【模电笔记(4)】基本放大电路（构成原理、性能指标、三种组态、两种分析方法）

【模电笔记(1)】PN结、二极管、错题整理
【模电笔记(2)】半导体基础（三极管）

MOS JFET期中不考，就不写了:）
补充：温度影响的三个指标

1. $\beta$：温度系数为正$$c=\frac{1}{\beta }\frac{d\beta }{dT}\approx (0.5\sim 1.0)\%{/}^{\circ }C$$
2. $V_{BE}$：温度系数为负，接近常数$$\frac{\Delta V_{BE}}{\Delta T}\approx -2.1mT{/}^{\circ }C$$
3. $I_{CBO}$：指数规律变化$$I_{CBO}(T)=I_{CBO}(T_0)\ast 2^{\frac{T-T_0}{10}}$$

第二章 基本放大电路

2.1 放大电路的构成

2.1.1 放大的概念

1. 特征：功率放大
2. 本质：能量的控制
3. 必须条件：有源元件：小信号输入控制大信号（能量是外接电源给的）
4. 放大的前提：保真
5. 测试的信号：正弦波（任意波形可以分解为多个频率正弦波的叠加）

2.1.2 基本放大电路

一、目标：小功率信号——大功率
二、条件
（1）有源器件
（2）电源
三、共射放大电路

1. 晶体三极管——工作在放大状态下（发正集反）
   使得$i_B$控制$i_C$（实际上控制$E_C$输出的大电流，获得大功率 $P=E_C\ast i_C$）
2. 小信号——控制$i_B(v_{BE})$
   将小交流信号用直流抬起来。若不抬起来，交流电源产生的交流电流有负值，而二极管有单向导电性，无法导通，抬起之后都是正值，可以导通。
3. 合理的输出——如何得到经过放大的交流？
   将交流电流变成电压信号输出——使电流流经电阻$R_C$，再从$R_C$两端取出电压信号。

四、放大电路

1. 直接耦合
   上面”技术路线“中，有$V_{BB}$、$V_{CC}$两套电源系统，现修改成一套：假设$V_{BB}=V_{CC}$，此时可以通过调节$R_B{R}_C$阻值使满足三极管处于正向放大区。从而电路变成：
   但是输入端口两端电压仍为$u_i$，未实现直流交流共同作用。再添加电阻如下：此时，$a$点电位由（1）$u_i$（2）$V_{CC}$ 两者叠加。将上图中$E_C$画成$V_{CC}$的形式。
   得到直接耦合共射放大电路：
   
   耦合：信号在电路间的传递
   直接耦合：输入信号和输出信号在放大电路中的传递不经过其他结构。只有直接耦合能放大直流信号或者处理缓慢变化（低频）的信号，阻容会隔直。
   或连成串联分压式（先假装没有电容）：
   

2. 阻容耦合
   前提：交流小信号频率较高，电容容抗很小，对交流相当于短路。
   下图($b$)中带正负的电容为电解电容。
   
   直接耦合电路中，输出给$R_L$的电压为 “直流+交流” ，想实现输入输出都为纯交流：
   $R_{b1}$换成电容$C_1$：
   （1）使得直流只能通过$be$间，使发射结正向导通；阻碍直流往交流输入上拐弯，减小损耗。
   （2）交流可以越过电容正常输入。
   输出通过电容$C_2$：
   （1）滤去直流
   （2）对前端进行戴维南等效：可以等效为 “直流电源+交流小信号+$R_0$+电容+$R_L$” 串联，从$R_L$两端获取输出电压$u_o$，为交流。（高通滤波器）

五、工作原理（以阻容耦合为例）

1. 交流为0时——直流通路：电容相当于断路
   
2. 交流不为0时——直流+交流
   注意：$v_{CE}=V_{CC}-i_C\ast R_C$，故$v_{CE}$与$i_C$反相。

2.2 放大电路的性能和指标

三个基本指标：输入电阻（评价对信号源汲取能力）、输出电阻（评价对负载带载能力）、放大倍数（功率、电压、电流增益）
（以共射为例）

2.2.1 大信号特性

直流通路：去除交流。求出静态工作点，即其$I_C{I}_D$。

1. 截止区：$$v_o=V_{CC}$$$v_i$很小，双结反偏，三极管处于截至区，BC间无电流，$i_C=0$。
2. 正向作用区：$$v_o=V_{CC}-i_C{R}_C=V_{CC}-I_S{e}^{\frac{v_{BE}}{V_T}}{R}_C$$放大区中，最陡点$Q$效果最好，放大区边缘容易失真。
3. 饱和区：$$v_o=V_{CE(sat)}$$$v_i$很大，基极电压高于$R_C$下端电压，发射结正偏，集电结反偏。饱和电流极小。

