eFlash工艺和pFlash工艺分别是什么？区别在哪儿？

⭐eFlash和pFlash是在芯片制造中常用的两种非易失性存储器工艺。
⭐eFlash（embedded Flash）是一种集成在芯片上的闪存存储器技术。它具有可编程和可擦除的功能，可以存储和保持数据，即使在掉电情况下也能保持数据的完整性。eFlash常用于集成电路芯片（IC）中，用于存储程序代码、配置信息和其他重要数据。eFlash工艺通常使用尺寸较小的存储单元，既可以节省芯片面积，又可以提供较高的存储密度。
⭐pFlash（parallel Flash）是一种并行接口的闪存存储器技术。它也是一种可编程和可擦除的存储器，可以在掉电情况下保持数据。pFlash的特点是使用并行接口进行数据读写，可以实现相对较快的数据传输速率。pFlash通常用于外部存储设备，如闪存卡、USB闪存驱动器等，用于存储大量的数据，如照片、音频、视频等。
⭐总的来说，eFlash和pFlash的区别主要在于应用场景和接口方式。eFlash主要应用于集成电路芯片中，用于高密度存储和程序代码的存储；而pFlash主要应用于外部存储设备中，用于大容量数据的存储，并通过并行接口进行数据读写。