运放输入的共模输入阻抗,差模输入电阻

运放输入的“共模输入阻抗”是输入对地(或对电源)的阻抗,“差模阻抗”则是两输入端间的阻抗。通常(VFA)运放的共模输入阻抗比差模要大很多,但由于深度负反馈的作用,差模阻抗影响减小很多。对于一楼图中的电路,基本只考虑其运放的共模输入阻抗和R1的并联。由于通常共模阻抗比R1大许多,所以其输入阻抗近似为R1

共模抑制比(common mode rejection ratio,CMRR)是衡量运放抑制共模信号能力的一个指标。在设计一款120dB共模抑制比运放时,需要考虑以下几个关键因素。 首先,选取合适的电路拓扑结构,如差分放大器。差分放大器具有良好的共模抑制能力,能够有效抑制来自共模信号的干扰。运放输入阻抗应尽可能大,以降低输入共模信号对放大器的影响,同时输入电阻应保持均衡,确保对共模信号的平衡抑制能力。 其次,采用高质量的电源滤波器和电源线路。电源线路的干扰会对共模抑制比产生影响,因此必须避免电源线路中可能存在的高频噪声和共模干扰。良好的电源滤波器可以有效地去除这些噪声,提高共模抑制比。 此外,优化运放输入和输出电路设计也是必要的。输入电路应尽可能采用差分输入结构,以增强对共模干扰的抑制能力。输出电路要确保输出端的阻抗匹配,以避免输出信号受到负载干扰。 最后,利用器件参数选择和工艺优化来提高共模抑制比。合理选择高性能运放芯片,具有低噪声、低失调和低漂移等特性,以获得更高的共模抑制比。同时,通过制定严格的工艺流程和质量控制措施,可以降低器件制造过程中的误差和偏移,提高系统的共模抑制性能。 综上所述,设计一款120dB共模抑制比运放需要考虑电路拓扑结构、电源滤波器、输入输出电路设计和器件参数选择等因素,通过优化这些方面可以提高运放共模信号的抑制能力,从而实现更高的共模抑制比。
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