纳米晶体
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二维半导体黑磷-砷晶体-As0.25P0.75,ln2P3Se9晶体,黑磷晶体 晶体尺寸:0.4-1cm
这种类层状结构的化合物通常具有特别的电子能带结构和化学键合特性,因此它们在光电子学、光伏材料和磁性材料等领域可能具有潜在的应用价值。黑磷-砷晶体(As0.25P0.75)是由砷(As)和磷(P)元素组成的化合物。在这个化合物中,砷和磷的摩尔比例为1:3,也就是说,每个砷原子的数量是磷原子的四分之一。二维半导体黑磷-砷晶体-As0.25P0.75,ln2P3Se9晶体,黑磷晶体 晶体尺寸:0.4-1cm。机械性质: 黑磷是一种柔软的材料,在层与层之间的相互作用较弱,使其容易剥离为单层,形成磷烯。原创 2023-10-26 10:45:36 · 37 阅读 · 0 评论 -
传感器黑磷-砷晶体-As0.6P0.4,黑磷-砷晶体-AsP-二维褶皱蜂窝状材料
黑磷-砷晶体(AsP)是由砷(As)和磷(P)元素组成的晶体化合物。在这种化合物中,砷和磷的比例是1:1,也就是说,每个砷原子都和一个磷原子形成键合。2015年,南加州大学团队通过将砷原子引入黑磷的方法,成功制备 b-AsxP1-x(x的范围在0~0.83之间)。在黑磷-砷晶体中,砷和磷的比例为0.6:0.4,这意味着在晶体结构中,砷原子的数量大约是磷原子数量的1.5倍。传感器黑磷-砷晶体-As0.6P0.4,黑磷-砷晶体-AsP-二维褶皱蜂窝状材料。黑磷-砷晶体-As0.83P0.17。原创 2023-10-26 10:42:06 · 42 阅读 · 0 评论 -
二维黑砷磷(P:As=8:2,P0.8As0.2),黑磷-砷晶体-As0.83P0.17具有良好的电子传输性能
介绍了一种基于黑砷磷的天线耦合太赫兹探测器.实验结果表明,在探测过程中存在两种不同的探测机制,并且两者之间存在竞争关系.通过改变黑砷磷的化学组分可以定制不同的探测机制,使其达到最优响应性能.在平衡材料带隙和载流子迁移率的情况下,探测器实现了室温下对0.37 THz电磁波的灵敏探测,其电压响应度和噪声等效功率分别为28.23 V/W和0.53 nW/Hz1a。二维黑砷磷(P:As=8:2,P0.8As0.2),黑磷-砷晶体-As0.83P0.17具有良好的电子传输性能。黑磷-砷晶体-As0.83P0.17。原创 2023-10-26 10:35:32 · 69 阅读 · 0 评论 -
钛酸锶SrTiO3晶体基片,钙钛矿太阳能电池材料-生长方法-火焰法,浮区法
采用两步熔盐法制备钙钛矿结构 的片状SrTiO3晶体,利用XRD,SEM等手段研究了Sr3Ti2O7和SrTiO3晶粒的形成过程和微观形貌.钛酸锶SrTiO3晶体基片,钙钛矿太阳能电池材料-生长方法-火焰法,浮区法。正切损耗:~5×10-4 (300k) ~3×10-4 (77k)黑磷-砷晶体-As0.83P0.17。黑磷-砷晶体-As0.25P0.75。热膨胀系数(C):9.4×10-6。黑磷-砷晶体-As0.6P0.4。硬度:6-6.5 (mohs)生长方法:火焰法,浮区法。黑磷-砷晶体-AsP。原创 2023-10-26 10:27:38 · 76 阅读 · 0 评论 -
高温超导-ysz晶体块,掺钇氧化锆,Al2O3蓝宝石晶体基片广应用于光学和微电子领
