NvM Flash编程基础概念

欣欣宇宇

已于 2023-06-09 16:54:58 修改

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分类专栏： TriCore 文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2023-06-09 16:52:23 首次发布

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1、Tc39x系列 Flash编程

2、Flash、NorFlash、NandFlash区别：

3、NvM Flash操作注意事项：

1、Tc39x系列 Flash编程

当前AUTOSAR项目用到的主要芯片是英飞凌的TC397芯片，介绍一下TC397芯片上面硬件FLASH相关知识。

TC397芯片存储分为PFLASH（Program Flash Memory）和DFLASH（Data Flash memory）。
TC397有5个3MB大小PFx（PF0...PF4）和一个1MB大小的PF5。每个PFx被划分为1024KB大小的物理扇区，每个物理扇区又被划分为16KB大小的逻辑扇区（Logical Sector）。
TC397有两个数据闪存存储区DFLASH0和DFLASH1，就是用这个DFLASH来模拟eeprom，来作为autosar的存储服务使用的。DFLASH0还包含了用于数据保护的用户配置块（UCBs，User Configuration Blocks）和1个配置扇区（CFS），用户无法直接访问该配置扇区。
DFLASH逻辑扇区可以配置4KB或者2KB，DFLASH的页有8字节组成，也就是DFLASH最小擦除单元为4/2K，最小编程单元为8字节。
PFLASH逻辑扇区16KB，PFLASH的页有32字节组成，也就是PFLASH最小擦除单元为16K，最小编程单元为32字节。

在这里插入图片描述

2、Flash、NorFlash、NandFlash区别：

FLASH又称为闪存，属于广义的EEPROM，因为它也是电擦除的ROM，它和EEPROM最大的区别就是，FLASH只能按照扇区（block）操作，而EEPROM可以按照字节操作。FLASH的电路结构比较简单，同样容量占芯片面积较小，成本比EEPROM低很多。FALSH分为NOR FLASH 和 NAND FLASH。

NOR FLASH数据线和地址线分开，可以实现ram那样随机寻址功能，也就是说程序可以在norflash上面直接运行，不需要拷贝到ram中。

NAND FLASH同样是按块擦除，但是数据线和地址线复用，不能利用地址线随机寻址。

3、NvM Flash操作注意事项：

1、Flash Driver不能操作相同的Bank; (一般将Flash Driver加载到RAM中执行)

2、Flash Erase/Program操作时，要关闭WDG;

3、Flash 操作期间，供电电压一定要稳定；

4、当某个Block的参数修改以后，NVM需要存储最新的参数，而一次存储是将整个Block的参数一次性存储，如果Block空间分配过大，消耗的NVM空间就过大，这样会导致一个Page（假设Page 0）很快写完，进行换页操作，过快的换页操作也意味着DFlash擦除次数的提高，使得DFlash变得“不耐用”。而且切页操作耗时，可能会影响到某一时刻程序的运行状态。所以，当某些参数改写频繁时，可以将这些参数单独配置一个Block，不要与数据变动率低的参数放到一个Blcok中，这样可以延长NVM的使用寿命。

假设：Page大小为2048 byte，Block 1占用500 byte空间，Block 2占用50 byte空间。每次Argu1（4 byte）更新（存储NVM），需要将Argu1所在的Block整体重新写一遍，而写一遍Block 1需要使用500 byte空间。如果把Argu1放在Block 2中，只需要消耗50 byte空间。如果使用Block 1存储Argu1，Argu1更新到第5次时，就需要切页；如果使用Block 2存储Argu1，Argu1更新到第41次时，才需要切页，极大的降低了NVM的擦/写频率，延长其使用寿命。Block1、Block2示意如下：

5、为了最大寿命使用Flash, 一般使用换页策略(均衡擦写)；

6、为了在ECU运行期间避免Flash的频繁擦写，一般使用在操作循环上电读，下电写；重要数据才强制写；

TC397 Flash:

https://blog.csdn.net/weixin_42580645/article/details/125356483