.3 BJT伏安特性特性曲线
(研究共射接法)
定义输入回路、输出回路
:根据电路实际作用。比如本处为放大电路,则放大后的电流
i
C
i_C
iC所在回路为输出。
输入回路
:
i
B
i_B
iB
v
B
E
v_{BE}
vBE
输出回路
:
i
C
i_C
iC
v
C
E
v_{CE}
vCE
一、输入特性
i B = f ( v B E ) ∣ v C E = c o n s t i_B=f(v_{BE})|_{v_{CE}=const} iB=f(vBE)∣vCE=const
- 正向特点:
(1) v C E v_{CE} vCE越大曲线右移(基区宽度调制效应
导致): v C E v_{CE} vCE增大,集电区从基区吸收自由电子的能力增强, i B i_B iB会变小;为了维持 i B i_B iB不变,必须让更多的电子从发射区扩散到基区,需要更大的 v B E v_{BE} vBE。
(2) v C E ≥ 1 v v_{CE}\geq1v vCE≥1v,曲线基本不变:反偏电压足够大,已将大部分电子捕获,对 i B i_B iB影响不大。 - 反向特点:
反向电压达到一定值后发生齐纳击穿( S i Si Si平面NPN管:5~7V)
相应击穿电压: V ( B R ) E B O V_{(BR)EBO} V(BR)EBO
二、输出特性
i
C
=
f
(
v
C
E
)
∣
i
B
=
c
o
n
s
t
i_C=f(v_{CE})|_{i_B=const}
iC=f(vCE)∣iB=const
正向作用区(图1.3.3第一象限)分为三个作用区+一个击穿区。
- 饱和区:双结正偏
判断方法1
双结正偏。
判断方法2
β i B > i c m a x = V C C R C \beta i_B>i_{cmax}=\frac{V_{CC}}{R_C} βiB>icmax=RCVCC i B = V B B − v B E R b i_B=\frac{V_{BB}-v_{BE}}{R_b} iB=RbVBB−vBE通过上述两个式子判断是否在饱和区。
此处 i C i_C iC不受 i B i_B iB控制,且 v C E v_{CE} vCE非常小,两个PN结都正偏。
一些理解
:网课这里的讲解,是把相同 i B i_B iB下的 β \beta β当成一个固定值,所以在饱和区有 β i B > i C \beta i_B>i_C βiB>iC;教材中, β \beta β即定义为 i C i B i_C\ i_B iC iB之间关系,会随着 v C E v_{CE} vCE变化,始终有 β i B = i C \beta i_B=i_C βiB=iC。
(1)从外特性解释饱和:输出回路放大区中,假设 i B i_B iB不断加大, i C i_C iC也跟着不断加大,但由于 i C = V C C − v C E R c i_C=\frac{V_{CC}-v_{CE}}{R_c} iC=RcVCC−vCE,其最大值不会超过 V C C R c \frac{V_{CC}}{R_c} RcVCC。 i C i_C iC还有增加的空间是由于 v C E v_{CE} vCE还有缩小的空间,当 v C E v_{CE} vCE缩小到一定程度,进入饱和区,也即 i c = V C C R c i_c=\frac{V_{CC}}{R_c} ic=RcVCC。饱和区内, v C E v_{CE} vCE小,集电结正偏,相当于导体, V C C V_{CC} VCC相当于全加在 R c R_c Rc上。
(2)从内特性解释饱和:双结正偏,C和E间电压差很小,由外电路决定通过的电流 i C i_C iC。
-
放大区:发射结正偏,集电结反偏
v B E > 0 , i B > 0 , v C E ≥ v B E v_{BE}>0,\ i_B>0,\ v_{CE}\geq v_{BE} vBE>0, iB>0, vCE≥vBE
(1)共射BJT输出交流短路下的交流电流增益: β = i c i b ∣ d v C E = 0 \beta=\frac{i_c}{i_b}|_{dv_{CE}=0} β=ibic∣dvCE=0 表示输入电流增量对输出电流增量的控制作用。
(2)共射BJT在输入交流开路(输入置0)条件下的输出电阻: r c e = d v C E d i C ∣ d i B = 0 r_{ce}=\frac{dv_{CE}}{di_C}|_{di_B=0} rce=diCdvCE∣diB=0基区宽度调制效应
