开关电源各种拓扑鉴赏(持续更新)

前言

隔离开关电源拓扑选择:

10W以内用常用RCC自激振荡、

10~100W用反激拓扑(75W以上有PF要求)、

100~300W用正激，双管反激，LLC准谐振、推挽

300~500W双管正激，LLC准谐振，半桥、

500~2000W双管正激，半桥，全桥、2000W以上全桥。

 

非隔离 - 降压拓扑

 

非隔离 - 升压拓扑

 

非隔离 - 升降压拓扑

 

自激振荡拓扑 - RCC振荡阻塞

先有通电即导通，后因npn拉低g极关断，又dcm模式辅绕使导通

• 原理详解

开启：通电mos导通，辅绕感应的电压加深饱和

翻转：mos一导通，电流采样电阻的压降使npn导通，此时拉低mos栅极电压，mos截止，辅绕正反馈，加深截止

关断：dcm模式励磁与节电容谐振阶段，辅绕感应相反电压，mos再次开启

 

自激振荡拓扑 - royer自激推挽

因管差异而启动，因辅绕正反馈而推进，因磁饱和而翻转

• 原理详解

开启：C2电容慢慢充电，那个管导通阈值小，那个管先导通，b极绕组起正反馈加深饱和导通，另一个则加深截止

翻转：磁饱和后，绕组压降为0，导通那管的管压降迅速拉高，退饱和，集电极电流减少，绕组感应反向电压，b极绕组正反馈加快退饱和至截止，另一管则导通

 

反激拓扑 - 单管反激

开通时原边储能，截至时副边释能

• 原理详解

开通：变压器原边电感充电，副边由于同名端不同二极管反向截至，负载又输出电容提供能量

关断：变压器原边MOS管截至，副边电感由于楞次定律充当电源，为负载和输出电容提供能量

 

反激拓扑 - 双管反激

与单管同理，MOS管同时导通关断，原边二极管是给尖峰电压提供泄放回路

• 原理详解

开通：上下管同时开启，输入电压给原边充能，副边由于同名端不同二极管反向截至，负载又输出电容提供能量

关断：上下管同时关断，瞬间的尖峰电压通过原边二极管回路给输入电源充电，副边电感由于楞次定律充当电源，为负载和输出电容提供能量

 

正激拓扑 - 单管正激

开通时原边既传递能量也储存能量，关断时原边辅助绕组给Vin充电去磁

• 原理详解

开通：原边既传递能量也储存能量，副边如Buck拓扑电感储能

关断：如果没有去磁回路变压器会饱和，W3是去磁回路原边去磁，副边如buck拓扑

 

半桥拓扑 - 对称半桥

原边上下管交替开关，变压器工作，副边双绕组全波整流

 

半桥拓扑 - 半桥LLC

此时Ir逆时针，上管zvs，充磁传能，谐振迫使无法再充，此时Ir顺时针，下管zvs，去磁反传能，谐振迫使无法再去...

• 原理详解(第二区间)

下关上准开死区（创造上管zvs）：Ir由下往上吸干S1结电容电压，为上管零电压开启做准备

下关上开传能状态（充磁）：Lm被副边钳压，仅仅Lr和Cr谐振，能量向副边传递

下关上开全谐振状态：由于谐振正弦波，Ir降到仅能励磁（没有过多电流传能）时，LmLrCr一起谐振

上关下准开死区（创造下管zvs）：上管关断，Ir释放了下管结电容的电压，为下管零电压开启做准备

上关下开反传能状态（去磁）：此时Ir已经很小了又失去Vin（上管关断），所以是副边给原边传能（相当于去磁），同时Lm被钳压，仅仅LrCr谐振

上关下开全谐振状态：由于谐振正弦波，Ir只能励磁时，LmLrCr一起谐振，记得此时Ir由下往上逆时针，回到第一段

• 特点

兼容高功率密度（充分利用漏感和结电容）和掉电时间保持时间（需要大容量输出电容与产品小体积的矛盾）

天生的软开关，

 

推挽拓扑

工作原理与半桥相似，不过原边绕组有中间抽头

• 特点

推挽管子大都工作在线性区，半桥管子则在开关状态

变压器存在饱和问题

mos管要承受两倍的峰值电压

副边全波整流 --> 纹波频率是变压器频率的两倍

 

全桥拓扑