PMOS和NMOS的区分及导通方式

最新推荐文章于 2025-03-21 08:33:29 发布
最新推荐文章于 2025-03-21 08:33:29 发布
阅读量6.2w 收藏 109
点赞数 26
分类专栏： # STM32F4 嵌入式驱动软件
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/heda3/article/details/80629059
版权
本文介绍了NMOS与PMOS两种金属氧化物半导体场效应晶体管的工作原理。NMOS在栅极高电平时导通，而PMOS则在栅极低电平时导通。这两种器件分别用于控制电路与地及电源之间的连接。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

NMOS：

是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。

PMOS：

是栅极低电平（VGS < Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。


NMOS与PMOS的区分及使用
10-21 5万+
1、箭头指向栅极G的为NMOS，反之为PMOS 2、箭头的方向代表了电子的运动方向，电流方向与之相反 3、P Channel mosfet current direction 源極的源是指載流子的起點；漏極的漏是指載流子的終點。載流子從源極出發，穿過溝道，到達漏極，從外部看，載流子最終從漏極漏出去了。顯然，NMOS和PMOS的載流子是不同的，因此導致了令人困惑的電流方向問題。盯住載流子即可，別被電流方向迷惑。 可以簡單地認為，柵極和襯底間的電壓超過閾值後，漏極和源極就接通了，而電流大小則
NMOS和PMOS的区别
m0_53033596的博客
05-28 1万+
文章所有公式、文字都是本人一个一个敲出来的，部分图是一点一滴画出来的，创作不易，对您有所帮助的话。
NMOS和PMOS
m0_61973119的博客
11-29 7085
1） mos管的三个极分别是：G（栅极），D（漏极），S（源极），要求栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和原籍才能导通。2）如何判断是nmos管还是pmos管？N沟道箭头向里，P沟道箭头向外3）如何判断哪一端是S极和D极？两根线连接在一起的一端是S端4）寄生二极管方向画法？中间衬底箭头方向和寄生二级管的箭头方向总是一致的。
NMOS管与PMOS管的区别与总结
最新发布
SDTechnology的博客
03-21 1046
栅极（Gate, G）：通过施加电压控制导电沟道的形成。漏极（Drain, D）：电流输出端。源极（Source, S）：电流输入端。
PMOS 和 NMOS的区别
phenixyf的专栏
08-14 1万+
NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。 PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通， 缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低，优点是容易驱动，只要把栅极电压拉下来就可以了 本文来自：我爱研发网(52RD.com) - R&D大本营 详细出处：http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=192
NMOS和PMOS区别
七水的博客
06-18 3万+
一直以为PMOS是Vgs>Vt就导通，原来正好相反。PMOS是Vgs小于Vt（阈值电压）时，导通！ 转载资料： NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。   PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，
PMOS与NMOS的区别
weixin_35755188的博客
02-13 3495
PMOS和NMOS是两种不同类型的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor )，它们的主要区别在于它们的极性(polarity)。 PMOS(p-channel MOS)是一种正极性的MOS管，它的源极(source)和汇极(drain)是p-type半导体，而导通电路中的控制电极(gate)是n-type半导体。当电压在PMOS的控制电极上升时，它会导致PMOS的导通电阻减小...
NMOS和PMOS有什么区别？.pdf
09-13
NMOS和PMOS有什么区别？pdf,NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
三极管
10-08 2559
三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 N沟道还是P沟道 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 寄生二极管方向如何判定 不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S MOS开关实现的功能 1>信号切换 2>电压通断 MOS管用作开关时在电路..
NMOS与PMOS的导通条件与使用方法
luolt42的博客
01-04 2万+