的外部表现: i B i_B iB不变时, i C i_C iC随 v C E v_{CE} vCE变化而斜升。 -
截止区:双结反偏
i C = I C B O , i B = − I C B O , i E = 0 i_C=I_{CBO},\ i_B=-I_{CBO},\ i_E=0 iC=ICBO, iB=−ICBO, iE=0,为满足 i E = 0 i_E=0 iE=0,发射结必须反偏。发射结反偏,则发射极电压高于基极,而由于 V C C V_{CC} VCC存在集电极电压高于发射极,故集电结也是反偏。 -
击穿区
i B = − I C B O i_B=-I_{CBO} iB=−ICBO对应的输出曲线相当于 i E = 0 i_E=0 iE=0的共基输出特性曲线。
集电结雪崩击穿(与输入特性曲线反向齐纳击穿区分)
应用
:改变基极电位,使之在饱和和截止之间来回跳变——制造电子开关
三、温度的影响
1.对输入特性
正向(发射结):温度升高曲线左移
反向(集电结):每10度翻一倍
2.对输出特性
温度高,
β
\beta
β变大;曲线微微上倾。
两个受温度影响
:
I
C
B
O
I_{CBO}
ICBO、
β
\beta
β
1.3.4 BJT主要参数
- 电流增益
α
\alpha
α、
β
\beta
β
α \alpha α共基, β \beta β共射, α = β 1 + β , β = α 1 − α \alpha=\frac{\beta}{1+\beta},\beta=\frac{\alpha}{1-\alpha} α=1+ββ,β=1−αα - 极间反向电流
I
C
B
O
I
C
E
O
I_{CBO}\ I_{CEO}
ICBO ICEO
温度越高,反向电流、穿透电流越大,BJT的工作稳定性越差。
温度每升高 1 0 ∘ C 10^{\circ}C 10∘C, I C E O I_{CEO} ICEO增大一倍。 - 极限参数
(1) I C M I_{CM} ICM集电极最大允许电流
β \beta β下降到2/3时所允许的最大集电极电流值
i C i_C iC增大到很大时, β \beta β值下降。 i C i_C iC增大到 I C M I_{CM} ICM时, β \beta β下降到原来的2/3。
(2) P C M P_{CM} PCM集电极最大允许功耗
(3)反向击穿电压 V ( B R ) C E O V ( B R ) C B O V_{(BR)CEO}\ V_{(BR)CBO} V(BR)CEO V(BR)CBO - 频率参数
f
T
f_T
fT
信号频率增大,结电容作用明显,使 β \beta β下降, β ( j w ) \beta(jw) β(jw)的幅值下降到1时对应的频率就是 f T f_T fT。
解释频率特性
X C = 1 2 π f X_C=\frac{1}{2\pi f} XC=2πf1,一定范围内,频率越大,结电容容抗越小,交流电流可以旁路, i B i_B iB直接经过 C π C_\pi Cπ流向 E E E极, C C C极电流减小, β \beta β下降。
注
:与笔记(4)中基本放大电路的通频带联系。
1.3.5 BJT大信号模型
大信号模型
:EM方程 + 厄尔利模型
一、
E
b
e
r
s
−
M
o
l
l
Ebers-Moll
Ebers−Moll 模型的普遍形式
i
C
=
I
s
(
e
v
B
E
V
T
−
1
)
−
I
S
α
R
(
e
v
B
C
V
T
−
1
)
i_C=I_s(e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}-1)-\frac{I_S}{\alpha_R}(e^{\frac{v_{BC}}{V_T}}-1)
iC=Is(eVTvBE−1)−αRIS(eVTvBC−1)
i
E
=
I
S
α
F
(
e
v
B
E
V
T
−
1
)
−
I
S
(
e
v
B
C
V
T
−
1
)
i_E=\frac{I_S}{\alpha_F}(e^\frac{v_{BE}}{V_T}-1)-I_S(e^{\frac{v_{BC}}{V_T}}-1)
iE=αFIS(eVTvBE−1)−IS(eVTvBC−1)
α
F
\alpha_F
αF:共基极正向电流传输系数
α
R
\alpha_R
αR:共基极反向电流传输系数
饱和时——BJT增益小
饱和区、截止区——脉冲数字电路的工作区
二、模型推导
对于放大电路,
i
C
