《传感器电路的低噪声信号调理》阅读笔记

《传感器电路的低噪声信号调理》阅读笔记

1. 信噪比

   驱动ADC时保持较低的模拟前端噪声同样非常重要。这对于避免降低信噪比(SNR)来说至关重要。放大器引起的SNR性能下降净值(单位dB)为：

   $$SN{R}_{LOSS}=20log[\frac{N_{ADC}}{\sqrt{{N_{ADC}}^2+\frac{\pi }{2}{f}_{-3dB}(\frac{2.5N{E}_N}{FSR}{)}^2}}]$$

   其中：

   $$N_{ADC}$$是ADC的均方根噪声，单位为微伏(μV)。

   $$f_{-3dB}$$是ADC的-3dB输入带宽，单位为MHz(或是ADC输入滤波器的截止频率，如果使用的话)。

   N为放大器的噪声增益(在单位增益缓冲器配置中为1)。

   $$E_N$$为运算放大器的等效输入电压噪声谱密度，单位为nV/√Hz。

   FSR是ADC的满量程输入范围(例如， ±2.5 V范围为5 V)。

   设计不佳的信号调理电路会导致SNR降低并消除系统中高分辨率ADC的优势。例如，表1显示了以不同噪声规格的
   放大器驱动时16位模数转换器AD7671的$$SN{R}_{LOSS}$$(28μVrms噪声， 9.6MHz带宽，0V至5 V输入，G = 1)。

   表1 较高的放大器噪声会造成较大的ADC SNR_LOSS

   1kHz时放大器噪声(nV/√Hz)	SNRLOSS
   40	9.4
   20	4.6
   10	1.7
   1	0.02

   能否实现精确的高分辨率测量取决于系统噪底。可实现的最大信噪比为：

   $$SNR=10log\frac{Vsignal\_rms}{Vnoise\_rms}$$

   系统设计人员的目标是在保持信号不失真的情况下处理传感器生成的微小信号。以下部分将探讨信号调理电路生成
   的噪声并介绍如何选择合适的器件。

2. 信号调理电路中的噪声

   ​ 噪声可分为两种不同的类别：外部噪声(干扰噪声)和内部噪声(固有噪声)。电磁噪声属于外部噪声形式。它们可能
   周期性出现，也可能间歇性或随机出现。系统设计人员可以通过多种方法降低它们的影响。

   ​ 内部噪声可以定义为应用中会产生电压和电流的所有电阻和半导体器件(PN结)内固有电子波动导致的随机过程。噪
   声无法完全消除。电子的热扰动和电子空穴对的随机生成和重组合都属于内部噪声， IC制造商尝试利用更好的工艺
   和设计技术降低这种噪声。

   ​ 噪声通常规定为峰峰值(p-p)或均方根值，以p-p或频谱噪声密度图形式表示，如图3所示。与交流信号不同，噪声
   功率分散在整个频谱上，而不是集中在一个频率上。噪声的瞬时值无法预测，但是可以预测噪声概率。大部分噪声
   呈高斯分布。

   ​ 很难准确、连续地从p-p噪声图中读取噪声值。绘制噪声功率密度与频率的关系曲线后，可以直观地看出功率在频
   率范围内的分布情况。噪声频谱密度显示了给定频率处的噪声能量，均方根数值则给出了给定带宽或时间间隔上的均方根值。知道p-p噪声值总是不错的。因为噪声是随机的，因此始终存在电压超出峰峰值的可能性。通过将均方根噪声乘以6.6可以在99.97%的程度上确保不会超过p-p值。

   

   图 1 典型峰峰值和电压噪声密度图

   噪声增益(NOISE GAIN) = $$1+\frac{R2}{R1}$$

   $$带宽(BANDWIDTH)=1.57f_{CLOSED-LOOPBANDWIDTH}$$

   NOISE AT $$V_{OUT}=NOIS{E}_{RTI}\times NOISEGAIN$$

   

   图2 显示所有噪声源的信号调理电路(假设放大器没有噪声)

   ​ 在IC中，两种最常见的功率密度分布形式为1/f和白噪声。E_N(f)和I_N(f)的数量就是噪声频谱密度，以nV/√Hz和pA/√Hz表示。由于噪声取决于测量带宽，因此指定频段很重要。

   ​ 受到1/f、温度和老化效应、甚至可能是爆米花噪声(请参见噪声类型部分)的影响，也很难在数学上描述低频条件下
   的放大器噪声特性，但是重复实验显示，温度越高，噪声越大。