如果MOS管用作开关时，（不论N沟道还是P沟道），一定是寄生二极管的负极接输入边，正极接输出端或接地。如图2所示 由于寄生二极管直接导通，因此S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702，MDV1660，常见的有：AOL1448，AOL1428A，AON7406，AON7702，MDV1660，比如常见的：2N7002，2N7002E，2N7002K，2N7002D，FDV301N。要么都由S指向D，要么都由D指向S。
PMOS管的导通条件
weixin_47349306的博客
01-20 3703
PMOS管（P型金属氧化物半导体场效应晶体管）的导通条件主要与其栅极（Gate）、源极（Source）和漏极（Drain）之间的电压关系有关。
MOS管导通条件
qq_41069421的博客
01-09 3万+
PMOS增强型管：uG-uS&amp;lt;0 , 且 |uG-uS|&amp;gt;|uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压； NMOS增强型管：uG-uS&amp;gt;0，且 |uG-uS|&amp;gt;|uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压； PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。 比如AOD409是一款P型MOS管，详细资料可以在alldatasheet里下载芯片资料。其中uGS=...
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件
热门推荐
perseverance51博客
11-12 7万+
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件 PMOS，SOT-23-3封装引脚 导通条件 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。 NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~1
mos管的导通特性了解
qq_53576516的博客
11-09 4240
mos管的导通特性了解
NMOS和PMOS的简单介绍
GodArtemis的博客
06-26 1万+
四是GS之间的寄生电容Cgs，所有的NMOS管都有，这是制造工艺的问题无法被避免，Cgs影响NMOS管的打开速度，因为栅极处的电压会首先给Cgs充电，导致GS之间的电压不能一下子到达给定值，有一个爬升的过程，当然因为Cgs比较小，所以我们平时感觉不到它，但Cgs对高速的PWM控制场景是致命的，当PWM的周期接近于这个爬升时间时，波形就会失真，Cgs与Rds之间成反比。NMOS管和PMOS管最主要的区别就是当栅极G为高电平时，NMOS管导通，为低电平时，NMOS管关闭，而PMOS管恰恰相反。
48V-110V转5V12VDC降压芯片
weixin_48665390的博客
09-23 4001
48V-110V转5V12VDC降压芯片 关于开关电源芯片，要设计一个输入电压直流Dc48V到110V。 输出 ：电压直流dc 5V、12V、15V、24V的开关电源，只要用一个我们公司的AH862的开关电源就可以做到，芯片输入电压范围48V/60V/72V/80V/90V/110V/120V，是种成本最低的电源电路，输出功率为15W，可以输出不同的电压3V-36V，且有较好的电压调整率，较大的宽电压输入范围15V-200V,工作电流1A-3A,因此可大大提高电源的转换效率应用较为广泛如电动自行车控制器 ◆
pmos导通条件 图示_原装现货RSA6.1U5T108Rohm如何导通,PPTC自恢复保险丝
weixin_39853843的博客
12-14 356
上海雷卯电子科技有限公司 为您详细解读TEtVeb原装现货如何导通的相关知识与详情，接口位置：RS485/232，Leiditech型号：，满足庇护功用：10/700uS 差模6KV，共模6KV；接口位置：XDSL，Leiditech型号：P3500SB，满足庇护功用：10/700uS 差模6KV，共模6KV,满足电力线测试；在规定温度和工作电压条件下，流过TVS的电流。ressors，即瞬态抑...
如何区分pmos和nmos
10-28
PMOS（Positive Metal-Oxide-Semiconductor）和NMOS（Negative Metal-Oxide-Semiconductor）是两种基本类型的金属栅极场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）。它们的区别在于： 1. **电荷类型**: - PMOS：它的沟道是由P型半导体材料制成，当栅极施加正电压时，带正电的空穴（少子）导电，所以称为"正向导通"。 - NMOS：相反，其沟道由N型半导体材料制成，当栅极施加负电压时，带负电的电子（多数载流子）导电，因此称为"反向导通"。 2. **工作状态**: - PMOS在开启时（Vg > 0），内部的P-N结截止，形成高阻抗状态；而当Vg < 0时，开启导通。 - NMOS则相反，在开启时（Vg < 0），内部的N-P结截止，导通；当Vg > 0时，截止。 3. **应用场合**: - PMOS通常用于开关电路中的高电压、低电流应用场景，因为P型半导体的阈值电压较高。 - NMOS因其较低的阈值电压，更常用于低电压、大电流的开关或放大电路。
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

heda3

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值