i_C
iC与
v
B
E
(
v
C
E
)
v_{BE}(v_{CE})
vBE(vCE)及
i
B
i_B
iB与
v
B
E
v_{BE}
vBE关系式重要。故分别研究
v
C
E
v_{CE}
vCE、
v
B
E
v_{BE}
vBE不变时正向作用区的模型。
(一)
v
C
E
v_{CE}
vCE不变时——
E
M
EM
EM模型A. 非平衡少子的运动
非平衡少子
:理解为做漂移运动的多子
以发射结基区侧为原点、集电区方向为
x
x
x轴正方向建系如图。集电结基区侧位置横坐标为
x
=
W
x=W
x=W。
- N A N_A NA:P区掺杂浓度。
- n p ( 0 ) n_p(0) np(0):基区发射结边界处的非平衡少子(电子)浓度。漂移运动受电场影响,可知其与 v B E v_{BE} vBE关系: n p ( 0 ) = n p 0 e v B E V T n_p(0)=n_{p0}e^{\frac{v_{BE}}{V_T}} np(0)=np0eVTvBE n p 0 n_{p0} np0为P区的热平衡电子浓度。
-
n
p
(
W
)
n_p(W)
np(W):基区集电结边界处的少子浓度。
a. 基区宽度 W W W很窄 + + + 集电结场强对基区边缘电子有很强作用力 → \rightarrow → n p ( W ) ≈ 0 n_p(W)\approx 0 np(W)≈0;
b. 基区内多子与非平衡少子复合很少,非平衡少子在基区内的浓度分布几乎为一条直线!
→ \rightarrow → n p ( W ) = n p 0 e v B E V T ≈ 0 n_p(W)=n_{p0}e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}\approx 0 np(W)=np0eVTvBE≈0 -
p
p
(
x
)
p_p(x)
pp(x):
非平衡多子
(理解为做扩散运动的少子,此处指代为补充基区正电荷进入基区的电流 i B n i_{Bn} iBn)。
v B E > 0 v_{BE}>0 vBE>0时,发射结向基区注入电子,需要基极外电路提供正电荷维持基区电中性,成为非平衡多子 p p ( x ) p_p(x) pp(x)。
电中性要求
: N A + n p ( x ) = p p ( x ) N_A+n_p(x)=p_p(x) NA+np(x)=pp(x) 故 → \rightarrow → p p ( x ) p_p(x) pp(x)也为直线。 - 上述过程中,非平衡少子(电子)做两个运动。
一:沿浓度梯度在基区内扩散,被集电极收集形成 i C n i_{Cn} iCn;
二:复合形成基极电流 i B n i_{Bn} iBn。
代入计算浓度梯度等,可得正向作用下 E M EM EM模型: i C = I S e v B E V T i_C=I_S e^{\frac{v_{BE}}{V_T}} iC=ISeVTvBE基区流入电流 i B = i B n + i B E i_B=i_{Bn}+i_{BE} iB=iBn+iBE,其中 i B E i_{BE} iBE为 v B E v_{BE} vBE正偏下空穴扩散电流,即上面的 i E p i_{Ep} iEp。所以有: i B = i B n + i B E ≈ i B n = i C β = I S β e v B E V T i_B=i_{Bn}+i_{BE}\approx i_{Bn}=\frac{i_C}{\beta}=\frac{I_S}{\beta}e^{\frac{v_{BE}}{V_T}} iB=iBn+iBE≈iBn=βiC=βISeVTvBE
B.反向饱和电流
I
S
I_S
IS
典型值为
1
0
−
14
∼
1
0
−
15
A
10^{-14}\sim 10^{-15}A
10−14∼10−15A
C.前提条件:正向作用区
v
B
E
V
T
>
1
,
e
v
B
E
V
T
≫
1
\frac{v_{BE}}{V_T}>1,\ e^{\frac{v_{BE}}{V_T}}\gg1
VTvBE>1, eVTvBE≫1
(二) v B E v_{BE} vBE不变时——厄尔利效应
- 基区宽度调制效应
n p ( 0 ) n_p(0) np(0)不变, v C E v_{CE} vCE增加某一 Δ v C E \Delta v_{CE} ΔvCE时
→ \rightarrow →集电结反偏电压增大,导致基区有效宽度减小 Δ W \Delta W ΔW
