本文详细介绍了三极管的分类（按极性、材质、功率和频率），主要参数（包括极限参数和电性能参数），以及它们在放大和控制电路中的典型应用。
目录
三极管分类，主要参数及应用场景
简介
三极管，也称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT），具有电流放大作用。它由三个半导体层区域构成，分别是发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
主要分类
按极性分类
三级管按极性可分为NPN型三极管（N型）和PNP型三极管（P型）。
三极管结构示意如下图：
按材质分类
据材质划分有两种，分别是硅管和锗管。
硅三极管：大多数常见的晶体管都是硅三极管。硅材料与锗材料对比，热稳定性能好和噪声低。
锗三极管：早期晶体管中锗三极管应用较多。锗材料与硅材料对比，具有较高的导电性和导通电压低。
按功率分类
三极管按照功率分小功率三极管、中功率三极管和大功率三极管。
小功率三极管：主要用于小信号放大、开关和调节电路，如音频放大器、射频放大器、逻辑门等。
中功率三极管：适用于电源开关、电机控制、音频功率放大器等。
大功率三极管：适用于功率放大器、交流驱动器、电源开关等。具有更高的最大电流和最大电压，在几百毫安甚至几安的电流和数百到上千伏特的电压。
按工作频率分类
按频率可分为低频管、高频管和超频管。
低频管适用于较低频率的放大和开关应用；高频管适用于较高频率的射频放大和振荡应用。一般以频率3MHz作为判定高低频三极管的依据。
主要参数
下图为NPN三极管数据手册截取的参数表，结合此表我们说明一下三极管的主要参数。
极限参数
VCBO：集电极-基极击穿电压，发射极开路时，集电极与基极间的反向击穿电压。
VCEO：集电极-发射极击穿电压，基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压。
VEBO：发射极-基极反向击穿电压，集电极开路时，发射极与基极间的反向击穿电压。
IC：集电极最大允许电流，当三极管的电流放大系数（β值）超过一定数值时，其性能会下降，从而影响到电路的性能。下图为集电极电流与频率的对应关系：
PC：集电极功率。下图为集电极功率与温度的对应关系：
电性能参数
hFE：直流电流增益，也称为直流放大倍数，是基极电流与集电极电流之比。hFE并不是一个恒定不变的参数，它会随着温度、工作电压和频率的变化而变化。因此，在电路设计中为保证电路的稳定性和可靠性，需要对hFE的变化进行充分的考虑和补偿。
VCE(sat)：集电极与发射极之间在饱和状态下的压降。
VBE(sat) ：基极与发射极之间在饱和状态下的最小导通电压。
fT：截止频率，三极管从放大状态转变为截止状态的频率点。
其他参数特性图：
典型应用
放大电路
控制电路
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