NMOS与PMOS的区分及使用

最新推荐文章于 2024-08-23 11:03:20 发布
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分类专栏： 硬件电路设计，PCB设计 文章标签： 硬件工程
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本文链接：https://blog.csdn.net/liyangtheking/article/details/120895308
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本文详细介绍了NMOS和PMOS的区别，包括箭头指向栅极的标识、载流子运动方向以及电流方向。阐述了MOSFET作为开关的工作原理，解释了在驱动感性负载时体二极管的重要性。同时，通过实例展示了如何设计并使用NMOS和PMOS开关电路，以控制负载的通断。
摘要由CSDN通过智能技术生成

1、箭头指向栅极G的为NMOS，反之为PMOS

2、箭头的方向代表了电子的运动方向，电流方向与之相反

3、P Channel mosfet current direction

源極的源是指載流子的起點；漏極的漏是指載流子的終點。載流子從源極出發，穿過溝道，到達漏極，從外部看，載流子最終從漏極漏出去了。顯然，NMOS和PMOS的載流子是不同的，因此導致了令人困惑的電流方向問題。盯住載流子即可，別被電流方向迷惑。

可以簡單地認為，柵極和襯底間的電壓超過閾值後，漏極和源極就接通了，而電流大小則是由柵漏源三極間的電壓決定。因為MOS是對稱結構，所以源極和漏極無區別且可互換。

關於D和S，也就是漏和源，其實是從工藝角度觀察的結果。在MOS中，有兩種載流子，一種是電子，另一種是

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COMS原理及门电路设计
king阿金
04-07 1万+
目录 1.N/P MOS管的物理结构图 2.N/P MOS管的工作原理 3.N/P MOS管的抽象模型 4.典型门电路设计 1.cmos反相器设计 2.coms与非门与或非门设计 3.与或非门、或与非门设计 4.异或、同或设计 5.设计方法总结 参考资料 关于CMOS进一步的组合逻辑与时序逻辑设计请参考： CMOS的宽/长比、传输门与三态门、锁存器与触发器、简单版图、竞争与...
PMOS、NMOS 驱动电路和使用方法
qq_41544116的博客
07-25 1037
下图就是 PMOS 和 NMOS 的简单使用方法。D2 是指示灯，NMOS 的 G 连接单片机 IO，PMOS 的 D 连接 24V 继电器，PMOS 的体二极管作为继电器的反向电动势的吸收二极管PMOS 和 NMOS 不一样，在远超单片机电压下控制 PMOS 必须依靠一个 NMOS，不能用单片机的 IO 直接代替这里的 NMOS 作控制，不然高压会直接击穿单片机也许可以这么理解：PMOS 用于发送正电压，NMOS 用于接收正电压。
NMOS和PMOS的区别
m0_53033596的博客
05-28 6691
文章所有公式、文字都是本人一个一个敲出来的，部分图是一点一滴画出来的，创作不易，对您有所帮助的话。
NMOS管
最新发布
Freesial_的博客
08-23 836
4、一般的MOS管DS极之间会自带一个肖特基二极管 MOS由于自身结构会有一个寄生二极管，有的厂家生产时会故意把这个二极管做大，增强MOS的性能。状态2： 单片机输出高电平，Q22导通，A点为低电平， 电流方向如图所示，Q20截至，Q23导通，B为低电平 MOS关断，电机的自感电流流过D7。状态1： 单片机输出低电平，Q22截至，A点为高电平， 电流方向如图所示，Q20导通，Q23截至，B为高电平 MOS导通，电机转动。Q22的作用：电平变换，把单片机的0V/5V电平变为12V/0V电平。
PMOS与NMOS的区别
weixin_35755188的博客
02-13 3254
PMOS和NMOS是两种不同类型的MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor )，它们的主要区别在于它们的极性(polarity)。 PMOS(p-channel MOS)是一种正极性的MOS管，它的源极(source)和汇极(drain)是p-type半导体，而导通电路中的控制电极(gate)是n-type半导体。当电压在PMOS的控制电极上升时，它会导致PMOS的导通电阻减小...
PMOS 和 NMOS使用总结
热门推荐
phenixyf的专栏
05-15 7万+
PMOS:   NMOS:   NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。 PMOS是栅极低电平（|VGS| > Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。 NMOS因Source端一般接地（低电位），所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压，这样管子才能导通； PMOS因Source端...
NMOS和PMOS有什么区别
07-14
本文主要讲了nmos和pmos有什么区别，希望对您的学习有所帮助。
NMOS和PMOS区别
weixin_30649859的博客
05-06 3117
