三极管Vce(sat)饱和电压

已于 2024-06-24 11:19:58 修改
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文章标签： stm32
于 2024-06-24 11:11:22 首次发布
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这个Vce(sat)表示CE间的压降，看吧都是0.几其中的（Volts)表示Vce的单位是V伏特，就好像下面那个（Amps)表示Ic的单位是安培一样

饱和电压是指晶体管E电流开始不再受Vce变化的影响所对应的Vce

如何理解三极管截止区、放大区、饱和区
hcvinh的博客
03-26 493
所以当放大区算法理论上的电流β*ib>ic_max则此时三极管进入饱和区，这时ib再继续增大，ic也不会增大了。此时ic≠βib，也很简单这个时候ic不受ib控制就是饱和区。此时ic=β*ib ，很简单只要ic电流与ib电流符合这个公式就是放大区。所以ic_max=12V/10KΩ=1.2mA --饱和区电流为1.2mA;β*ib>ic_max,所以Q2三极管处在饱和状态，是完全导通的，ic_max=Vcc/Rc(此时Vce=0，完全导通),那么ib=（5-0.7）V/（1KΩ）=4.3mA;
基本元器件-三极管
a201754646的博客
10-31 1万+
三极管，全称为半导体三极管，也称双极型晶体管晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化， 也用作无触点开关。单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。
低VCEsat双极晶体管
10-25
近年来，中功率双极晶体管在饱和电阻和功率范围上的重大突破，极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装中功率晶体管(BISS 4)再次显现出双极晶体管的技术优势，在为开关应用带来了开关损耗更小，效率更高的同时，也赢得了更多的市场空间。
三极管开关电路参数设计与参数介绍
YY_Share的博客
08-09 6938
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三极管输出特性曲线与公式Ic=(Vcc-Vce)/Rc矛盾点分析笔记
qq_32437519的博客
12-30 3392
Ic=(Vcc-Vce)/Rc分析
分享一款低损耗 高效率高性能 低 VCE(sat) 晶体管 NSS60600MZ4T1G
10-26 353
NSS60600MZ4T1G是一款 低VCE（sat）晶体管，具有超低饱和特性的表面安装器件电压（VCE（sat））和高电流增益能力。这些设计用于低电压、高速开关应用，在这些应用中，经济高效的能源控制非常重要。
关于三极管的理解
wanxiweilai的博客
06-06 1076
入上述可知，当负载一定是，三极管的饱和临界电流为Ib=0.188ma,当基极的电流大于设定的0.188时，古需要降低限流电阻的祖值。测试：假设继续增大带电阻,当电阻为25k时，效果如下：从实验效果来看，工作在放大状态。增大电阻，Ic的电流会降低。1. 截止状态：三极管处于关断状态，Vce约等于电源电压。3. 饱和状态：三极管处于完全导通状态，Vce≈0V。2. 放大状态：三极管处于电流放大状态，0V。当Ib的电流大于饱和时的电流。放大电路：初始示意图。
Vce sat三极管
04-19
VCE SAT是指三极管的饱和电压，它是指在三极管工作于饱和区时，集电极与发射极之间的电压。VCE SAT是一个重要的参数，它决定了三极管在饱和状态下的导通能力和功耗。 三极管是一种常用的电子器件，由基极、发射极和...
小信号三极管 VCE(sat)
08-28
小信号三极管的VCE(sat)表示的是在三极管进入饱和状态时的集电极-发射极电压。当三极管用作开关或者放大器时，它的工作状态可以分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。 在截止区，三极管的基极-发射极结处于反偏...
2SA1036三极管规格详解：低电压操作理想选择
2. 低集射极饱和电压(VCE(sat))：2SA1036设计用于低电压操作，具有较低的导通压降，这有助于提高效率，特别是在电源电压有限的情况下。 3. 符合RoHS标准，无铅(Pb)封装，符合环保要求。 2SA1036三极管的应用主要...
三极管的饱和压降如何计算
04-25
2. 查找三极管的数据手册或规格书，找到饱和状态下的集电极-发射极饱和压降的典型值（一般以VCE(sat)表示）。 3. 根据电路中的电流和电阻情况，计算出三极管的集电极电流（IC）。 4. 将计算得到的IC代入到饱和压降的...
三极管放大时工作原理
weixin_30763397的博客
04-30 753
先讲二极管 如果把一块本征半导体的两边掺入不同的元素，使一边为P型，另一边为N型，则在两部分的接触面就会形成一个特殊的薄层，称为PN结。PN结是构成二极管、三极管及可控硅等许多半导体器件的基础。 如右图所示是一块两边掺入不同元素的半导体。由于P型区和N型区两边的载流子性质及浓度均不相同，P型区的空穴浓度大，而N型区的电子浓度大，于是在交界面处产生了扩散运动。P型区的空穴向N型区扩散，因失去空穴...
三极管原理及使用说明
qq_27597981的博客
05-09 3212
三极管原理及使用说明原理介绍1、引脚说明：2、三极管的四种工作状态 饱和区 放大区 截至区 击穿区 两种使用方式：开关管和放大器 三极管作为开关管使用 三极管作为基本放大器使用
电子工程师入门-04三极管详解（中）
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RollTao的博客
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电子工程师入门之三极管的详解中
硬件工程师-三极管
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三极管的工作状态
gtkknd的专栏
06-04 843
请问这个三极管处于什么状态？h_fe=100 1.流过RB2的电流为（5+0.6）/1.8K= 3.1111mA 2.流过RB1的电流为 （12-0.6-5）/1.8K=3.55555mA 3.流入三极管基基的电流为 3.55555-3.11111=0.44444mA 4.放大倍数100 ， 则三极管 Ic=0.44444*100=44.444mA 5.Rc上的压降为 44.4444*1.8=79.999V 6，整个供电才12V，显然 三极管VCE压降为接近0V，所以三极管饱和状态...
【模电知识总结】三极管
qq_40130613的博客
06-26 1万+
具有三个引脚的器件其实都可以称为三极管，本文讨论的三极管特指双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor），它是一种具有**电流放大**作用的**流控**器件。
【S064】三极管和场效应管-易错点
1615549892
08-17 817
易错点：增大图中Vcc，不会增大Vce，反而会减小Vce，因为电流变大，Rc电阻分压变大，直到Vce=Vces饱和管压降，进入饱和状态。β，be＞0.7正偏，ce＞0.7反偏，电势：c＞b＞e。β,两个都正偏,电势：b＞c＞e,ce之间是饱和管压降。NPN三极管是电流控制器件。截止区：Ice≈0，发射结be＜0.7反偏。放大区: Ice=Ib。饱和区：Ice＜Ib。
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