主流DDR内存芯片与编号识别

发布日期：2004年4月8日  作者： 赵效民

我们关注哪些厂商

 

 

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在本站前不久的内存评测与优化专题中，经常会提到一些内存芯片编号，最近在一些论坛中也发现了类似的话题，因此就有了写一篇这方面文章的想法。在下文中，我们将介绍世界主流内存芯片厂商的芯片识别与编号的定义。所有相关资料截止至2004年4月6日，由于内存产品肯定存在着新旧交替与更新换代，厂商也因此会不定期的更新编码规则以为新的产品服务，所以若发现新产品的编号与我介绍的有所不同，请以当时的新规则为准。

 

 

这里要强调的是，所谓的主流厂商，就是指DRAM销售额世界排名前十位的厂商，有不少模组厂商也会自己生产内存芯片。但请注意，他们并不是真正的生产，而只是封装！像胜创（KingMax）、金士顿（Kingston）、威刚（ADATA、VDATA）、宇瞻（Apacer）、勤茂（TwinMOS）等都出过打着自己品牌的芯片，不过它们自己并不生产内存晶圆，而是从那些大厂购买晶圆再自己或找代工厂封装。这类的芯片并不是主流（除了自己，其他模组厂商不可能用），厂商也没从公布完整详细的编号规则，有时不是厂商某一级别的技术人员都不会说清自己封装芯片的编号规则。因此，本文所介绍的内容不包括它们，请读者见谅。

 

 

那么，现在常见的内存芯片都是哪些厂商生产的呢？我们可以先看看下面这个2003年世界最大十家DRAM厂商排名。

 

 

 

 

从中可以看出，排名前十的厂商是三星（SAMSUNG，韩国）、美光（Micron，美国）、英飞凌（Infineon，德国）、Hynix（韩国）、南亚（Nanya，中国台湾）、尔必达（ELPIDA，日本）、茂矽（Mosel Vitelic，中国台湾），力晶（Powerchip，中国台湾）、华邦（Winbond，中国台湾）、冲电气（Oki，日本）。

 

 

这其中，除了力晶、冲电气以外都是我们所比较熟悉的厂商，但华邦则在经历战略调整，大众商用型DDR内存芯片已经不再开发新的产品，并将于2004年年底退出这一领域。力晶半导体公司则也与之相似，在DDR内存开发上似乎并不上心，公司主页也非常简单。鉴于使用力晶与冲电气的内存产品非常罕见，以及华邦的未来走向，本文将按排名顺序依次介绍前7家公司的产品。由于相关参数的含义，本站的相关文章已经有详细的解释，在此我们就不再进行介绍了。

 

 

 

 

 

 

 

小提示：内存编号都能告诉我们什么？

在本站以往的内存专题中，大家可以了解到，对于内存系统而言，我们应该知道的一些内存基本信息，它们将有助于我们正确的认识内存的物理参数并进行正确的系统设置，而内存芯片上的编号则提供了关键参数的相关信息，主要包括：     1、芯片的容量：也称芯片的密度，当我们见到一个内存模组，在不知道容量的时候，可以通过芯片的容量来计算出模组的容量，计算方式就是用芯片的数量乘以芯片的容量。单位是bit（小b），除以8就可以换算为Byte（大B）的容量。     2、芯片的位宽：可以说是芯片的结构，知道了芯片的位宽后，乘以芯片的数量就可以得出内存模组的总位宽，并以此能判断模组的物理Bank数量。比如8颗8bit的芯片组成的模组，就是单物理Bank模组，如果是16颗8bit芯片，就是双物理Bank。对于目前的内存子系统而言，增加一个物理Bank，就会增加可供管理的页面数量，有利于提高内存管理效率。     3、芯片的逻辑Bank数量：这可以让我们判断页面数量，进而设置相应的交错策略。     4、芯片的工作速度：这可能是最重要的信息，有的厂商还附带规定了相关的CL、tRCD、tRP时序参数，这无疑对我们了解芯片的能力是非常有用的，它可以免除我们查看SPD中的时序信息的麻烦（理论上，SPD中的时序信息要与所使用的内存芯片的参数相一致）。         除此之外还会有封装类型、刷新设置、接口、电压等方面的信息。总之，了解了芯片编号的含义，就基本可以判断其主要的指标了。

 

三星电子（SAMSUNG）

 

 

  三星电子内存芯片的外观

 

 

三星电子内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：

 

 

 

 