YSZ晶体的中文名称是"氧化锆稳定钇"。用微波法在乙醇介质中通过掺杂不同含量的钇合成二氧化锆单斜相(m-ZrO2),四方相(t-ZrO2),立方相(c-ZrO2)或其混合相纳米晶体.t-ZrO2和c-ZrO2纳米晶体的XRD特征峰很相似,难以区分.用红外图谱较好区分了t-ZrO2和c-ZrO2纳米晶体.结果表明:纯二氧化锆为60%左右的斜方相和40%左右的四方相组成,4%含量的钇稳定二氧化锆(4%YSZ)为85%四方相和15%斜方相组成,8%YSZ为一半四方相和一半立方相组成,15%YSZ及以上为立方相.原创 2023-10-25 10:30:20 · 49 阅读 · 0 评论 -
卤化物闪烁体CSI:TI晶体 尺寸10*10*1mm 双抛,晶体结构:立方
CSI:TI晶体属于闪烁晶体,当高能射线(如X射线,Y射线)或其它放射性粒子通过某些晶体时,因射线或粒子的激发,该类晶体会发出荧光脉冲(闪烁光),具有这种性质的晶体称为闪烁晶体。闪烁晶体一般对自己发出的荧光是透明的,因而如果将闪烁晶体与光接收器件如CCD成像板或光电倍增管耦合,便可制成晶体闪烁探测计数器。密度较大,对带电粒子阻止本领大,对射线有很高的吸收系数、发光效率高、发光强度与入射线的能量有良好的线性关系、荧光衰减快、光学均匀性好以及对产生的荧光透明性好等,在中子探测中还要求含有对中子敏感的元素等。原创 2023-10-25 10:21:51 · 107 阅读 · 0 评论 -
铌酸锂晶体基片,(LiNbO3简称LN),广应用于光调制器光学开关
晶体在掺杂或者生长过程不可避免氢离子进入晶体内部,而通常实验中常忽略氢的影响,这对晶体中抗光折变的研究和应用不利。对于铁的掺杂LN晶体,由于铁价态的不稳定,在晶体内部会出现+2价与+3价两个价态,文献中,Fe离子在晶体中能级均被统一标志为Fe离子中心。应用于光调制器光学开关、光参量振荡器、激光倍频器、光折变器件、光波导基片和光隔离器等方面。铌酸锂晶体(LiNbO3简称LN)具有良好的电光、声光、非线性光学等物理性质,并且具有热稳定性和化学稳定性,光参量振荡器、激光倍频器、光折变器件、光波导基片和光隔离器。原创 2023-10-25 10:14:50 · 146 阅读 · 0 评论 -
锗酸铋晶体(BGO 尺寸10*10*1mm 双抛,Bi4Ge3O12晶体基片-闪烁晶体
与提拉法相比,坩埚下降法具有如下特点:(1)晶体的形状和尺寸随坩埚而定,适合生长大尺寸或异型晶体;提拉法的主要优点在于生长过程易于观察,便于控制温度梯度,能显著减小晶体应力,防止绀蜗壁的寄生成核,还可以方便地使用定向籽晶和“缩颈”工艺,降低位错密度.在提拉法生长 BGO晶体的过程中,转速、提拉速度和温度梯度是至关重要的.通常,采用较大的转速、较小的提拉速度和较小的温度梯度有利于生长优质BGO 晶体.俄罗斯无机化学研究所采用低温度梯度提拉生长技术生长了大尺寸BGO晶体,其闪烁性能良好。黑磷-砷晶体-AsP。原创 2023-10-25 10:09:45 · 45 阅读 · 0 评论 -
CdZnTe纳米晶体,cdTe纳米晶体,CeF2纳米晶体,CrI3纳米晶体具有磁性可调性
层状结构在碳化物和硝酸盐中常见,是铬三碘的一种典型结构。范德华力:层状结构中,层与层之间的相互作用主要是范德华力,这种相互作用相对较弱,因此使得层能够在晶格中相对容易地滑动。CdTe(碲化镉)纳米晶体是由镉(Cd)和碲(Te)元素组成的纳米材料,具有一系列特别的性质,使其在半导体和光电子学领域具有广的应用。层状结构:CrI3的晶体结构是一种层状结构,其中铬和碘原子以特定的方式排列在一起,形成平行于晶体表面的层。铬原子层:在CrI3的结构中,铬原子层是具有六角形排列的层,其中每个铬原子周围有六个碘原子。原创 2023-09-13 10:21:45 · 78 阅读 · 0 评论 -
二维材料caco3纳米晶体,C(金刚石)单晶,cu纳米晶体,ce:Lu2S105纳米晶体