截至区+饱和区：制作数字开关。

2.2.2 小信号（微变）等效分析

1. 小信号分析条件：
   （1）直流偏置电路使管子处于放大区
   （2）加交流小信号（加交流大信号时，使用图解法）
2. 交流通路构造：
   （1）直流电源相当于交流地，$R_b{R}_c$翻下来
   （2）电容相当于通路（中频下，大电容短路，小电容开路）
3. 微变等效电路构造：
   将$BJT$小信号$\pi$型等效模型换进交流通路三极管位置，获得微变等效电路。
   
   替换前：三极管 $\stackrel{对应}{⟶}$ 微变等效模型
   替换：将三极管微变等效模型放入交流通路的三极管处
   替换后：交流通路 $\stackrel{对应}{⟶}$ 微变等效电路
   （从非线性变为线性，可以进行戴维南等效）

对微变等效电路做戴维南等效
前提：戴维南等效只能应用于线性网络，非线性电路用线性器件替代，得到戴维南等效示意图

说明：$R_S$为电源内阻

一、输入电阻$R_i$
1.从输入端口$A$、$D$两点看进去的等效电阻（交流电阻）。$$R_i=\frac{v_i}{i_i}=\frac{i_i(r_{b{b}^{\prime }}+r_{\pi })//R_b}{i_i}=r_{be}//R_b=R_i^{\prime }//R_b$$
2.当前端信号源是电压型时，输入电阻越大越好。（两点原因）
（1）$v_i=\frac{R_i\ast V_s}{R_S+R_i}$，串联分压多，提高对前端信号源的汲取能力。
（2）通过减小电流，减小信号源功率输出。解释：$V_s$为一理想电压源（功率无穷大），实际做不到，应减小电源功率输出，防止信号失真。

二、输出电阻$R_o$
1.从输出端口$F$、$D$两点看进去的等效交流（动态）电阻。$$R_o=\frac{v_o}{i_o}{|}_{R_L=\infty ,V_S=0}$$注意：输出电阻有边界条件，相当于负载开路，二端口网络内部电流源置零，此时$v_i=0$，受控电流源电流为0，故下式$KCL$中无受控电源项。$$R_o=\frac{v_o}{i_o}=\frac{v_o}{\frac{v_o}{R_c}+\frac{v_o}{r_{ce}}}=r_{ce}//R_c=R_o^{\prime }//R_c$$
2.输出电阻越小越好，$R_o$越小，$v_o$变化越小，稳定。

输入电阻很大——只需要电流很小的信号即可得到很高电压——降低信号源负担
输出电阻很小——输出电压不变情况下，得到很大的电流——大电流容易推动负载工作

三、放大倍数

1. 功率增益
   $$A_p=\frac{P_o}{P_i}$$$A_p>1$时——放大器
2. 电压增益
   （1）电压增益$$A_v=\frac{v_o}{v_i}$$
   （2）源电压增益（分压）$$A_{vs}=\frac{v_o}{v_s}=\frac{R_i}{R_i+R_s}{A}_v$$
3. 电流增益
   （1）电流增益$$A_i=\frac{i_o}{i_i}$$
   （2）源电流增益（分流）$$A_{is}=\frac{i_o}{i_s}=\frac{R_s}{R_i+R_s}{A}_i$$
   说明：增益常用分贝表示。
   $$A_p(dB)=10lg{A}_p,A_v(dB)=20lg{A}_v,A_i(dB)=20lg{A}_i$$

2.2.3 放大电路组态

$BJT$	$MOS$ 或 $JFET$
共射$CE$	共源$CS$
共基$CB$	共栅$CG$
共集$CC$	共漏$CD$

1. 共射组态：B进C出
   

2. 共基组态：E进C出
   
   计算不同电阻时有不同近似。这里，计算输入电阻$R_i^{{}^{\prime }}$时，忽略$r_{ce}$；计算输出电阻$R_o^{{}^{\prime }}$时，不能忽略$r_{ce}$。
   我觉得是因为计算$R_i^{{}^{\prime }}$时，$r_{ce}$作为$r_{be}$的并联电阻，而计算$R_o^{{}^{\prime }}$时，$r_{ce}$串联。