→ \rightarrow → n p ( W − Δ W ) ≈ 0 n_p(W-\Delta W)\approx 0 np(W−ΔW)≈0
→ \rightarrow →基区非平衡少子浓度梯度增大,曲线变陡(引起两方面结果)
→ \rightarrow →一方面
: i C i_C iC与浓度梯度 d n p ( x ) d x \frac{dn_p(x)}{dx} dxdnp(x)正相关, i C i_C iC增大 Δ i C \Delta i_C ΔiC
→ \rightarrow →另一方面
: S S S曲线下方变小,复合电流 i B n i_{Bn} iBn变小, i B i_B iB相应减小
总结: v C E v_{CE} vCE增加引起 i C i_C iC增加,从而使输出特性斜升。
- 厄尔利效应
相似三角形: i C ‾ V A = Δ i C Δ v C E ≈ Δ i C v C E \frac{\overline{i_C}}{V_A}=\frac{\Delta i_C}{\Delta v_{CE}}\approx\frac{\Delta i_C}{v_{CE}} VAiC=ΔvCEΔiC≈vCEΔiC得到: Δ i C = i C ‾ v C E V A \Delta i_C=\overline{i_C}\frac{v_{CE}}{V_A} ΔiC=iCVAvCE v C E v_{CE} vCE与 Δ v C E \Delta v_{CE} ΔvCE不相等是由于饱和压降 V C E ( s a t ) V_{CE(sat)} VCE(sat)。
i C ‾ \overline{i_C} iC为拐点对应电流,实际上是不受 v C E v_{CE} vCE影响时的电流,可用 i C ‾ = I S e v B E V T \overline{i_C}=I_Se^{\frac{v_{BE}}{V_T}} iC=ISeVTvBE表示。
i C = i C ‾ + Δ i C = i C ‾ ( 1 + v C E V A ) = I S e v B E V T ( 1 + v C E V A ) i_C=\overline{i_C}+\Delta i_C=\overline{i_C}(1+\frac{v_{CE}}{V_A})=I_Se^{\frac{v_{BE}}{V_T}}(1+\frac{v_{CE}}{V_A}) iC=iC+ΔiC=iC(1+VAvCE)=ISeVTvBE(1+VAvCE)
所以输出特性曲线向左延长线交于一点: V A V_A VA厄尔利电压,是描述共射BJT宽度调制效应的参数。
N P N NPN NPN的 V A V_A VA: 70 ∼ 130 V 70\sim 130V 70∼130V,典型值: 100 V 100V 100V
1.3.6 BJT小信号模型
一、概述
1.建模意义:非线性器件
⟶
\stackrel{}{\longrightarrow}
⟶线性化处理
2.问题界定:非线性电路实现线性放大。
3.模型条件:
(1)工作在放大区:需要外界合适的直流偏置。解释
:在由放大区特性推出的
E
M
EM
EM大信号模型上取工作点,对非线性曲线线性处理。
(2)小信号:幅值
<
10
m
V
<10mV
<10mV的交流。解释
:根据级数展开理论,此幅值导致误差小于10%。
二、四个参数
端口 | 参数名 | 计算 | 数量级(近似) |
---|---|---|---|
i − i i-i i−i | r π r_\pi rπ | β g m = β r e \frac{\beta}{g_m}=\beta r_e gmβ=βre | 1 0 4 10^4 104 |
i − o i-o i−o | g m g_m gm | I C V T \frac{I_C}{V_T} VTIC | 1 0 − 2 10^{-2} 10−2 |
o − i o-i o−i | r μ r_\mu rμ | β r c e \beta r_{ce} βrce | 1 0 8 10^8 108 |
o − o o-o o−o | r c e r_{ce} rce | V A I C \frac{V_A}{I_C} ICVA | 1 0 6 10^6 106 |
1.3.7 频率特性
重要公式: f T = 1 2 π ∗ g m C π + C μ f_T=\frac{1}{2\pi}*\frac{g_m}{C_\pi+C_\mu} fT=2π1∗Cπ+Cμgm