【模电笔记(1)】PN结、二极管、错题整理
【模电笔记(2)】半导体基础(三极管)
MOS JFET期中不考,就不写了:)
补充:温度影响的三个指标
- β \beta β:温度系数为正 c = 1 β d β d T ≈ ( 0.5 ∼ 1.0 ) % / ∘ C c=\frac{1}{\beta}\frac{d\beta}{dT}\approx(0.5\sim1.0) \%/^\circ C c=β1dTdβ≈(0.5∼1.0)%/∘C
- V B E V_{BE} VBE:温度系数为负,接近常数 Δ V B E Δ T ≈ − 2.1 m T / ∘ C \frac{\Delta V_{BE}}{\Delta T}\approx-2.1mT/^\circ C ΔTΔVBE≈−2.1mT/∘C
- I C B O I_{CBO} ICBO:指数规律变化 I C B O ( T ) = I C B O ( T 0 ) ∗ 2 T − T 0 10 I_{CBO}(T)=I_{CBO}(T_0)*2^{\frac{T-T_0}{10}} ICBO(T)=ICBO(T0)∗210T−T0
目录
第二章 基本放大电路
2.1 放大电路的构成
2.1.1 放大的概念
- 特征:功率放大
- 本质:能量的控制
- 必须条件:有源元件:小信号输入控制大信号(能量是外接电源给的)
- 放大的前提:保真
- 测试的信号:正弦波(任意波形可以分解为多个频率正弦波的叠加)
2.1.2 基本放大电路
一、目标:小功率信号——大功率
二、条件
(1)有源器件
(2)电源
三、共射放大电路
- 晶体三极管——工作在放大状态下(发正集反)
使得 i B i_B iB控制 i C i_C iC(实际上控制 E C E_C EC输出的大电流,获得大功率 P = E C ∗ i C P=E_C*i_C P=EC∗iC) - 小信号——控制
i
B
(
v
B
E
)
i_B(v_{BE})
iB(vBE)
将小交流信号用直流抬起来。若不抬起来,交流电源产生的交流电流有负值,而二极管有单向导电性,无法导通,抬起之后都是正值,可以导通。 - 合理的输出——如何得到经过放大的交流?
将交流电流变成电压信号输出——使电流流经电阻 R C R_C RC,再从 R C R_C RC两端取出电压信号。
四、放大电路
-
直接耦合
上面”技术路线“中,有 V B B V_{BB} VBB、 V C C V_{CC} VCC两套电源系统,现修改成一套:假设 V B B = V C C V_{BB}=V_{CC} VBB=VCC,此时可以通过调节 R B R C R_B\ R_C RB RC阻值使满足三极管处于正向放大区。从而电路变成:
但是输入端口两端电压仍为 u i u_i ui,未实现直流交流共同作用。再添加电阻如下:
此时, a a a点电位由(1) u i u_i ui(2) V C C V_{CC} VCC 两者叠加。将上图中 E C E_C EC画成 V C C V_{CC} VCC的形式。
得到直接耦合共射放大电路:
耦合
:信号在电路间的传递
直接耦合
:输入信号和输出信号在放大电路中的传递不经过其他结构。只有直接耦合能放大直流信号或者处理缓慢变化(低频)的信号,阻容会隔直。
或连成串联分压式(先假装没有电容):
-
阻容耦合
前提
:交流小信号频率较高,电容容抗很小,对交流相当于短路。
下图( b b b)中带正负的电容为电解电容。
直接耦合电路中,输出给 R L R_L RL的电压为 “直流+交流” ,想实现输入输出都为纯交流:
R b 1 R_{b1} Rb1换成电容 C 1 C_1 C1:
(1)使得直流只能通过 b e be be间,使发射结正向导通;阻碍直流往交流输入上拐弯,减小损耗。
(2)交流可以越过电容正常输入。
输出通过电容 C 2 C_2 C2:
(1)滤去直流
(2)对前端进行戴维南等效:可以等效为 “直流电源+交流小信号+ R 0 R_0 R0+电容+ R L R_L RL” 串联,从 R L R_L RL两端获取输出电压 u o u_o uo,为交流。(高通滤波器)
五、工作原理(以阻容耦合为例)
- 交流为0时——直流通路:电容相当于断路
- 交流不为0时——直流+交流
注意
: v C E = V C C − i C ∗ R C v_{CE}=V_{CC}-i_C*R_C vCE=VCC−iC∗RC,故 v C E v_{CE} vCE与 i C i_C iC反相。
2.2 放大电路的性能和指标
三个基本指标:输入电阻(评价对信号源汲取能力)、输出电阻(评价对负载带载能力)、放大倍数(功率、电压、电流增益)
