Linux内核驱动之DDR3(一)寻址

1 相关原理  

DDR3内部相当于存储表格,和表格的检索相似,需要先指定 行地址(row),再指定列地址(column),这样就可以准确的找到需要的单元格。对于DDR3内存,单元格称为基本存储单元(也就是每次能从该DDR3芯片读取的最小数据),存储表格称为逻辑bank(DDR3内存芯片都是8个bank,也就是说有8个这样的存储表格)  所以寻址的流程是先指定bank地址,再指定行地址(row),最后指列地址(column)来确定基本存储单元,每个基本存储单元的大小等于该DDR3芯片的数据线位宽,也就是每次能从单个DDR3芯片读取的最小数据长度。


2 地址线和内存容量分析  

由上文可知要寻址DDR3芯片的基本存储单元需要指定3个地址: bank地址,行地址(row),列地址(column)  下面以三星MT41J1G4,MT41J512M8,MT41J256M16进行分析 MT41J1G4 – 128 Meg x 4 x 8 banks 、MT41J512M8 – 64 Meg x 8 x 8 banks 、MT41J256M16 – 32 Meg x 16 x 8 banks  三个型号的容量都是一样,仅仅只是数据线位宽不一样,从上述扩展命名可以分析DDR3芯片的地址线数量,数据线位宽,整体容量 比如:

MT41J256M16 - 32 Meg x 16 x 8 banks 单个DDR3芯片内部有8个banks因此有3根bank地址线BA0,BA1,BA2 每个bank大小是32M*16 bit = 64MB 有16根数据线即基本存储单元是16bit 
每个bank有32M个基本存储单元,总共有32M*8=256M个地址 从datasheet分析有15bit row地址和10bit column地址。但是芯片只提供了15根地址线,不够25根。 其实原因是行地址线RA0-RA14和列地址线CA0-CA9地址线分时共用(反正是先取行地址再取列地址)所以只需要15根地址线就可以 每个bank总共有2^15 * 2^10 = 32M个基本存储单元 ,然后每个基本单元的大小是16bit所以总大小是32M*16bit*8 = 4Gbit


MT41J512M8 – 64 Meg x 8 x 8 banks    单个DDR3芯片内部有8个banks因此有3根bank地址线BA0,BA1,BA2 每个bank大小是64M*8bit = 64MB 有8根数据线即基本存储单元是8bit  每个bank有64M个基本存储单元,总共有64M*8=512M个地址 从datasheet分析有16bit row地址和10bit column地址。但是芯片只提供了16根地址线,不够26根。  原因也是行地址线RA0-RA15和列地址线CA0-CA9地址线分时共用 所以只需要16根地址线就可以  每个bank总共有2^16* 2^10 = 64M个基本存储单元  然后每个基本单元的大小是8bit所以总大小是64M * 8bit*8 = 4Gbit 


MT41J1G4 – 128 Meg x 4 x 8 banks 单个DDR3芯片内部有8个banks 每个bank大小是128M* 4bit = 64MB 有4根数据线即基本存储单元是4bit 每个bank有128M个基本存储单元,总共是128M*8=1G个的地址 从datasheet分析有16bit row地址和11bit column地址 由于行地址线RA0-RA15和列地址线CA0-CA9,CA11地址线分时共用 所以只需要16根地址线就可以 每个bank总共有2^16* 2^11 = 128M个基本存储单元 然后每个基本单元的大小是4bit所以总大小是128M *4bit*8 = 4Gbit


注意DDR3芯片的PAGESIZE = 2^column * 数据线位宽/8  由此可知 
MT41J1G4 – 128 Meg x 4 x 8 banks  PAGESIZE = 2^11 * 4/8 = 1KB 
MT41J512M8 – 64 Meg x 8 x 8 banks PAGESIZE = 2^10 * 8/8 = 1KB 
MT41J256M16 – 32 Meg x 16 x 8 banks PAGESIZE = 2^10 * 16/8 = 2KB


3  DDR3控制器16bit/32bit概念 
这儿所说的16bit/32bit指的是整个内存控制器以多长为单位进行存储,而不是单个DDR3芯片的基本存储单元 
32bit表示内存控制器以32bit为单位访问内存,即给定一个内存地址。内存芯片会给内存控制器 32bit的数据到数据线上,当然该32bit数据可能不来自同一个DDR3芯片上,16bit与此类似 下面分析用两个16bit的DDR3内存如何拼成32bitDDR3 第一片16bit DDR3的BA0,BA1,BA2连接CPU的BA0, BA1, BA2 