   ​ 除了白噪声和1/f噪声以外， IC噪声中还包括爆米花噪声、散粒噪声和雪崩噪声。 除了IC以外，系统设计中常用的电阻、电容和电感等其他元件也有各自的噪声。

   ​ 由于噪声是概率函数，因此设计人员需要以均方根(RSS)形式将不相关的噪声源相加。 这意味着，两个具有相同能量的噪声源相加只会使总噪声增加√2倍，即3 dB。 对于相关的噪声源，噪声计算公式会增加一个由相关因数乘以噪声
   源乘积组成的额外项。

   ​ 图4显示了各种不同的放大器噪声源，以及传感器和外部元件噪声源。放大器噪声通过与输入端串联的零阻抗电压发生器和与输入端并联的无限阻抗电流源进行建模。 其中每一项都会随着频率和放大器型号变化而变化。 输入电压噪声(E_N)和输入电流噪声(I_N)可视为添加到理想“无噪声”放大器的不相关噪声源。
   $$Nois{e}_{RTI}=\sqrt{BW}\sqrt{V_N^2+4KTR+4KTR1[\frac{R2}{R2+R1}{]}^2+I_{N+}^{2}R{3}^2+I_{N-}^2[\frac{R1\times R2}{R1+R2}{]}^2+4KTR2[\frac{R1}{R1+R2}{]}^2}(2)$$
   ​ 总输出噪声(折合到输入(RTI))由电阻噪声与运算放大器的电压和电流噪声组成，如公式2所示。

   ​ 注意，在反相和同相配置中，噪声增益(噪声增大系数)均相同： 1 + R2/R1。电容(此处未显示，但此类电路中常常会使用)本身不产生噪声，但放大器电流噪声会在电容上产生压降并生成电压噪声误差。
   ​ 白噪声会通过，就好像滤波器是砖墙型一样，但是截止频率会增大到1.57倍。 0.57考虑到f0(滤波器的转折频率)以上的传输噪声。在放大器应用中，该逐步滚降定义为f0 = β × ft，其中β是反馈因数， ft是单位增益交越。放大器会任由白噪声通过，截止频率为1.57 f0。
   ​ 如图所示，放大器电压噪声在输出噪声中占很大一部分。假设上述电路配置为反相增益1000，并使用具有所示不同
   噪声规格和电阻值的各种10 MHz放大器。该测试的结果如图5所示，但是数据手册中所给噪声规格最低的放大器并不总是最适合应用的放大器。选择放大器时还需要考虑其他一些因素。

   

   ​ 图3 放大器噪声是信号调理电路输出噪声的主要来源

   ​ 通过了解传感器，设计人员应该能够确定工作频率范围(如宽带或1/f)。然后，设计人员应该选择具有合适特性的放大器。当今放大器的宽带噪声范围为0.9 nV/√Hz到60 nV/√Hz。
   ​ 了解输入架构和制造放大器的工艺技术将有助于选择正确的放大器来完成工作。在系统设计的早期阶段中，始终认
   真考虑通过选择正确的元件并限制应用带宽来设计出最佳噪声性能。然后，用户可以分析非噪声要求，例如输入阻抗、电源电流和增益。如果不满足噪声要求，则重复该过程。通过设计实现低噪声始终比尝试通过屏蔽、布局和其他技术降低噪声更明智。

   ​ 设计放大器时，明白必须进行权衡取舍很重要。这些可能影响应用，因此了解器件的设计原理以及制造工艺十分重
   要。仅仅依赖数据手册规格是不够的(例如， x nV/√Hz)。

   ​ 双极性运算放大器特性取决于其静态电流。减小E_N(低RB和高IC)与减小I_N的措施相反。这代表着双极性设计中的一种基本折衷。很多器件包括super-beta或IB消除电路。这些会带来相关噪声。在进行噪声分析时，需要引入相关常数来表征该相关噪声。偏置补偿型运算放大器具有比从其偏置电流(I_B)预测更大的噪声电流。
   ​ CMOS的主要噪声来源在不同工作区域有所不同。利用工艺相关性和设计调整可以获得更佳的噪声规格，但是每种方法都会对应用产生影响。闪烁噪声(1/f)与晶体管宽度和长度(W × L)成反比，因此为了降低噪声，设计人员需要使用大尺寸输入级晶体管。这样会产生大输入电容，在最终应用中可能成为限制因素。与双极性器件相比， CMOS器件具有较低的电流噪声。室温下常常可以忽略电流噪声密度(IN)，但是高温下会有问题。