C(碳)单晶指的是金刚石(Diamond),它是由碳(C)元素组成的单晶材料。金刚石是一种碳的同素异形体,其碳原子以晶体结构排列,形成了坚硬、透明和具有出色光学特性的材料。在这些结构中,铈(Ce)、镥(Lu)、硫(S)和氧化铈掺杂物原子以特定的方式排列在晶格中。晶体尺寸:Ce:Lu2S3纳米晶体的尺寸通常在纳米尺度范围内,这意味着它们的晶体结构可能受到尺寸效应的影响,导致其性质有所不同。光学性质:Ce:Lu2S3纳米晶体的光学性质可能受到氧化铈掺杂的影响,可能在紫外光谱范围内具有吸收和发射光的特性。原创 2023-09-13 10:19:56 · 50 阅读 · 0 评论 -
纳米材料-BN纳米晶体,CrSiTe3纳米晶体,cds纳米晶体可用于生物标记、光学传感器
它们通常是纳米级别的结晶颗粒,具有特定的晶体结构和光学性质,对于光学、电子学和纳米科学领域具有广的研究和应用价值。总的来说,CdS纳米晶体是一种重要的纳米材料,具有良好的光学性质和半导体性质,因此在多个领域中具有广的研究和应用潜力。纳米尺寸效应:CdS纳米晶体的光学性质和电子性质受其尺寸影响,这被称为纳米尺寸效应。通过控制CdS纳米晶体的尺寸,可以调整其吸收和发射光的波长,因此在多种应用中具有潜在价值。光学性质:CdS纳米晶体具有卓越的光学性质,包括荧光、吸收和发射光的能力。3-氨丙基三甲氧基硅烷。原创 2023-09-13 10:18:15 · 146 阅读 · 0 评论 -
BaTi03纳米晶体,BSO纳米晶体是一种具有非线性光学性质的材料
钙钛矿结构的一个特点是它的晶胞中包含多个金属和氧原子,它们以特定的方式排列在一起,形成一个稳定的晶体结构。BSO(铋硅酸钡)纳米晶体通常具有复杂的结构,其晶体结构是由铋(Bi)、硅(Si)、氧(O)和钡(Ba)原子组成的。BSO是一种具有非线性光学性质的材料,因此在光学器件和非线性光学应用中具有广的应用。总的来说,BSO纳米晶体具有复杂的钙钛矿结构,具有重要的非线性光学性质,因此在光学和光电子学领域中具有潜在的应用潜力。BaTi03纳米晶体,BSO纳米晶体是一种具有非线性光学性质的材料。原创 2023-09-13 10:16:21 · 49 阅读 · 0 评论 -
二维材料A1203纳米晶体,A1N单晶,具有六方晶体结构
AlN单晶具有特别的物理和化学性质,因此在多个应用领域具有重要作用。AlN单晶在电子、光电子、热管理和材料科学领域具有广的应用,特别是在制造高性能半导体器件、光学器件和热界面材料方面。热导率:AlN单晶具有很高的热导率,这使得它在高温应用中特别有用。由于其良好的热导率,AlN常用作高功率电子器件和高温电子器件的散热材料。晶体结构:AlN单晶通常具有六方晶体结构,这是一种特别的晶体结构。化学稳定性:AlN在高温和化学侵蚀条件下具有良好的稳定性,这使得它适用于极端环境下的应用。BiFeo3纳米薄膜。原创 2023-09-13 10:15:07 · 126 阅读 · 0 评论 -
拓扑绝缘体-碲锗化铬 Cr2Ge2Te6晶体,A1纳米晶体,Aul纳米晶体,Ag纳米晶体
在面心立方结构中,银原子位于晶格的顶点和中心,形成紧密堆积的三维结构。银纳米晶体可以具有多种不同的晶体结构,但zui常见的是面心立方晶体结构(FCC,也称为典型的银晶体结构)。Cr-Te层:晶体的zui底部是由铬和碲原子组成的层,这些原子以一种特定的排列方式堆叠在一起。Cr2Ge2Te6(铬锗碲化物)晶体具有一种特别的结构,它是一种层状材料,其中铬(Cr)、锗(Ge)和碲(Te)原子以特定的方式排列组成晶体结构。拓扑绝缘体-碲锗化铬 Cr2Ge2Te6晶体,A1纳米晶体,Aul纳米晶体,Ag纳米晶体。原创 2023-09-13 10:13:23 · 69 阅读 · 0 评论 -
闪烁晶体锗酸铋(BGO),Bi2se309晶体,三溴化铬晶体,CrBr3晶体具有磁性性质
