【模拟IC】国微微电子模拟IC岗笔试复盘

前言

对2023的国微微电子的笔试题进行复盘，答案仅供参考，题型分别有选择题，填空题，简答题以及分析题。一共一百分。麻烦大家点点关注，祝大家拿下大厂sssp,拿下心仪的工作。

一、选择题填空题简答题

1. 套筒式放大器与折叠共源共栅放大器对比，套筒式放大器的功耗低，噪声更小,输出摆幅更小。
2. MOS器件的三个二级效应是：体效应，沟道调制效应，亚阈值效应。
3. 一个两极点运放，如果次极点位置远大于10倍单位增益带宽，那么该运放的相位裕度：为：84.3。
4. MOS管的阈值电压随温度上升而下降，衬底掺杂浓度越高，MOS管的阈值越高。
5. 差动放大器用恒流源代替是为了：提高共模抑制比。
6. 怎么减小下图中的输出噪声？
   
7. 什么是MOS管的沟道长度调制效应？对其电路有什么影响？
   当CMOS器件工作在饱和区时，漏极电流的大小不仅取决于过驱动电压，还和VDS有关。但是，如果把工作在饱和区的CMOS器件看作一个等效电流源，其电流大小主要受VGS控制，而沟道调制系数的存在该等效电流源的输出电阻由无穷大变为有限值，因此通常认为沟道长度调制效应是CMOS器件的一个缺陷，而且沟道调制系数的