【模拟IC】闩锁效应的概念，产生原因，工作过程及解决方案

最新推荐文章于 2024-01-31 14:38:56 发布
最新推荐文章于 2024-01-31 14:38:56 发布
阅读量1.3w 收藏 182
点赞数 29
分类专栏： 模拟ic基础知识分享 文章标签： 单片机 物联网 嵌入式硬件
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/heqianwan/article/details/127247047
版权

提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档

文章目录

一、闩锁效应的概念及产生原因

闩锁效应指的是在CMOS工艺制作的芯片中，寄生三极管与寄生体电阻形成的电路，在一定条件下，会导致电源与地之间产生大电流，可能会永久损坏芯片。可以由图一看出，在同时具有NMOS和PMOS管时，P区和N区就有条件形成寄生的NPN和PNP三极管，红色区域就是一个闩锁效应的电路。

闩锁效应的触发条件一般是电源或是地线突然来一个大电流脉冲。比如房间里面别的感性上电瞬间（有的电源前面是有变压器的，当你给他上电的时候，可能会对交流电有电压上的脉冲干扰）；静电；电源电压的波动（热拔插）。
在这里插入图片描述
图一 闩锁效应的产生

二、闩锁效应的等效电路和工作过程

我们可以把闩锁效应的电路等效成图二。
在这里插入图片描述
它的工作过程如下：
电路要想导通，必须使得R1的电压PNP的PN结导通。如图三所示，
（1）当电源来了个电流，使得R1的压降为0.7V（假设PN结的导通电压为0.7V&