这些表面态在材料的表面或边缘出现,具有特别的电子性质,如自旋-角动量锁定,对于拓扑绝缘体的性质至关重要。Bi2Se3和类似的拓扑绝缘体在凝聚态物理和电子学研究中引起了广的兴趣,因为它们可能具有重要的应用潜力,特别是在量子信息处理和拓扑电子学领域。总的来说,CrBr3晶体是一种多功能的材料,具有特别的磁性、光学和电子性质,因此在多个领域,如磁性研究、拓扑材料研究和光学应用中都具有潜在的科学和技术价值。闪烁晶体锗酸铋(BGO),Bi2se309晶体,三溴化铬晶体,CrBr3晶体具有磁性性质。原创 2023-09-13 10:11:23 · 104 阅读 · 0 评论 -
二维溴化铬晶体,cuInP2S6晶体,氟化钙晶体,Cr2Ge2Te6晶体是一种拓扑绝缘体
拓扑绝缘体:Cr2Ge2Te6被认为是一种拓扑绝缘体,这意味着它在材料内部的电子结构具有拓扑保护的表面态。这种材料由铬(Cr)、锗(Ge)和碲(Te)元素组成,其电子结构和拓扑性质使其在凝聚态物理和电子学领域引起了广的研究兴趣。电子学和器件:由于其拓扑性质,Cr2Ge2Te6被研究用于新型电子器件的开发,如拓扑绝缘体晶体管和拓扑绝缘体自旋电子学器件。总的来说,Cr2Ge2Te6晶体是一种具有特别电子性质的材料,因其在拓扑电子学、磁性研究和新型电子器件中的应用潜力而备受关注。仅用于科研,RL2023.9。原创 2023-09-13 10:09:35 · 41 阅读 · 0 评论 -
二维半导体材料CsI (TI)晶体,cuInP2S6纳米晶体具有层状结构
二维性质:由于其层状结构,CuInP2S6纳米晶体也被研究用于二维材料领域,类似于石墨烯和过渡金属二硫化物(TMDs)。CuInP2S6(铜铟二磷六硫)纳米晶体是一种二维半导体材料,具有多种应用潜力,特别是在光电子学和纳米器件领域。半导体性质:CuInP2S6是一种半导体材料,其电子结构使其具有可调控的电子和光学性质。总的来说,CuInP2S6纳米晶体是一种多功能的材料,由于其半导体性质、层状结构和光学性质,在光电子学、纳米器件和二维材料研究中都具有广的应用潜力。Bi2se309晶体。原创 2023-09-13 10:06:44 · 146 阅读 · 0 评论 -
二维材料Bi2se309纳米晶体,Bi2Se3 硒化铋晶体可用于电子学和器件
三维拓扑绝缘体:Bi2Se3是一种三维拓扑绝缘体,这意味着它在材料内部的电子结构具有特别的拓扑性质。它是一种三维拓扑绝缘体,具有一些特别的电子性质,因此在凝聚态物理和电子学领域引起了广的研究兴趣。电子学和器件:由于其特别的电子性质,Bi2Se3被研究用于新型电子器件,如拓扑绝缘体晶体管和拓扑绝缘体自旋电子学器件。这些器件在量子计算和量子信息处理中具有潜力。总的来说,Bi2Se3是一种多功能的半导体材料,具有在拓扑绝缘体、热电材料、电子器件和磁电应用中的潜力,因此在科学研究和技术开发中引起了广的兴趣。原创 2023-09-13 10:04:24 · 165 阅读 · 0 评论 -
BGO晶体, Bi2Te3 碲化铋晶体,锗酸铋晶体是一种重要的半导体材料
锗酸铋BGO晶体是一种无色透明的非极性氧化物晶体,具有立方结构。层状结构:Bi2Te3晶体具有层状结构,其中铋原子和碲原子排列成多个层,这些层之间通过范德华力相互作用。Bi2Te3(碲化铋)是一种重要的半导体材料,具有多种应用,特别是在热电领域。半导体性质:Bi2Te3是一种半导体,具有能隙,可以控制电子和空穴的导电性。总的来说,Bi2Te3是一种多功能的材料,因其热电性能和半导体性质,在多个领域都具有广的应用前景。BGO晶体, Bi2Te3 碲化铋晶体,锗酸铋晶体是一种重要的半导体材料。原创 2023-09-13 10:00:00 · 127 阅读 · 0 评论