【DRAM存储器十九】DDR3介绍-mode register

最新推荐文章于 2024-05-06 09:00:00 发布
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分类专栏： DRAM存储器 文章标签： DDR 硬件架构 DRAM架构 SDRAM
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本文介绍了DDR3 SDRAM的Mode Register (MR)，包括MR0至MR3的各项功能。内容涵盖DLL使能、输出驱动强度、自刷新模式、温度感应刷新策略以及动态ODT模式等，通过解析镁光DDR3数据手册和JESD79-3E标准，深入理解DDR3内存的工作原理和配置选项。

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[DDR5] 模式寄存器 Mode Register MRR/MRW
串起点滴
06-02 798
模式寄存器用于定义各种操作模式。在初始化过程中，可以通过重新执行MRS命令来更改模式寄存器的内容。
【DRAM存储器十八】DDR3介绍-DDR3相对DDR2的变化、框图和初始化
highman110的博客
01-29 981
概述DDR3与DDR2的主要区别、DDR3的芯片框图、DDR3的初始化
learning ddr mode register MR3
weixin_30555125的博客
03-29 302
转载于:https://www.cnblogs.com/lianghong881018/p/10619190.html
learning ddr mode register MR2
weixin_30735745的博客
03-29 157
转载于:https://www.cnblogs.com/lianghong881018/p/10619187.html
learning ddr mode register MR1
weixin_38166557的博客
03-29 232
转载于:https://www.cnblogs.com/lianghong881018/p/10619181.html
learning ddr mode register MR0
weixin_30872499的博客
03-27 171
转载于:https://www.cnblogs.com/lianghong881018/p/10608704.html
【DRAM存储器十三】DDR介绍-功能框图和模式寄存器解析
highman110的博客
10-10 893
DDR基本功能框图介绍
【DRAM存储器二十三】DDR4介绍-DDR4相对DDR3的变化、框图
highman110的博客
03-14 612
详述DDR4相对DDR3的更新点和DDR4的功能框图简介
【DRAM存储器二十四】DDR4介绍-DDR4 MR0-3详解，MPR有什么用？刷新周期和间隔还可以调？
highman110的博客
03-19 590
详解DDR4的MR0~3
DDR模式寄存器
weixin_44101336的博客
04-29 7485
mode register 模式寄存器(MR0-MR3)用于定义DDR3sdram的各种可编程操作模式。在初始化过程中，模式寄存器通过模式寄存器设置(MRS)命令进行编程，并保留存储的信息(MR0[8]除外，即自清除)，直到重新编程，重置#下降，设备断电。 可以通过重新执行MRS命令来更改模式寄存器的内容。即使用户只想修改模式寄存器变量的一个子集，在发出MRS命令时也必须编程所有变量。如果正确执行，重新编程模式寄存器将不会改变内存数组的内容。 只有当所有bank空闲且处于预充状态（满足tRP且未进行数据爆发
ddr模式寄存器配置
最新发布
硬码农二毛哥的博客
05-06 2578
​ ddr在上电初始化后通过发送MRS命令配置模式寄存器。ddr上电后处于空闲状态时（所有bank完成预充电，所有突发读写完成，CKE为高），可以发送MRS命令，重新设置模式寄存器。该命令不会影响内存中的数据。​ 与MRS命令相关的参数有两个tMRD和tMOD，连续两个MRS命令之间要间隔tMRD，当发送完MRS命令后，要经过tMOD后才能发送其它命令。​ 两个MRS命令之间最小间隔是tMRD。​ 发送MRS命令和其它命令之间最小间隔是tMOD。
DDR3内存的初始化过程
lxm920714的专栏
08-15 1万+
DDR3内存的初始化过程在JEDEC有详细的介绍，我看的是Hynix的文档，内容大同小异。 不过初始化过程要对照着图片来看，细心点就能理解。 初始化过程如下： 1.首先上电（RESET#推荐保持在 0.2XVDD；其他的输入没有定义）。RESET#信号需要用稳定电源保持最少200us。在图中可以看出来，CKE需要在RESET#拉高之前被拉低，且最少维持10ns。 2. 在RESET#被...
