timing inversion温度翻转效应

 传统工艺中，std cell延时随着温度的降低而减少；但是在先进工艺下，std cell延时在低温时反而随温度的降低而增大，这就是温度翻转效应。所以最差的延时可能出现在温度最高的时候，也有可能出现在温度最低的时候。

cell delay与MOS管的饱和电流是负相关关系。

u: 载流子的迁移速率

Cox：单位面积栅氧化层

W/L：氧化层宽长比

Vgs-Vth：过驱动电压

在比较老的长沟道工艺中，温度对于载流子迁移率以及阈值电压Vth的影响:

当温度增加--->晶格散射增大，少数载流子增多--->迁移率u减少

当温度增加--->Vth减小

但迁移率的减小作用相较于Vth的减小作用更大，所以延迟随温度的升高而增大，随温度的降低而减小。

随着工艺尺寸的减小，在短沟道工艺中，供电电压更低，所以Vgs更低。

当温度降低--->迁移率u增大

当温度降低--->Vth增大

但是温度对Vth的影响更大，所以饱和电流减小，std cell delay增大。

 进入先进工艺，与温度相关的栅极过驱动(Vgs-Vth)变得对温度更加敏感。180nm下25度至125度的栅极过驱动电压相差5%，但是在45nm工艺下，相差21%，对驱动电流的变化起了主导作用，因此在电路延迟上表现出温度反转效应。

[1]温度反转效应Temperature Inversion详解温度反转效应Temperature Inversion详解http://www.360doc.com/content/22/1130/22/81189425_1058304980.shtml