最低0.47元/天 解锁文章
闩锁效应
weixin_42214609的博客
11-20 7951
闩锁效应（Latch-up）是CMOS集成电路中一个重要的问题，这种问题会导致芯片功能的混乱或者电路直接无法工作甚至烧毁。 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极...
CMOS集成电路的闩锁效应
07-29
在CMOS集成电路的使用中，对CMOS集成电路的闩锁效应应特别加以重视。根据中国空间技术研究院1987～1990年卫星用CMOS集成电路失效模式和失效机理分布统计，因闩锁效应造成的CMOS集成电路失效数占总失效数的27.5％。因此，了解CMOS集成电路的闩锁效应，预防CMOS集成电路闩锁效应的发生，对提高产品的可靠性具有十分重要的意义。
闩锁效应（Latch-up）——好文当转
最新发布
filthyfrank的博客
01-31 6040
在CMOS集成电路中，闩锁效应不容忽视。这篇文章将从0开始给大家介绍闩锁效应（Latch-up），以及有效抑制闩锁效应的方法。
闩锁效应的产生原因及解决办法
seu他山之石的博客
07-03 1万+
闩锁效应 文章目录闩锁效应一、闩锁效应产生原因二、闩锁效应解决办法 一、闩锁效应产生原因 由于寄生产生闩锁效应，形成寄生npn，pnp型双极晶体管，又由于寄生电阻R2，R3的存在，形成正反馈放大回路。将电流不断放大，导致电源和地之间形成极大导通电流，烧坏整个芯片。 二、闩锁效应解决办法 为使闩锁效应不再发生，应当使R2，R3足够的小，通过添加well tap实现，如下图。 ...
集成电路设计——闩锁效应
roc_ever的博客
03-10 5932
【总是单纯将闩锁效应看成是形成pnp二极管正偏带来大的漏电流烧坏衬底，还是想着写详细点，也希望自己记得详细点的】 定义当然还是这样： 闩锁效应是指 CMOS 器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通， 在电源和地之间存在一个低阻通路，大电流，导致电路无法正常工作，甚至烧毁电路。 从源-阱-衬底，总是能够形成pnp（npn）的二极管的结构，并且由于（以n阱中的p掺杂-n阱-p衬底形成的pnp为例）本身的从n阱到p衬底已经形成反偏结构，因此只要n阱中的p掺杂的电压高于n阱的阱电位，就会形成cmos电路的闩锁效应。
CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法
09-01
CMOS技术中的闩锁效应——问题及其解决方法
可靠性设计之闩锁效应
weixin_52567455的博客
03-23 1万+
闩锁效应是cmos工艺所特有的寄生效应。闩锁效应是由nmos有源区、p衬底、n阱、pmos的有源区构成的n-p-n-p结构，寄生成的两个相关的三极管产生的，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁情况下，器件在电源和地之间形成短路，通过三极管放大电流，造成大电流，EOS(电过载)和器件损坏。是半导体失效的主要原因之一。
CMOS电路中闩锁效应产生的原因、过程以及后果
qq_39056840的博客
04-24 9837
闩锁效应基本原理 1.闩锁效应简介：闩锁效应就是指CMOS器件所固有的寄生双极性晶体管（又称寄生可控硅，简称SCR）被触发导通，在电源与地之间形成低阻抗大电流通路，导致器件无法正常工作。甚至烧毁器件的现象。这种寄生双极晶体管存在CMOS器件的各个部分，包括输入端、输出端、内部反相器等。 2.CMOS电路的阱结构最主要i的问题在于闩锁效应，它是由寄生的PNPN双端器件在 一定的条件下形成。闩锁往往发生在芯片的某一局部区域，有两种不同的情况：一种是发生在外围与输入/输出有关的地方； CMOS电路中的寄生双极型晶
什么是闩锁效应？
oyyj42的专栏
04-25 8938
闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。    静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的电压瞬变都会引起闩锁效应（la
闩锁效应的详细讲解，关于闩锁效应很好的一个课件
12-16
关于闩锁效应很好的一个课件，是我在网上下载整理的很好的东西，希望多大家有用，顺便赚点分
闩锁效应与天线效应
10-26
简单介绍了闩锁效应与天线效应的产生原理，并提供了可实施的解决办法。适合刚刚接触芯片版图设计的同学。
电源技术中的Freescale提供0.13微米节点的智能电源模拟技术
11-29
SMARTMOS 10还支持高速、低漏电的数字功能，允许低电流密集熔断的定制和校准，并提供信号隔离和抗闩锁功能，以增强系统的稳定性和可靠性。 在无线设备如手机和消费电子产品中，SMARTMOS 10技术实现了电源、模拟和...
硬件工程师面试试题_IC设计基础.pdf
06-25
- **闩锁效应**: CMOS电路中由于电流路径不当导致的自锁现象，可能导致电路损坏。 - **抗天线效应**: 在集成电路设计中防止静电放电损害的方法。 - **窄沟效应**: MOS晶体管沟道宽度减小时，其性能会发生变化的现象...
(转)硬件工程师面试集锦 模拟电路 数字电路 IC设计基础 单片机 信号与系统 DSP 嵌入式
06-25 4296
模拟电路 1、基尔霍夫定理的内容是什么？（仕兰微电子） 2、平板电容公式(C=εS/4πkd)。（未知） 3、最基本的如三极管曲线特性。（未知） 4、描述反馈电路的概念，列举他们的应用。（仕兰微电子） 5、负反馈种类（电压并联反馈，电流串联反馈，电压串联反馈和电流并联反馈）；负反 馈的优点（降低放大器的增益灵敏度，改变输入电阻和输出电阻，改善放大器的线性
ADP5134：高效电源时序控制策略与分立器件比较
这类设备通常需要多电压轨供电，确保内核、模拟模块、数字I/O等部分按照特定顺序上电，以防止因电源瞬间冲击（如闩锁效应和ESD）导致的硬件损坏。正确的时间安排至关重要，它可以避免设备启动时的浪涌电流，减少对...
Latch up 闩锁效应
热门推荐
Edwinchi的博客
04-01 3万+
Latch up概念 CMOS电路中，存在寄生的三极管PNPN,它们相互影响在VDD与GND间产生一低阻通路，形成大电流，烧坏芯片这就是闩锁效应 随着IC特征尺寸越来越小，集成度越来越高，闩锁效应发生的可能性越来越高； Latch up形成机制 在CMOS工艺中制作的N管和P管间会存在寄生的BJT（PNPN）；如下（以N井CMOS工艺制作的反相器为例），N管和P管间存在一个纵向的PNP，和一个横向的NPN；对于横向的PNP：P管的源漏构成其双发射区，N#作为其基区，Psub作为其集电区，显然这是一个典型的P
评论 8
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值