本周专题:Perc、TOPCon、HJT与IBC,各家电池片技术路线差异几何?
1)PERC:PERC电池的工艺流程相对简单且设备成熟,近两年来,标配一些提效工艺,如激光SE、碱抛、光注入/电注入等。PERC 技术以背面钝化层的沉积和激光开槽为主,后续在此基础上进行工艺改进优化时增加正面SE激光和光注入/电注入退火等工艺。
2)TOPCon:首先在电池背面制备一层1~2nm的隧穿氧化层,然后再沉积一层掺杂多晶硅,二者共同形成钝化接触结构,为硅片 的背面提供良好的界面钝化。
3)HJT:以N型单晶硅(C-Si)为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面依次沉积厚度为5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H)和掺杂的 P型非晶硅(P-a-Si:H),和硅衬底形成p-n异质结。硅片的背面又通过沉积厚度为5-10nm的i-a-Si:H和掺杂的N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背 表面场,双面沉积的透明导电氧化物薄膜(TCO) ,最后通过丝网印刷在两侧的顶层形成金属基电极,即为异质结电池的典型结构。
4)IBC:将p+掺杂区域和n+掺杂区域均放置在电池背面(非受光面)的太阳能电池,ibc电池的受光面无任何金属电极遮挡,从而 有效增加电池的短路电流,使电池的能量转化效率得到提高。
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