PMOS和NMOS的区分及导通方式

最新推荐文章于 2024-05-28 01:10:32 发布
最新推荐文章于 2024-05-28 01:10:32 发布
阅读量5.9w 收藏 97
点赞数 21
分类专栏： # STM32F4 嵌入式驱动软件
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/heda3/article/details/80629059
版权

NMOS：

是栅极高电平（VGS > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。

PMOS：

是栅极低电平（VGS < Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。


heda3
关注
  • 21
    点赞
  • 踩
  • 97
    收藏
    觉得还不错? 一键收藏
  • 打赏
    打赏
  • 1
    评论
专栏目录
48V-110V转5V12VDC降压芯片
weixin_48665390的博客
09-23 3439
48V-110V转5V12VDC降压芯片 关于开关电源芯片，要设计一个输入电压直流Dc48V到110V。 输出 ：电压直流dc 5V、12V、15V、24V的开关电源，只要用一个我们公司的AH862的开关电源就可以做到，芯片输入电压范围48V/60V/72V/80V/90V/110V/120V，是种成本最低的电源电路，输出功率为15W，可以输出不同的电压3V-36V，且有较好的电压调整率，较大的宽电压输入范围15V-200V,工作电流1A-3A,因此可大大提高电源的转换效率应用较为广泛如电动自行车控制器 ◆
PMOS 与 NMOS 沟道导通电阻详解.pdf
12-02
PMOS 与 NMOS 沟道导通电阻详解.pdf
mos管导通条件
wuyihao123的博客
05-18 236
NMOS和PMOS区别
热门推荐
七水的博客
06-18 3万+
一直以为PMOS是Vgs>Vt就导通，原来正好相反。PMOS是Vgs小于Vt（阈值电压）时，导通！ 转载资料： NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。   PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，
NMOS和PMOS电流流向以及导通条件
深圳市泛海微电子有限公司
03-29 576
这是因为在NMOS晶体管中，沟道是由电子形成的，当栅极电压降低时，它会吸引沟道中的电子，使得沟道变窄，从而允许电流从源极流向漏极。PMOS，一般使用PMOS作为上管，S极直接接电源VCC，S极电压固定，只需G极电压比S极低，Vgs小于一定的值就会导通。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
NMOS和PMOS有什么区别？.pdf
09-13
NMOS和PMOS有什么区别？pdf,NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
PMOS 和 NMOS的区别
phenixyf的专栏
08-14 1万+
NMOS是栅极高电平导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。 PMOS是栅极低电平导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通， 缺点是价格贵、导通电阻大、发热大、效率低，优点是容易驱动，只要把栅极电压拉下来就可以了 本文来自：我爱研发网(52RD.com) - R&D大本营 详细出处：http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=192
NMOS和PMOS的区别
最新发布
m0_53033596的博客
05-28 1656
文章所有公式、文字都是本人一个一个敲出来的，部分图是一点一滴画出来的，创作不易，对您有所帮助的话。
PMOS与NMOS的区别
weixin_35755188的博客
02-13 2998
PMOS和NMOS是两种不同类型的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor )，它们的主要区别在于它们的极性(polarity)。 PMOS(p-channel MOS)是一种正极性的MOS管，它的源极(source)和汇极(drain)是p-type半导体，而导通电路中的控制电极(gate)是n-type半导体。当电压在PMOS的控制电极上升时，它会导致PMOS的导通电阻减小...
三极管
10-08 2138
三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 N沟道还是P沟道 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 寄生二极管方向如何判定 不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S MOS开关实现的功能 1>信号切换 2>电压通断 MOS管用作开关时在电路..
为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大-透彻详解 .pdf
04-08
为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大-透彻详解 .pdf
为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大-透彻详解 .rar
09-10
为什么PMOS比NMOS的沟道导通电阻大-透彻详解 .rar
NMOS和PMOS有什么区别
07-14
本文主要讲了nmos和pmos有什么区别，希望对您的学习有所帮助。
NMOS和PMOS识别
08-11
文章中通过图示说明NMOS和PMOS识别，形象的展示了NMOS和PMOS的电流流向。
nmos与pmos LDO 的区别
03-27
To be able to explain the differences between NMOS and PMOS Linear Voltage Regulators; their basic operation, advantages and limitations, as well as identifing applications where one, or the other, ...
MOS管导通条件
qq_41069421的博客
01-09 3万+
PMOS增强型管：uG-uS&amp;lt;0 , 且 |uG-uS|&amp;gt;|uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压； NMOS增强型管：uG-uS&amp;gt;0，且 |uG-uS|&amp;gt;|uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压； PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。 比如AOD409是一款P型MOS管，详细资料可以在alldatasheet里下载芯片资料。其中uGS=...
mos管的导通特性了解
qq_53576516的博客
11-09 3289
mos管的导通特性了解
PMOS+NMOS半桥
07-29
PMOS+NMOS半桥是一种常见的电路拓扑结构，用于实现功率开关和信号放大等应用。在这种半桥结构中，PMOS管和NMOS管被串联连接，形成一个开关电路。PMOS管和NMOS管的工作原理有所不同。 PMOS管是一种P沟道MOS管，其栅极与源极之间的电压控制着漏极和源极之间的电流流动。当栅极电压低于源极电压时，PMOS管导通，电流可以从漏极流向源极。当栅极电压高于源极电压时，PMOS管截止，电流无法通过。因此，PMOS管的导通与截止是由栅极电压控制的。 NMOS管是一种N沟道MOS管，其栅极与源极之间的电压控制着漏极和源极之间的电流流动。当栅极电压高于源极电压时，NMOS管导通，电流可以从源极流向漏极。当栅极电压低于源极电压时，NMOS管截止，电流无法通过。因此，NMOS管的导通与截止也是由栅极电压控制的。 在PMOS+NMOS半桥中，通过控制PMOS管和NMOS管的栅极电压，可以实现对电路的开关控制。当PMOS管导通时，NMOS管截止，电路处于高电平状态；当NMOS管导通时，PMOS管截止，电路处于低电平状态。通过交替控制PMOS和NMOS的导通与截止，可以实现电路的开关功能。 总结来说，PMOS+NMOS半桥是一种常见的电路拓扑结构，通过控制PMOS和NMOS管的导通与截止，实现电路的开关控制。\[1\]\[2\]\[3\] #### 引用[.reference_title] - *1* *2* [三极管 vs MOS管 | PMOS与NMOS](https://blog.csdn.net/qq_27741499/article/details/128418648)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insert_down1,239^v4^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *3* [H桥和NMOS,PMOS理解](https://blog.csdn.net/weixin_45003321/article/details/125177901)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insert_down1,239^v4^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] [ .reference_list ]

“相关推荐”对你有帮助么？

  • 非常没帮助
  • 没帮助
  • 一般
  • 有帮助
  • 非常有帮助
提交
评论 1
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包

打赏作者

heda3

你的鼓励将是我创作的最大动力

¥1 ¥2 ¥4 ¥6 ¥10 ¥20
扫码支付：¥1
获取中
扫码支付

您的余额不足，请更换扫码支付或充值

打赏作者

实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值