(以共射为例)
2.2.1 大信号特性
直流通路:去除交流。求出静态工作点,即其
I
C
I
D
I_C\ I_D
IC ID。
- 截止区: v o = V C C v_o=V_{CC} vo=VCC v i v_i vi很小,双结反偏,三极管处于截至区,BC间无电流, i C = 0 i_C=0 iC=0。
- 正向作用区: v o = V C C − i C R C = V C C − I S e v B E V T R C v_o=V_{CC}-i_CR_C=V_{CC}-I_Se^{\frac{v_{BE}}{V_T}}R_C vo=VCC−iCRC=VCC−ISeVTvBERC放大区中,最陡点 Q Q Q效果最好,放大区边缘容易失真。
- 饱和区: v o = V C E ( s a t ) v_o=V_{CE(sat)} vo=VCE(sat) v i v_i vi很大,基极电压高于 R C R_C RC下端电压,发射结正偏,集电结反偏。饱和电流极小。
截至区+饱和区
:制作数字开关。
2.2.2 小信号(微变)等效分析
- 小信号分析条件:
(1)直流偏置电路使管子处于放大区
(2)加交流小信号(加交流大信号时,使用图解法) - 交流通路构造:
(1)直流电源相当于交流地, R b R c R_b\ R_c Rb Rc翻下来
(2)电容相当于通路(中频下,大电容短路,小电容开路) - 微变等效电路构造:
将 B J T BJT BJT小信号 π \pi π型等效模型换进交流通路三极管位置,获得微变等效电路。
替换前:三极管 ⟶ 对应 \stackrel{对应}{\longrightarrow} ⟶对应 微变等效模型
替换:将三极管微变等效模型放入交流通路的三极管处
替换后:交流通路 ⟶ 对应 \stackrel{对应}{\longrightarrow} ⟶对应 微变等效电路
(从非线性变为线性,可以进行戴维南等效)
对微变等效电路做戴维南等效
前提
:戴维南等效只能应用于线性网络,非线性电路用线性器件替代,得到戴维南等效示意图
说明
:
R
S
R_S
RS为电源内阻
一、输入电阻
R
i
R_i
Ri
1.从输入端口
A
A
A、
D
D
D两点看进去的等效电阻(交流电阻)。
R
i
=
v
i
i
i
=
i
i
(
r
b
b
′
+
r
π
)
/
/
R
b
i
i
=
r
b
e
/
/
R
b
=
R
i
′
/
/
R
b
R_i=\frac{v_i}{i_i}=\frac{i_i(r_{bb'}+r_{\pi})//R_b}{i_i}=r_{be}//R_b=R'_i//R_b
Ri=iivi=iiii(rbb′+rπ)//Rb=rbe//Rb=Ri′//Rb
2.当前端信号源是电压型时,输入电阻越大越好。(两点原因)
(1)
v
i
=
R
i
∗
V
s
R
S
+
R
i
v_i=\displaystyle\frac{R_i*V_s}{R_S+R_i}
vi=RS+RiRi∗Vs,串联分压多,提高对前端信号源的汲取能力。
(2)通过减小电流,减小信号源功率输出。解释
:
V
s
V_s
Vs为一理想电压源(功率无穷大),实际做不到,应减小电源功率输出,防止信号失真。
二、输出电阻
R
o
R_o
Ro
1.从输出端口
F
F
F、
D
D
D两点看进去的等效交流(动态)电阻。
R
o
=
v
o
i
o
∣
R
L
=
∞
,
V
S
=
0
R_o=\frac{v_o}{i_o}|_{R_L=\infin,\ V_S=0}
Ro=iovo∣RL=∞, VS=0注意
:输出电阻有边界条件,相当于负载开路,二端口网络内部电流源置零,此时
v
i
=
0
v_i=0
vi=0,受控电流源电流为0,故下式
K
C
L
KCL
KCL中无受控电源项。
R
o
=
v
o
i
o
=
v
o
v
o
R
c
+
v
o
r
c
e
=
r
c
e
/
/
R
c
=
R
o
′
/
/
R
c
R_o=\frac{v_o}{i_o}=\frac{v_o}{\frac{v_o}{R_c}+\frac{v_o}{r_{ce}}}=r_{ce}//R_c=R'_o//R_c
Ro=iovo=Rcvo+rcevovo=rce//Rc=Ro′//Rc
2.输出电阻越小越好,
R
o
R_o
Ro越小,
v
o
v_o
vo变化越小,稳定。
输入电阻很大——只需要电流很小的信号即可得到很高电压——降低信号源负担
输出电阻很小——输出电压不变情况下,得到很大的电流——大电流容易推动负载工作
三、放大倍数
- 功率增益
