本文详细介绍了嵌入式硬件中TC3XX系列芯片的非易失存储，包括PFLASH、DFLASH（模拟EEPROM）、BOOTROM的功能、结构、特点和操作。重点阐述了DFLASH的DFlash0中的UCB和CFS区域，以及DMU如何控制和保护非易失存储。此外，还提到了PFLASH的快速编程和BOOTROM在系统启动时的角色。
目录
1、总述
本章节讲述的非易失存储包括Data Memory Unit (DMU), Program Flash Interface(PFI)，以及非易失存储模块Flash Standard Interface (FSI)，PFLASH和DFLASH。
DMU：控制所有的PFS和DFS指令序列；
FSI：Flash Standard Interface, 执行在flash上面的擦除、编程、校验操作；
PFI：Program Flash Interface为CPU提供一个flash bank（TC377的bank有2个每个3M）点对点的链接。
DFLASH：分为两片个bank，用来模拟eeprom。相较于PFLASH而言，DFLASH访问更慢。DFLASH写数据的区域也包括一些配置，如UCBs，Configuration Sector（CFS），这些区域不允许用户访问。
Boot ROM 通过DMU 的Shared Resource Interconnect来链接系统。
PFRWB Program Flash Read Write buffer
DPI Direct Processor Interface (to Local Flash Bank)
SRI Shared Resource Interconnect
CFS Configuration Sector
SIF slave interface
PFLASH存储：
- 常量
- 程序代码
- 擦写次数
DFLASH存储：
- UCB(读写保护的密码、和只读UCB)；
- 模拟CPU的eeprom及HSM的eeprom；
- 若干无法被用户访问的系统设置的数据，被称为Configuration Sector (CFS)
ECC算法：
NVM输出端的ECC解码器纠正并检测NVM阵列中的故障；
NVM会容忍一小部分的ECC异常；
下图中虚线内部分即非易失存储子系统。
Cpu通过DPI访问PFI（Program Flash Interface ），
再通过PFRWB来访问Pflash，或通过DMU访问FSI(Flash Standard Interface)，进而访问Dflash；
FSI可以被利用访问Ram，寄存器、Dflash。
DMU接口到FSI和PFI，分别用于所有闪存操作和PFlash读取。
2、功能描述
擦除：flash单元逻辑“0”为擦除状态；
编程：flash单元逻辑“1”为编程状态；
保留或记忆能力：描述的是供可靠的读取的时间；
耐性：描述的是擦写次数；
BANK：一块芯片有多个PFLASH BANK和DFLASH BANK。
物理扇区：物理扇区之间是隔离的；
逻辑扇区：是物理扇区的更细分层面，一个逻辑扇区由一组PFASH 或DFLASH的wordline组成，或者UCB的一个单独的wordline。逻辑扇区是擦除的最小单位
Mini Sectors：在UCB的一组逻辑扇区；
PAGE：最小的编程单位，PFLASH 4个double word 为32字节，加上22bit ECC，DFLASH 是1个double word 加上22bit ECC。
Wordline：一组对齐的字节；PFLASH, 1024字节，DFLASH 512字节
Program Burst： 一个指令可以编程的最大数量，PFLASH 是8个page即256字节，DFLASH为4个page为32字节；
BANK > PS > LS (最小的擦除单位) > Wordline > Program Burst > PAGE（最小编程单位）
3、结构描述
这里需要强调的是，PF0的S0~S39，也就是640KB，属于HSM的专有区域。如果TP（Tuning protect）和HSM同时投入，则S0就不能被用于HSM专属。如下：
•PF0 S0: specific TP purpose.
