sram sdram prom eprom eeprom norflash norfalsh pflash区别

我来教大家彻底搞清楚存储器

ram      ramdom access memory随机访问存储器，可快速读写修改，但掉电丢失

sram static ram静态随机存储器，不需要刷新，高性能，体积大，集成度低，如cpu缓存

dram dynamic ram动态随机存储器，需要刷新,如计算机内存

sdram synchronous dram同步动态随机存储器，ddr内存条，sdram ddr,sdram ddr2 sdram ddr3

psram pseudo sram伪静态随机存储器，自带刷新，接口和sram一样，低功耗，容量大于sram小于sdram,支持突发模式

nvram non-volatile ram非易失性随机存储器，断电后认可保存数据

rom read only memory  只读存储器，读写速度慢，但掉电可保存数据

prom program rom可编程只读存储器，可编程仅一次

eprom erasable prom可擦除可编程只读存储器，需要光照擦除

eeprom electric eprom电科擦除可编程只读存储器

flash                 flash eeprom 即可擦除又可快速读取数据,又称闪存，u盘和mp3，bootloader存储器,替代了eeprom

norflash  nor falsh内部有sram，属于nvram，传输速度高、可直接运行应用程序，可以不用传到ram上运行，写入和擦除速度低，擦除前需要置零，读取nor比nand快一些，容量没nand大

nandflash   nand flash存储密度大，擦除简单，擦除和写入比nor快很多，但需要特殊的系统接口单元

emmc               nand + 主控ic+mmc卡 便于开发