第二片16bit DDR3 的BA0,BA1,BA2连接CPU 的BA0, BA1, BA2 

第一片16bit DDR3的A0~A13连接CPU的A0~A13 

第二片16bit DDR3的A0~A13连接CPU的A0~A13 

第一片16bit DDR3的D0~D15连接CPU的D0~D15 

第二片16bit DDR3的D0~D15连接CPU的D16~D31

分析下该实例。 


bank地址线是3bit所以单个16bit DDR3内部有8个bank. 行地址(row)A0~A13共14bit说明每个bank有2^14行 列地址(column)A0~A9共10bit说明每个bank有2^10列 每个bank大小是2^14 * 2^10 * 16 = 16M * 16bit = 32MB 每个bank有16M个基本存储单元,总共有16M*8=128M个地址 单个芯片总大小是 32MB * 8 = 256MB 

从前面的连线可知两块16bit DDR3的BA0~BA2和D0~D14是并行连接到内存控制器,所以内存控制器认为只有一块内存,访问的时候按照BA0~BA2和A0~A13给出地址。两块16bit DDR3都收到了该地址,给出的反应是要么将给定地址上的2个字节读到数据线上,要么是将数据线上的两个字节写入到指定的地址。 
此时内存控制认为自己成功的访问的了一块32bit的内存, 所以内存控制器每给出一个地址,将访问4个字节的数据,读取/写入。这4字节数据对应到内存控制器的D0~D31,又分别被连接到两片DDR3芯片的D0~D15,这样32bit就被拆成了两个16bit分别去访问单个DDR3芯片的基本存储单元。 

注意:尽管DDR3芯片识别的地址只有128M个,但由于内存控制器每访问一个内存地址,将访问4个字节数据,所以对于内存控制器来说,能访问的内存大小仍是512M,只不过在内存控制器将地址传给DDR3芯片时,低两位被忽略,也就是说DDR3芯片识别的地址只有128M个。 
比如内存控制器访问地址0x00000000,0x00000001,0x00000002,0x00000003,但对DDR3来说,都是访问地址0x00000000。

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内存工作原理 1.内存寻址 首先,内存从CPU获得查找某个数据的指令,然后再找出存取资料的位置时(这个动作称为“寻址”),它先定出横坐标(也就是“列地址”)再定出纵坐标(也就是“行地址”),这就好像在地图上画个十字标记一样,非常准确地定出这个地方。对于电脑系统而言,找出这个地方时还必须确定是否位置正确,因此电脑还必须判读该地址的信号,横坐标有横坐标的信号(也就是RAS信号,Row Address Strobe)纵坐标有纵坐标的信号(也就是CAS信号,Column Address Strobe),最后再进行读或写的动作。因此,内存在读写时至少必须有五个步骤:分别是画个十字(内有定地址两个操作以及判读地址两个信号,共四个操作)以及或读或写的操作,才能完成内存的存取操作。 2.内存传输 为了储存资料,或者是从内存内部读取资料,CPU都会为这些读取或写入的资料编上地址(也就是我们所说的十字寻址方式),这个时候,CPU会通过地址总线(Address Bus)将地址送到内存,然后数据总线(Data Bus)就会把对应的正确数据送往微处理器,传回去给CPU使用。 3.存取时间 所谓存取时间,指的是CPU读或写内存内资料的过程时间,也称为总线循环(bus cycle)。以读取为例,从CPU发出指令给内存时,便会要求内存取用特定地址的特定资料,内存响应CPU后便会将CPU所需要的资料送给CPU,一直到CPU收到数据为止,便成为一个读取的流程。因此,这整个过程简单地说便是CPU给出读取指令,内存回复指令,并丢出资料给CPU的过程。我们常说的6ns(纳秒,秒-9)就是指上述的过程所花费的时间,而ns便是计算运算过程的时间单位。我们平时习惯用存取时间的倒数来表示速度,比如6ns的内存实际频率为1/6ns=166MHz(如果是DDR就标DDR333,DDR2就标DDR2 667)。 4.内存延迟 内存的延迟时间(也就是所谓的潜伏期,从FSB到DRAM)等于下列时间的综合:FSB同主板芯片组之间的延迟时间(±1个时钟周期),芯片组同DRAM之间的延迟时间(±1个时钟周期),RAS到CAS延迟时间:RAS(2-3个时钟周期,用于决定正确的行地址),CAS延迟时间 (2-3时钟周期,用于决定正确的列地址),另外还需要1个时钟周期来传送数据,数据从DRAM输出缓存通过芯片组到CPU的延迟时间(±2个时钟周期)。一般的说明内存延迟涉及四个参数CAS(Column Address Strobe 行地址控制器)延迟,RAS(Row Address Strobe列地址控制器)-to-CAS延迟,RAS Precharge(RAS预冲电压)延迟,Act-to-Precharge(相对于时钟下沿的数据读取时间)延迟。其中CAS延迟比较重要,它反映了内存从接受指令到完成传输结果的过程中的延迟。大家平时见到的数据3—3—3—6中,第一参数就是CAS延迟(CL=3)。当然,延迟越小速度越快。
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