   ​ 与BJT相比， JFET具有较低的gm，因此， FET运算放大器在相似工作条件下具有更高的电压噪声。其电压噪声(EN)还包含闪烁噪声，但是JFET的电流噪声低于BJT。室温下常常可以忽略其电流噪声(I_N)，但是高温下可能会有问
   题，因为温度每增加20°，电流噪声会翻倍，因为温度每增加10°，偏置电流(I_B)会翻倍。市面上很多成功的商用JFET
   运算放大器都是以电压噪声换取输入电容。选择放大器时表2非常有用。表3给出了一些基于不同工艺的常用放大器。

   ​ 表2 不同工艺的噪声性能

   	双极性	CMOS	JFET
   电压噪声	最佳	良好	较好
   电流噪声	良好	最佳	较好
   EN转折频率	最佳	良好	较好
   IN温度灵敏度	最佳	较好	良好

   ​ 表3. 基于不同工艺的三种常用放大器噪声规格

   产品型号	EN (nV/√Hz)	IN (pA/√Hz)	Fc (Hz)	输入
   AD8599	1	1.5	9	双极性
   AD8655	2.7	0.007	2000	CMOS
   AD8610	6	0.005	1000	JFET

   ​ 根据上面的指南选择传感器和放大器后，接着是选择放大器周围的元件。小电阻通常更好，因为它们能降低放大器
   电流噪声的影响。电阻自身会引入噪声，这会增加系统噪底。此外，电阻噪声不应成为放大器噪声的主要来源。实际上，运算放大器仿真模型(如ADI公司最近发布的模型)不允许使用大电阻来设置低噪声放大器的增益。

   ​ 缩减测量带宽是设计低噪声信号调节电路时另一种很好的做法。这可通过使用简单的单极点电路或更为复杂的多极
   点有源滤波器(请参见ADI公司网站上的滤波器工具设计)来实现。

   ​ 在当今的低功耗、低成本设计中，很多系统无法承受昂贵的器件或低噪声器件所需的较高功耗。为了从信号调理电
   路获得最低噪底和最佳性能，设计人员必须了解元件级噪声源并在计算模拟前端的总噪声时充分考虑这些噪声源。若要针对极小信号实现高分辨率，就必须能够透过数据手册上有限的噪声规格了解内在本质，这点至关重要。

3. 噪声类型

   • 白噪声(也称为带宽噪声)

     ​ 噪声图的平坦部分是器件的噪底，如图4所示。其相对于某一频率进行定义，是一个常数。两边平方后得到白噪声功率，其与带宽成正比，与频带位置无关。这是系统的噪底和系统分辨率的限制因素。

     $$E_N=\sqrt{{\int }_{f1}^{f2}{E}_N^{2}df}=E_N\sqrt{f2-f1}=E_N\sqrt{\Delta f}(3)$$

     如果f1 < 1.0f2，那么可近似为：

     $$E_N=E_N\sqrt{f2}(4)$$

     

     图4 放大器白噪声是典型噪声图的平坦部分

   • 1/f噪声(也称为粉红噪声)

     ​ 在低频率下，噪声与频率(1/f项)成反比，如图5所示。 1/f噪声始终与电流相关，由陷波引起。在电流流过时，陷波会随机捕获和释放电荷载体，从而造成电流中的随机波动。在BJT中， 1/f噪声可能由晶体管基极发射结上的污染和表面状况不佳引起。在CMOS中，该噪声与硅和二氧化硅之间边界处的额外电子能量状态相关。

     

     ​ 图5. 突出显示1/f噪声的典型运算放大器噪声图

     $$E_N=K\sqrt{fc}\sqrt{\frac{1}{f}}(5)$$

     $$E_N=E_N\sqrt{fceln(\frac{fH}{fL})}(6)$$

     $$I_N=I_N\sqrt{fciln(\frac{fH}{fL})}(7)$$

     ​ 1/f转折频率实际上是一个品质因数，超过该频率后噪声的幅度相对平坦且不受频率影响。注意，电压噪声的转折频率不同于电流噪声密度的转折频率。

   • 爆米花噪声(也称为爆裂噪声)

