DRAM芯片的组成结构

DRAM的结构及特点

现代DRAM内存系统主要由内存控制器和内存芯片组成，DRAM芯片是一个由块（Bank），行（Row），列（Column） 组成的三维结构。
Bank： 一个二维的存储矩阵，包含Row和Column，单个Bank有若干行若干列，一行一般存储着连续的几KB的数据。
Rank： 一个Rank由一组Bank组成（一般来说1个Rank包含8个Bank），同一个Rank里面的Bank能同时访问，称为Bank级并行性（Bank Level Parallelism BLP）
Channel： DRAM一般由若干个独立的内存通道（Channel）组成，每个通道包含若干个Rank。
Cell： 行和列对应的存储单元
访问DRAM Bank的地址包括行地址和列地址，由DRAM控制器上的行地址选通脉冲RAS（Row Address Strobe）和列地址选通脉冲CAS（Column Address Strobe）来选择行地址和列地址，处理器的访存请求会被映射到DRAM Bank上，然后在Bank内分别以行访问和列访问选中二维存储矩阵中的一个单元（Cell），然后就可以进行读写数据了。

在现代DRAM结构中，每一个Bank都包含一个行缓冲（Row Buffer），Bank的Row Buffer是整个访存操作过程中的核心部件，只有将数据读入到行缓冲才能进行读写操作。访存时，先通过行地址确定Bank中的一行，然后将选中的行的所有内容缓存到Bank的Row Buffer里，最后通过列译码器译出列地址在Row Buffer中的某一列，读取cell里面存储的内容。Row Buffer对Bank中的数据起到了缓存的作用，如果下一次访存操作的行地址与上一次一样，那么直接通过列地址从Row Buffer中读取数据（局部性原理），这样的操作加快了访存速度，降低了访存延迟。

内存访问时在Bank上的流程

可以分为4个阶段，分别为译码、Bank读写、Bank数据缓存、数据传输。4个阶段所涉及的硬件资源是不同的，分别对应于地址总线和命令总线，内存Bank，行缓冲和数据总线，因此4个阶段可以形成一条流水线。
译码: 命令发出后经命令总线和地址总线传动到译码器中，译码器进行译码操作，获得行地址和列地址，以及即将访问的Bank。
读写Bank: 将数据从Bank读取到Row Buffer里，或者将Row Buffer里的数据写会到Bank里。
Bank数据缓存: 缓存同一Rank内同时工作的Bank行，充分利用Bank级并行性。
数据传输: 将DRAM中的数据通过数据总线传输给LLC。

DRAM的操作

行激活: 读取目标行的数据到Row Buffer中，只有当数据读取到行缓冲中才能被使用，且此时行缓冲必须处于空闲状态。
列访问: 对行缓冲中的目标行的各列数据进行读写操作。
预充电: 将行缓冲的数据写回Bank，并清空行缓冲，使其处于空闲状态，等待新的行读到行缓冲中。