3. 共集组态（随射器）：B进E出
   
   放大倍数$\alpha =\frac{\beta }{\beta +1}<1$

4. 三种组态对比
   

2.2.4 放大电路主要性能指标

一、放大倍数、输入电阻、输出电阻

二、最大输出幅度$V_{omax}$

1. 一般表示为：交流有效值
2. 峰峰值表示：$2\sqrt{2}\ast$有效值

三、非线性失真

1. 实质：输出端产生输入端没有的谐波分量
2. 非线性系数：$$D=\sqrt{\frac{P_{o1}+P_{o2}+...}{P_{o1}}}$$

四、通频带

过低频、过高频，下降到放大倍数0.7倍

五、最大输出功率与效率

1. $P_{OM}$：不失真前提下，供给负载的最大交变功率。
2. 效率：$$\eta =\frac{P_{OM}}{P_E}$$$P_E$为直流电源功率。

2.3 放大电路的分析方法

分析方法：（1）图解法（2）等效电路法
解耦：（1）直流分析（2）交流分析

2.3.1 图解法

一、步骤


二、两种失真

1. 饱和失真（Q点偏上，靠近饱和区）
   （1）对于电流，顶部失真
   （2）对于电压，底部失真
2. 截止失真（Q点偏下，靠近截止区）
   （1）对于电流，底部失真
   （2）对于电压，顶部失真

三、改变$Q$

1. 改变斜率——$R_c$，比如$Q_1\to Q_2$
   改变横轴截距——$V_{CC}$
   沿直流负载线上下移动——$R_b$
2. 比较更容易截止失真/饱和失真
   （1）截止：比较到截止电压范围，$Q_1:4v\sim 9v$，$Q_2:6v\sim 9v$，$Q_2$更容易截止失真。
   （2）饱和：$V_{CE(sat)}\approx 0$，比较各点横坐标到零点距离。
   

2.3.2 等效法

一、直流等效模型——求静态工作点$Q$

重要：计算时，先假设$I_C=\beta I_B$。一定验证$v_{CE}$，看是否满足之前的假设$I_C=\beta I_B$，即管子处于放大区。
三种常用偏置电路

二、交流分析——BJT交流小信号等效模型
由$Q$计算模型参数，进而计算指标。

错题整理

$A_v=-\frac{\beta R_L^{{}^{\prime }}}{r_{be}}$，与输入电阻和输出电阻有关。
负载开路——带载能力无关紧要，不必比较，故不比较输出电阻。
强调具有内阻的信号源，比较对信号源的汲取能力，考虑输入电阻。故选B。

$$I_B=\frac{V_{CC}-V_{BE}}{R_b}$$$$V_{CE}=V_{CC}-\beta \ast I_B\ast R_e$$或者从输入特性曲线看：$i_B$增大，温度没有变化，故$V_{BE}$基本不变，为保持$V_{BE}$不变，输入特性曲线左移，故$V_{CE}$减小。

共射放大电路$\beta$与$A_v$的关系：$A_v=-\frac{\beta R_L^{{}^{\prime }}}{r_{be}}=-\beta R_L^{{}^{\prime }}\frac{I_C}{\beta V_T}=-\frac{\beta I_B{R}_L^{{}^{\prime }}}{V_T}$

$R_e$增大，$A_v$减小，$R_i$不变，静态电流减弱$$A_v=-\frac{\beta R_L^{{}^{\prime }}}{r_{be}}=-\beta R_L^{{}^{\prime }}\frac{I_C}{\beta V_T}=-\frac{\beta I_B{R}_L^{{}^{\prime }}}{V_T}$$$$I_B=\frac{\frac{R_{b1}}{R_{b1}+R_{b2}}{V}_{CC}-V_{be}}{R_e}$$

在交流通路下，计算输入电阻，此时$C_e$相当于短路，$R_e$被旁路掉。
且要注意计算输出电阻时，拆掉$R_L$，并忽略过大的$r_{ce}$。

温度能产生三方面影响
$T$升高，$\beta$变大，$v_{BE}$变小，$I_{CBO}$变大（从而$I_C$变大）。
从两个角度考虑本题。
$$V_{CE}=V_{CC}-I_C\ast R_c=V_{CC}-\beta \ast R_c\ast \frac{V_{CC}-V_{BE}}{R_b}$$
温度升高，$\beta$变大，$v_{BE}$变小，都使$V_{CE}$变小。故本题增大。

考虑饱和失真、截止失真时，应归结到电压上。
温度升高，$\beta$增大，$V_{BE}$减小，$I_B$略微增大，$I_C$增大，$A_v=-\frac{\beta I_B{R}_L^{{}^{\prime }}}{V_T}$增大，三极管集电极端电压$V_C=V_{CC}-I_C\ast R_c$减小，集电结反偏电压减小，输入的交流信号上半周容易卡住，故易发生饱和失真。

a：交流基极接地，不放大；
e：基极、$V_{CC}$间无电阻，没有静态工作点设置
只有d是直接耦合