A p = P o P i A_p=\frac{P_o}{P_i} Ap=PiPo A p > 1 A_p>1 Ap>1时——放大器 - 电压增益
(1)电压增益 A v = v o v i A_v=\frac{v_o}{v_i} Av=vivo
(2)源电压增益(分压) A v s = v o v s = R i R i + R s A v A_{vs}=\frac{v_o}{v_s}=\frac{R_i}{R_i+R_s}A_v Avs=vsvo=Ri+RsRiAv - 电流增益
(1)电流增益 A i = i o i i A_i=\frac{i_o}{i_i} Ai=iiio
(2)源电流增益(分流) A i s = i o i s = R s R i + R s A i A_{is}=\frac{i_o}{i_s}=\frac{R_s}{R_i+R_s}A_i Ais=isio=Ri+RsRsAi
说明
:增益常用分贝表示。
A p ( d B ) = 10 l g A p , A v ( d B ) = 20 l g A v , A i ( d B ) = 20 l g A i A_p(dB)=10lgA_p,\ A_v(dB)=20lgA_v,\ A_i(dB)=20lgA_i Ap(dB)=10lgAp, Av(dB)=20lgAv, Ai(dB)=20lgAi
2.2.3 放大电路组态
B J T BJT BJT | M O S MOS MOS 或 J F E T JFET JFET |
---|---|
共射 C E CE CE | 共源 C S CS CS |
共基 C B CB CB | 共栅 C G CG CG |
共集 C C CC CC | 共漏 C D CD CD |
-
共射组态:B进C出
-
共基组态:E进C出
计算不同电阻时有不同近似。这里,计算输入电阻 R i ′ R_i^{'} Ri′时,忽略 r c e r_{ce} rce;计算输出电阻 R o ′ R_o^{'} Ro′时,不能忽略 r c e r_{ce} rce。
我觉得是因为计算 R i ′ R_i^{'} Ri′时, r c e r_{ce} rce作为 r b e r_{be} rbe的并联电阻,而计算 R o ′ R_o^{'} Ro′时, r c e r_{ce} rce串联。 -
共集组态(随射器):B进E出
放大倍数 α = β β + 1 < 1 \alpha=\frac{\beta}{\beta+1}<1 α=β+1β<1 -
三种组态对比
2.2.4 放大电路主要性能指标
一、放大倍数、输入电阻、输出电阻
二、最大输出幅度 V o m a x V_{omax} Vomax
- 一般表示为:交流有效值
- 峰峰值表示: 2 2 ∗ 2\sqrt2* 22∗有效值
三、非线性失真
- 实质:输出端产生输入端没有的谐波分量
- 非线性系数: D = P o 1 + P o 2 + . . . P o 1 D=\sqrt\frac{P_{o1}+P_{o2}+...}{P_{o1}} D=Po1Po1+Po2+...
四、通频带
过低频、过高频,下降到放大倍数0.7倍
五、最大输出功率与效率
- P O M P_{OM} POM:不失真前提下,供给负载的最大交变功率。
- 效率: η = P O M P E \eta=\frac{P_{OM}}{P_E} η=PEPOM P E P_E PE为直流电源功率。
2.3 放大电路的分析方法
分析方法:(1)图解法(2)等效电路法
解耦:(1)直流分析(2)交流分析
2.3.1 图解法
一、步骤
二、两种失真
- 饱和失真(Q点偏上,靠近饱和区)
(1)对于电流,顶部失真
(2)对于电压,底部失真 - 截止失真(Q点偏下,靠近截止区)
(1)对于电流,底部失真
(2)对于电压,顶部失真
三、改变
Q
Q
Q
- 改变斜率——
R
c
R_c
Rc,比如
Q
1
→
Q
2
Q_1\rightarrow Q_2
Q1→Q2
改变横轴截距—— V C C V_{CC} VCC
沿直流负载线上下移动—— R b R_b Rb - 比较更容易截止失真/饱和失真
(1)截止:比较到截止电压范围, Q 1 : 4 v ∼ 9 v Q_1:\ 4v\sim 9v Q1: 4v∼9v, Q 2 : 6 v ∼ 9 v Q_2:\ 6v\sim 9v Q2: 6v∼9v, Q 2 Q_2 Q2更容易截止失真。
(2)饱和: V C E ( s a t ) ≈ 0 V_{CE(sat)}\approx 0 VCE(sat)≈0,比较各点横坐标到零点距离。