在很多电路途中会出现NMOS和PMOS管，因为不是中文那么直接，都说管压降之类的，但其实它的导通很重要以及区别，关系到你点亮电子元件》 参考： 1.https://blog.csdn.net/lg2lh/article/details/9124855 2.http://www.52rd.com/bbs/Archive_Thread.asp?SID=108410&TID=2 3.ht...
三极管
10-08 2283
三个极怎么判定 G极(gate)—栅极，不用说比较好认 S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是 D极(drain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边 N沟道还是P沟道 箭头指向G极的是N沟道 箭头背向G极的是P沟道 寄生二极管方向如何判定 不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由S指向D，要么都有D指向S MOS开关实现的功能 1>信号切换 2>电压通断 MOS管用作开关时在电路..
PMOS 和 NMOS区别
weixin_44564958的博客
02-16 1794
D：漏极 G：源极 S：栅极 NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。 PMOS是栅极低电平（|VGS| > Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。 NMOS因Source端一般接地（低电位），所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压，这样管子才能导通； PMOS因Source端一般接VDD（高电平），所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压（低与VDD的电压），这样管子才能导通。 .
NMOS和PMOS的简单介绍
GodArtemis的博客
06-26 4620
四是GS之间的寄生电容Cgs，所有的NMOS管都有，这是制造工艺的问题无法被避免，Cgs影响NMOS管的打开速度，因为栅极处的电压会首先给Cgs充电，导致GS之间的电压不能一下子到达给定值，有一个爬升的过程，当然因为Cgs比较小，所以我们平时感觉不到它，但Cgs对高速的PWM控制场景是致命的，当PWM的周期接近于这个爬升时间时，波形就会失真，Cgs与Rds之间成反比。NMOS管和PMOS管最主要的区别就是当栅极G为高电平时，NMOS管导通，为低电平时，NMOS管关闭，而PMOS管恰恰相反。
NMOS和PMOS有什么区别？.pdf
09-13
NMOS和PMOS有什么区别？pdf,NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
NMOS和PMOS识别
08-11
文章中通过图示说明NMOS和PMOS识别，形象的展示了NMOS和PMOS的电流流向。
nmos与pmos LDO 的区别
03-27
To be able to explain the differences between NMOS and PMOS Linear Voltage Regulators; their basic operation, advantages and limitations, as well as identifing applications where one, or the other, would be appropriate choice.
NOMS 跟 PMOS 区分
02-04
#### 二、NMOS与PMOS的基本概念 ##### 2.1 NMOS管 - **定义**：NMOS管是在P型半导体衬底上通过高浓度N型掺杂形成源极和漏极，当栅极电压高于阈值电压时，会在P型衬底和N型掺杂区域之间形成N型导电沟道的一种MOS管...
NMOS和PMOS的用途
07-28
- *1* *2* *3* [NMOS与PMOS的区分及使用](https://blog.csdn.net/liyangtheking/article/details/120895308)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_...
硬件电路学习记录（七）——全面概述MOS管
Klusfsc的博客
08-04 886
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET）是一种常用的场效应晶体管，用于开关和放大电路。MOSFET是现代电子电路中最常见的一种晶体管，广泛应用于模拟电路和数字电路。MOSFET有两种主要类型：N沟道MOSFET（NMOS）和P沟道MOSFET（PMOS）。
NMOS和PMOS
DepaJun的专栏
10-01 4184
在实际项目中，我们基本都用增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。 我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。     1.导通特性  NMOS的特性，Vgs大于一定的值
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