     ​ 在早期IC制造中， “爆米花噪声”是一个严重的问题，会导致数十毫秒的随机离散失调偏移。如今，虽然制造过程中仍然偶尔会出现爆米花噪声，但对该现象已有了较好的理解。爆米花噪声是1/f噪声的一部分，发生在极低频率条件下。爆米花噪声会在运算放大器的输出端产生阶跃函数电压变化，主要由晶体管在两个hfe值(beta)之间不规律跳变造成。它完全由工艺决定，工艺不佳的器件具有较多的爆米花噪声。

   • 散粒噪声

     ​ 每当电流流过P-N结时都会产生散粒噪声，而当今的IC中有很多P-N结。跨越隔离栅完全是随机的，产生的直流电流是很多随机基本电流脉冲的总和。散粒噪声在所有频率下保持不变。当电流噪声具有一致的功率密度时，它会成为白噪声的一部分。

     $$I_N=\sqrt{2qI\Delta f}(8)$$

     其中：
     q =电子电荷量(1.6 × 10到19库伦)
     I =通过结点的电流(单位pA)
     ∆f =带宽(单位Hz)

   • 肖特基噪声

     ​ 在以反向击穿模式工作的P-N结中，当电子在强电场的影响下通过撞击晶格原子获得足够的动能而形成额外的电子空穴对时，便会出现该噪声。这些空穴对可通过雪崩方式形成其他对。得到的电流由流过反向偏置结点的随机分布噪声尖峰组成。肖特基噪声与散粒噪声相似，需要电流流动，但是比散粒噪声更为强烈，使齐纳二极管以具有高噪声而著名。

   • 电阻噪声

     ​ 所有电阻都存在电阻噪声，原因在于电阻中的电子热扰动。后者会引起电荷运动，从而产生电压。电阻噪声是白噪声的一部分，在所有频率下保持不变。可使用以下公式计算电阻的噪声值。根据经验， 1 kΩ电阻具有4 nV/√Hz的噪声。值得一提的是，电阻值每增加一倍，噪声会增加3 dB(4 × 电阻=噪声翻倍，即6 dB)。碳素电阻和厚膜电阻的噪声高于计算得出的热噪声。

     $$E_N=\sqrt{4kTRB}(9)$$

     其中：
     k = 波尔兹曼常数(1.374 × 10–23 J/°K)
     T = 绝对温度(°K)， T = °C + 273°
     R = 电阻(W)

     B =带宽(Hz)
     4 kT = 1.65 × 10–20 W/Hz

     ​ 有三种方法可以降低该噪声： 1)选择小电阻，这样会增加功耗； 2)控制温度(降低温度)； 3)降低测量带宽。

4. 设计过程

   ​ 随着模数转换器和数模转换器的分辨率不断增加以及电源电压不断降低，最低有效位变得更小。这使得信号调理任
   务更加困难。当信号大小逐渐接近噪底时，因此必须解决外部和内部噪声源，包括约翰逊噪声、散粒噪声、宽带噪
   声、闪烁噪声和EMI。

   ​ 通常不相关的噪声源可通过RSS方式进行组合：

   $$E_{N\_total}=\sqrt{{E_{N1}}^2+{E_{N2}}^2}(10)$$

   ​ 另一方面，相关的噪声源，例如输入偏置电流消除，则必须通过增加相关因数以RSS形式进行组合：

   $$E_{N\_total}=\sqrt{{E_{N1}}^2+{E_{N2}}^2+2C{E}_{N1}{E}_{N2}}(11)$$

   ​ 图6显示了典型信号调理电路中存在的所有噪声源，以及可用于反相、同相、差动和其他常见配置的通用公式。

   噪声增益(NOISE GAIN) = $$1+\frac{R2}{R1}$$

   $$带宽(BANDWIDTH)=1.57f_{CLOSED-LOOPBANDWIDTH}$$

   NOISE AT $$V_{OUT}=NOIS{E}_{RTI}\times NOISEGAIN$$

   

   图6 噪声源包括运算放大器的输入电压噪声和输入电流噪声，外加外部电阻的约翰逊噪声

   

   噪声带宽	双极性(OP177)	斩波(AD8551/AD8552/AD8554)
   0.1 Hz至10 Hz	0.238 µV p-p	1.04 µV p-p
   0.01 Hz至1 Hz	0.135 µV p-p	0.33 µV p-p
   0.001 Hz至0.1 Hz	0.120 µV p-p	0.104 µV p-p
   0.0001 Hz至0.01 Hz	0.118 µV p-p	0.033 µV p-p

   