SDRAM 介绍
StephenZhou
08-24 9845
1、名词解释 SDRAM ：Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器。同步是指其时钟频率和CPU前端总线的系统时钟相同，也就是双方通信，有同步时钟；内部命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据的读写。 NOTES：这里需要强调一下：为了保证数据一直都在，SDRAM 需要不停的去刷新，刷新，刷新； 2、SDRAM 内部结构 这里以...
FPGA-SDRAM设计学习（三）初始化、模式寄存器、激活和读命令
Vuko_Coding Zone
12-02 1657
不多啰嗦，接着上文继续读文档吧： 初始化 SDRAM上电后必须初始化，初始化的过程： 上电、时钟稳定、DQM高、CKE高 100微秒等待，期间除了INHIBIT或NOP命令，其他命令都不能有。至少1个INHIBIT或NOP PRECHARGE命令 两个自动刷新命令 配置模式寄存器 对照时序图操作： 上面出现了一些定义的时间，我们也可以在文档中看到具体内容： 配置模式寄存器 The mode...
DDR3基础详解
热门推荐
Respate
08-07 4万+
DDR3基础详解 最近在IMX6平台下做DDR3的测试接口开发，以前在学习嵌入式时，用的是官方源码，没有做过多的研究。此时需要仔细研究DDR3的引脚与时序，此篇是我在学习DDR3做的归纳与总结，其中有大部分内容是借鉴他人的 博客，大部分博客的链接我已经贴出来了，如果存在版权或知识错误请直接联系我。 PS:本着知识共享的原则，此篇博客可以随意转载，不过请标明出处(虽然大部分内容不是我写的，但是整理也挺累的 _ ！) 一、专有名词索引表 名称缩写 名称含义 名称描述 RAS 行地址选通脉冲 Ro
DDR中寄存器的问题
02-28 111
图中虚线是自动跳转，实线是通过发送命令才能跳转的。 下面是框中对应的命令。 ACT = ACTIVATE MPR = Multipurpose register MRS = Mode register set PDE = Power-down entry PDX = Power-down exit PREA = PRECHARGE AL...
DDR4 - Initialization, Training and Calibration
花信风的博客
08-06 1万+
引言 Introduction 当一个拥有 DRAM 子系统的设备启动时，有几件事需要在 DRAM 进入工作状态之前完成。下图是来自 JEDEC specification （DDR4 标准，https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd79-4a）的状态机，展示出上电之后 DRAM 经历的几个状态。 图-1 DDR4 初始化状态机 实质上，完整的初始化过程（Initialization）包括以下 4 个单独的步骤： 上电与初始化 ，P..
DDR3详解（以Micron MT41J128M8 1Gb DDR3 SDRAM为例）
嵌入空间
01-16 3万+
首先，我们先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述运用DDR3的简化时序图。    DDR3的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格
DDR3基本概念3 - 复位初始化实战举例Lattice DDR3 IP仿真
tbzj_2000的博客
03-03 2200
1) 通过lattice clarify designer 配置DDR3 IP,最新版本是3.1版本 2) 配置完成后,自动生成了一套包括testbenches在内的仿真环境。 以上1和2的详细过程，将在另一篇文章中说明。 3）启动仿真 且记： Lattice DDR3的仿真环境中各个rtl使用了不同的timescale，所以在仿真时，必须保留每一个rtl中的timescale，...
DDR3 DRAM开发指南：中文版详解与关键信号解读
DDR3 DRAM开发协议中文版是一份专注于DDR3内存技术的详细介绍文档，它基于标准的英文版进行了翻译，对开发人员在设计和实现DDR3（双倍数据速率3代）动态随机存取存储器时提供了关键指导。DDR3作为SDRAM系列中的高端...
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