2.3.2 等效法
一、直流等效模型——求静态工作点 Q Q Q
重要
:计算时,先假设
I
C
=
β
I
B
I_C=\beta I_B
IC=βIB。一定验证
v
C
E
v_{CE}
vCE,看是否满足之前的假设
I
C
=
β
I
B
I_C=\beta I_B
IC=βIB,即管子处于放大区。
三种常用偏置电路
二、交流分析——BJT交流小信号等效模型
由
Q
Q
Q计算模型参数,进而计算指标。
错题整理
A
v
=
−
β
R
L
′
r
b
e
A_v=-\frac{\beta R_L^{'}}{r_{be}}
Av=−rbeβRL′,与输入电阻和输出电阻有关。
负载开路——带载能力无关紧要,不必比较,故不比较输出电阻。
强调具有内阻的信号源,比较对信号源的汲取能力,考虑输入电阻。故选B。
I
B
=
V
C
C
−
V
B
E
R
b
I_B=\frac{V_{CC}-V_{BE}}{R_b}
IB=RbVCC−VBE
V
C
E
=
V
C
C
−
β
∗
I
B
∗
R
e
V_{CE}=V_{CC}-\beta*I_B*R_e
VCE=VCC−β∗IB∗Re或者从输入特性曲线看:
i
B
i_B
iB增大,温度没有变化,故
V
B
E
V_{BE}
VBE基本不变,为保持
V
B
E
V_{BE}
VBE不变,输入特性曲线左移,故
V
C
E
V_{CE}
VCE减小。
共射放大电路
β
\beta
β与
A
v
A_v
Av的关系:
A
v
=
−
β
R
L
′
r
b
e
=
−
β
R
L
′
I
C
β
V
T
=
−
β
I
B
R
L
′
V
T
A_v=-\frac{\beta R_L^{'}}{r_{be}}=-\beta R_L^{'}\frac{I_C}{\beta V_T}=-\frac{\beta I_B R_L^{'}}{V_T}
Av=−rbeβRL′=−βRL′βVTIC=−VTβIBRL′
R
e
R_e
Re增大,
A
v
A_v
Av减小,
R
i
R_i
Ri不变,静态电流减弱
A
v
=
−
β
R
L
′
r
b
e
=
−
β
R
L
′
I
C
β
V
T
=
−
β
I
B
R
L
′
V
T
A_v=-\frac{\beta R_L^{'}}{r_{be}}=-\beta R_L^{'}\frac{I_C}{\beta V_T}=-\frac{\beta I_B R_L^{'}}{V_T}
Av=−rbeβRL′=−βRL′βVTIC=−VTβIBRL′
I
B
=
R
b
1
R
b
1
+
R
b
2
V
C
C
−
V
b
e
R
e
I_B=\frac{\frac{R_{b1}}{R_{b1}+R_{b2}}V_{CC}-V_{be}}{R_e}
IB=ReRb1+Rb2Rb1VCC−Vbe
在交流通路下,计算输入电阻,此时
C
e
C_e
Ce相当于短路,
R
e
R_e
Re被旁路掉。
且要注意计算输出电阻时,拆掉
R
L
R_L
RL,并忽略过大的
r
c
e
r_{ce}
rce。
温度能产生三方面影响
T
T
T升高,
β
\beta
β变大,
v
B
E
v_{BE}
vBE变小,
I
C
B
O
I_{CBO}
ICBO变大(从而
I
C
I_C
IC变大)。
从两个角度考虑本题。
V
C
E
=
V
C
C
−
I
C
∗
R
c
=
V
C
C
−
β
∗
R
c
∗
V
C
C
−
V
B
E
R
b
V_{CE}=V_{CC}-I_C*R_c=V_{CC}-\beta*R_c*\frac{V_{CC}-V_{BE}}{R_b}
VCE=VCC−IC∗Rc=VCC−β∗Rc∗RbVCC−VBE
温度升高,
β
\beta
β变大,
v
B
E
v_{BE}
vBE变小,都使
V
C
E
V_{CE}
VCE变小。故本题增大。
考虑饱和失真、截止失真时,应归结到电压上。
温度升高,
β
\beta
β增大,
V
B
E
V_{BE}
VBE减小,
I
B
I_B
IB略微增大,
I
C
I_C
IC增大,
A
v
=
−
β
I
B
R
L
′
V
T
A_v=-\frac{\beta I_B R_L^{'}}{V_T}
Av=−VTβIBRL′增大,三极管集电极端电压
V
C
=
V
C
C
−
I
C
∗
R
c
V_C=V_{CC}-I_C*R_c
VC=VCC−IC∗Rc减小,集电结反偏电压减小,输入的交流信号上半周容易卡住,故易发生饱和失真。
a:交流基极接地,不放大;
e:基极、
V
C
C
V_{CC}
VCC间无电阻,没有静态工作点设置
只有d是直接耦合