   图7. 标准放大器(例如ADI公司的OP177)在低频率下显示1/f噪声(左上)。自稳零(斩波)放大器(例如ADI公司的AD8551/AD8552/AD8554)没有1/f噪声(右上)。 PSpice对AD8638自稳零放大器的行为进行了正确建模(右下)。

5. 正确的设计方法

   ​ 从传感器及其噪声、阻抗、响应和信号电平等特性入手，实现最低的折合到输入端(RTI)噪声将优化信噪比(SNR)。
   ​ 与先解决增益和功率要求，再艰难地处理噪声问题相比，以关注低噪声着手解决问题显得更为高效。这是一个迭代过程。首先考虑放大器的工作区域：宽带或1/f。然后，通过选择合适的有源器件，获得最佳噪声性能的设计。再选择
   放大器周围的无源元件并限制带宽。然后，分析非噪声要求，如输入阻抗、电源电流和开路增益。如果不满足噪声
   规格，则继续重复该过程，直到获得可接受的解决方案。

6. 运算放大器的选择

   ​ 在一些情况中，具有22 nV/√Hz宽带噪声的运算放大器可能优于噪声规格为10 nV/√Hz的放大器。如果传感器在很低的频率下工作，则具有低1/f噪声的放大器可能最佳。标准放大器(如ADI公司的OP177)的噪声频谱密度类似于图7左上
   方的图形。另一方面，自稳零放大器会不断校正随着时间和温度变化而出现在其输入端的任何误差。由于1/f噪声会逐渐趋近直流，因此该放大器也会校正该误差。图9右上方的图形显示了第一代自稳零放大器如何不呈现1/f噪声，因而适用于低频传感器信号调理。如图9的右下所示，第二代自稳零放大器具有较低的宽带噪声(22 nV/√Hz)。 PSpice宏观模型正确模拟了放大器的电压噪声，图中显示1/f噪声已被消除。

7. 轨到轨输入

   ​ 对于低电压设计，轨到轨(RR)输出和输入可能比较适合。当共模输入从一个轨进入另一个轨时，一个差分输入对停
   止工作，则另一个差分对接管工作。失调电压和输入偏置电流可能会突然变化，导致图10所示的失真。对于低噪声设计，需要考虑是否需要RR输入特性。
   ​ 为了解决该问题，运算放大器(如ADI公司的AD8506)使用内部电荷泵来消除输入电压交越失真。如果设计不当，电
   荷泵产生的噪声将出现在输出中，如果该噪声位于目标频段内，很可能会造成问题。可在输出引脚上连接频谱分析仪，以确保时钟的幅度远远小于信号幅度。

   

   图8. 轨到轨放大器的输入失调电压会随着共模输入电压变化而发生明显变化

8. 偏置电流消除

   ​ 新型双极性运算放大器采用了一种技术，可以部分消除输入偏置电流。该技术可能导致不相关或相关的电流噪声增
   加。对于一些放大器，相关噪声可能大于不相关部分。例如，对于ADI公司的OP07，添加阻抗平衡的电阻可改善整
   体噪声。表4比较了两种广泛使用的ADI运算放大器OP07和OP27，前者以较高的电压噪声获取较低的电流噪声。
   ​ 从可用的低噪声器件选择三到四个器件。考虑工艺技术。寻找特殊设计技术，如自稳零、斩波和偏置电流消除。查看输入晶体管区域的芯片尺寸图片，记住大输入晶体管的噪声较低，但输入电容较大。 CMOS和JFET放大器的电流
   噪声远低于双极性器件。低噪声设计使用低值电阻，因此放大器输出驱动必须足以驱动高负载。

   表4. OP07和OP27电压和电流噪声

   参数	条件	OP07E	OP27E	单位
   输入失调 电流		0.5	7	nA
   输入偏置 电流		±1.2	±10	nA
   输入电压 噪声	0.1 Hz至 10 Hz	0.35	0.08	µV p-p
   输入电压 噪声密度	f = 1 kHz	9.6	3	nV/√Hz
   输入电流 噪声密度	f = 1 kHz	0.12	0.4	pA/√Hz

9. 无源元件选择

   ​ 选择放大器后，接着是选择其周围的合适电阻和电容。这些同样也存在噪声。图9显示了使用错误电阻值的影响。
   输出噪声随着设置增益所使用的电阻增大而增大。在所有三种情况中，增益均为1000。

   

   图9. 使用低值电阻保持低输出噪声