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集成电路
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IC设计流程
Idea->行为级描述->rtl描述->门级网标->物理版图转载 2020-03-05 13:31:34 · 170 阅读 · 0 评论 -
GPIO的内部结构和工作模式
参考链接已放至最上方,大家如果有疑惑也可直接观看参考链接。[1]https://www.eefocus.com/component/405097/r0[2]https://blog.csdn.net/techexchangeischeap/article/details/72569999GPIO支持三种最大翻转速度:2MHz、10MHz、50MHz。每个I/O口可以自由编程,但I...原创 2019-05-30 14:21:18 · 3647 阅读 · 0 评论 -
RTL编码阶段的低功耗设计--转载
低功耗是当今大多数芯片的关键要求。芯片的功耗越大,设备就会越热,运行速度越慢。并且在高温下,芯片的可靠性会降低。本文讨论如何在RTL级对功耗进行优化。那么在RTL编码期间可以有哪些方法降低功耗?在芯片逻辑转换期间,CMOS电路中的任何开关活动都会产生瞬时电流,增加功耗。设计中最常见的存储元件是同步触发器,它的输出会在输入数据和时钟改变时改变。 因此,如果输入数据和时钟只有在需要时才存在...转载 2019-09-04 11:35:08 · 2042 阅读 · 0 评论 -
数字设计中的时钟与约束-转载
涉及到时钟的建模/约束,这里就来聊聊数字中的时钟(与建模)吧。主要内容如下所示: ·同步电路与异步电路; ·时钟/时钟树的属性:偏移(skew)与时钟的抖动(jitter)、延时(latency)、转换(transition)时间; ·内部时钟; ·多路复用时钟; ·门控时钟; ·行波时钟; ·双沿时钟; ·Desig...转载 2019-08-27 20:47:47 · 1169 阅读 · 0 评论 -
IC-基础概念记录ground bound
ground bound:地弹。指芯片内部“地”电平相对于电路板“地”电平的变化现象。当器件输出端由一个状态跳变到另一个状态时,地弹现象会导致器件逻辑输入端产生毛刺。对于任何形式封装的芯片,其引脚必会存在电感电容等寄生参数,而地弹现象就是由引脚电容引起的。[1]对于高速高密度电子系统,由于增加的时钟频率和边沿跳变率,以及持续减小的供电电压与电压容限使地弹噪声越来越明显,影响电源和信号的完整...原创 2019-08-26 21:49:13 · 1375 阅读 · 0 评论 -
TSMC HPC工艺介绍
同一种工艺会产生若干不同的版本:例如台积电的28nm,共有四个版本,LP(聚氮氧化硅28LP)、HPM(高K金属闸28HP/28HPL/28HPM)、HPC、HPC+。[1] TSMC利用28HPC优化了移动和消费设备在性能和成本之间的平衡需求。28HPC+进一步提高了性能和降低泄漏。1、28HPC/HPC+工艺相对于28LP/HP/HPL/HPM,能更好的控制全局慢速(slow slo...转载 2019-08-12 23:54:18 · 10373 阅读 · 0 评论 -
IC-信号完整性
信号完整性(Signal Integrity):是指信号在传输线上的传输质量。在到达接收端时,可以达到要求的时序、电压幅度和电流持续时间。信号完整性包括:时序完整性(timing integrity)、波形完整性(waveframe integrity)、电压完整性(power integrity)。信号完整性分析就是指:利用最小的成本和最快的时间达到三个完整性。信号完整性的噪声源主要包括:...原创 2019-06-08 10:20:48 · 1543 阅读 · 0 评论 -
IC后端设计中的功耗分析和低功耗设计
一、功耗分析功耗分析包含静态分析和动态分析。芯片的功耗分析与电源网络的电压降有关。静态功耗又称泄露功耗,是芯片在待机状态时泄露电流产生的功耗。动态功耗是晶体管处于跳变状态所产生的功耗,主要由开关电流引起的动态开关功耗以及短路电流产生的短路功耗组成。静态功耗分析:其中,是反偏二极管泄漏电流,是源漏极对衬底的电流。是栅极感应的泄露电流。例如,对于nMOS而言,当栅极上所加为...原创 2019-03-31 00:14:49 · 5305 阅读 · 0 评论 -
IC小知识
1、ECO:engineering change order,工程修改。在数字集成电路设计中指变更设计后不用重新布局布线,而允许通过手工删减或添加连线来更新版图。可以大致分为logic ECO和physical ECO,前者主要是修改或者改进电路的逻辑功能,后者是修改电路的物理实现以满足各种约束要求。另外还可以分为pre MASK和post MASk阶段的ECO。pre MASk阶段的ECO是在t...原创 2019-03-22 15:38:32 · 8665 阅读 · 0 评论 -
集成电路IC IMD
集成电路包含多层金属,例如1P9M,是指一层poly,九层金属。poly层就是我们通常所说的硅晶圆经过各种掺杂之后生成的不同的晶体管。金属层就是在后端设计中,通过布局布线形成的结构。金属层之间是IMD材料,即inter metal dielectric(金属层介质)。是一种low-k材料(低介电常数材料),产生的电容值低,可以减小分布电容,对于降低互连线延迟时间起到重要作用。但是该材料击穿电压低,...原创 2019-06-08 10:20:58 · 9400 阅读 · 0 评论