•PF0 S1 to S7: TP extended memory
•PF0 S8 to S39: HSM PCODE
TP、HSM和CPU地址必须连续；
4、各存储特点
PFLASH
1、支持高性能的低延迟安全指令获取
2、支持擦除和编程指令；
3、快速32字节的编程；
4、支持一个指令高吞吐量256字节的编程
5、支持高吞吐量的多个逻辑扇区的擦除指令
6、支持在中断后继续操作
7、擦除计数器
8、根据密码来进行读写保护
9、支持ECC的检查和上报
DFLASH
1、8字节的访问
2、8字节的编程
3、一个指令最大32字节的编程
4、和FLASH
5、允许中断并进行继续工作
6、密码保护
DFLASH0
1、多个EEPROM逻辑扇区用于模拟EEPROM
2、UCB用来保护数据
3、用户无法拿到的配置物理扇区Configuration Sector
DFLASH1
1、多个EEPROM扇区
2、在有Hsm的设备中，被HSM用于EEPROM模拟，保护应用的访问；
BOOTROM
1、每次启动执行SSW
2、测试固件支持IFX产品测试
3、TP（Tuning Protection）实现secure watchdog
5、非易失存储
5.1 DFlash模拟eeprom
flash模拟eeprom的知识点：
这种 狭义的eeprom 的特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个 bit 中写入 0 或者 1。这是最传统的一种 EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存 100 年，可以擦写 100w 次。具有较高的可靠性，但是电路复杂 / 成本也高。因此目前的 EEPROM 都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过 512K 的。
通常，单片机里的 Flash 都用于存放运行代码，在运行过程中不能改；EEPROM 是用来保存用户数据，运行过程中可以改变，比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12：00，后来在运行中改为 6：00，这是保存在 EEPROM 里，不怕掉电，就算重新上电也不需要重新调整到 6：00。
区别是：FLASH 按扇区操作，EEPROM 则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH 的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比 EEPROM 低，因而适合用作程序存储器，EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。当然用 FLASH 做数据存储器也行，但操作比 EEPROM 麻烦的多，所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有 FLASH，早期可电擦写型 MCU 则都是 EEPRM 结构，现在已基本上停产了。
在芯片的内电路中，FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同。技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用 FLASH 结构或 EEPROM 结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。
EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，Flash 的操作特性完全符合 EEPROM 的定义，属 EEPROM 无疑，首款 Flash 推出时其数据手册上也清楚的标明是 EEPROM，现在的多数 Flash 手册上也是这么标明的，二者的关系是“白马”和“马”。至于为什么业界要区分二者，主要的原因是 Flash EEPROM 的操作方法和传统 EEPROM 截然不同，次要的原因是为了语言的简练，非正式文件和口语中 Flash EEPROM 就简称为 Flash，这里要强调的是白马的“白”属性而非其“马”属性以区别 Flash 和传统 EEPROM。
Flash 的特点是结构简单，同样工艺和同样晶元面积下可以得到更高容量且大数据量下的操作速度更快，但缺点是操作过程麻烦，特别是在小数据量反复重写时，所以在 MCU 中 Flash 结构适于不需频繁改写的程序存储器。
很多应用中，需要频繁的改写某些小量数据且需掉电非易失，传统结构的 EEPROM 在此非常适合，所以很多 MCU 内部设计了两种 EEPROM 结构，FLASH 的和传统的，以期获得成本和功能的均衡，这极大的方便了使用者。随着 ISP、IAP 的流行，特别是在程序存储地址空间和数据存储地址空间重叠的 MCU 系中，现在越来越多的 MCU 生产商用支持 IAP 的程序存储器来模拟 EEPROM 对应的数据存储器，这是低成本下实现非易失数据存储器的一种变通方法。为在商业宣传上取得和双 EEPROM 工艺的“等效”性，不少采用 Flash 程序存储器“模拟”（注意，技术概念上并非真正的模拟）EEPROM 数据存储器的厂家纷纷宣称其产品是带 EEPROM 的，严格说，这是非常不严谨的，但商人有商人的目的和方法，用 Flash“模拟”EEPROM 可以获取更大商业利益，所以在事实上，技术概念混淆的始作俑者正是他们。
从成本上讲，用 Flash“模拟”EEPROM 是合算的，反之不会有人干，用 EEPROM 模拟 Flash 是怎么回事呢？这可能出在某些程序存储空间和数据存储空间连续的 MCU 上。这类 MCU 中特别是存储容量不大的低端 MCU 依然采用 EEPROM 作为非易失存储器，这在成本上反而比采用 Flash 和传统 EEPROM 双工艺的设计更低，但这种现象仅仅限于小容量前提下。因 Flash 工艺的流行，现在很多商人和不够严谨的技术人员将程序存储器称为 Flash，对于那些仅采用传统 EEPROM 工艺的 MCU 而言，他们不求甚解，故而错误的将 EEPROM 程序存储器称为“ 模拟 Flash”，根本的原因是他们未理解 Flash 只是一种存储器结构而非存储器的用途，错误的前提自然导致错误的结论。商业上讲，用 EEPROM 模拟 Flash 是不会有人真去做的愚蠢行为，这违背商业追求最大利益的原则，技术上也不可行，而对于技术人员而言。本质的问题是 Flash 是一种存储器类型而非 MCU 中的程序存储器，即使 MCU 的程序存储器用的是 Flash，但其逆命题不成立。
话题回到TC3XX系列芯片。芯片的DFLASH0，就包含很多逻辑扇区的dflash_eeprom.
Dflash0中的UCB
Dflash0中的CFS，此区域不对用户开放
此外，dflash1中也有eeprom区域
来计算 ，Dflash周期通过f（FSI）
2、在寄存器中， waitcycles需要进行-1进行编程。频率*周期 - 1 = waitcycles
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