三星的产品编号中能体现的信息并不是非常详细，但对于一般的指标识别是完全够用了，其中16、17、18三个编码一般不会在零售市场上出现，据悉它是为OEM市场而准备的编号。另外，在本图中，有关速度的标识并不全面，除了图中的5个选项外，还有以下两种也是比较常见的：

 

 

C4：DDR-400（3-4-4）

 

 

C5：DDR-466（3-4-4）

 

 

比如以上面的芯片图为例，我们可以看出它的容量是256Mbit，位宽为8bit，4个逻辑Bank、接口类型是SSTL-2，工作电压是2.5V，产品版本号为F，采用TSOP-II封装，为大众化普通商用产品，工作速度为DDR-400B级标准（3-3-3）。

美光科技（Micron）

 

 

美光科技内存芯片的外观

 

 

美光内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：

 

 

 

 

美光科技的编号相当详细，这是因为它将所有的DRAM芯片编号进行了统一，包括久远的EDO（在一些专用设备上仍然会使用到它）和未来的DDR-2芯片，所以也显得参数很多，甚至在封装类型中还体现出有铅和无铅（Lead Free）封装，但好在分类还是比较清楚的。值得注意的是芯片的版本，其规则也基本与三星的一样，越靠后越新，但会有一些特殊的规定，如果是LF、S2、SF、T2等标识则代表了该产品集成了两个内核，可以认为是堆叠式（Stack）封装）。而特殊功能则是指产品所具备的一些功能可选项，但自刷新（Self Refresh）自从16Mb的SDRAM以后就是标准的设计，所以这一项是无关紧要的。

 

 

在芯片结构方面，表示容量单位的字母（K、M、G，这三个字母大家应该很熟悉了吧）后面的数字就是芯片的位宽，它乘以前面的字母与数字组合的结果就是芯片的容量，单位是Bit。比如图中的例子是32M8，代表的是位宽为8bit，乘以32M，总容量为256Mbit。

 

 

以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，采用TSOP-II封装，产品版本应该是第一代（没有版本编号）、速度为DDR-400（3-3-3）。

英飞凌（Infineon）

 

 

英飞凌内存芯片的外观

 

 

有人将Infineon称为西门子（Siemens），事实上英飞凌的前身是西门子半导体公司，在SDRAM时代，我们经常
看到Siemens字样的内存，但如今Infineon早已独立，所以今后不再叫它是西门子内存了。

 

 

英飞凌内存芯片编号的说明如下（可点击放大）：

 

 

 

 

在以前，有些人一看开头是HYB就以为是现代（HYUNHAI）的内存芯片，现在可就不要再出这种错误了。在最新的编号中，英飞凌将DDR和DDR-2的产品编号进行了统一，比如DDR-2 400与DDR-400的速度编号是一样的，但在具体的产品上所代表的含义并不一样。英飞凌的编号比较简明（由于DDR内存目前都是4个逻辑Bank，所以英飞凌也就取消了该编号，但估计到了DDR-2时代，由于多了8Bank的选项，估计还会有该编码），在此就不再多说了。

 

 

以上面的芯片图为例，可以看出它的容量是256Mbit，位宽8bit，工作电压2.5V，无变化的标准产品，产品的版本号为B，采用TSOP-II封装，速度为DDR-400B（3-3-3）。

海力士（Hynix）

 

 

海力士内存芯片的外观

 

 

与英飞凌的情况类似，海力士以前是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司，后来从母公司中独立，改名为Hynix，所以严格的说，它的产品不能再称之为“现代内存”了。

 

 

海力士内存编号说明如下（可点击放大）：

 

 

 

 

海力士的编号也属于比较简明的那一种，唯一可能比较陌生的就是封装材料和堆叠封装类型，前者是指封装时用的电镀原料，是普通封装，还是无铅（Lead Free）或无卤（Halogen Free）封装，这方面我们不用怎么关心，当然无铅和无卤都是为了环保而采用的工艺。堆叠封装的产品我们一般也很少看到，它们大都用于工业级产品，在此也就不详细介绍了。

 

 

以上面的芯片图为例，可以看出它的容量为256Mbit，位宽为8Bit，4个逻辑Bank，SSTL-2接口，产品版本为B，TSOP-II封装，工作速度为DDR-400B级（3-3-3）。这里需要指出的是，最近市面上出现了一种速度编号为D5的芯片，这个编号在最新的编码规则中并没有提及，而在早前的规则中，则定义为DDR-533，也有消息说，D5代表的是海力士新推出的DDR-550，而最近的一些高档超频模组就使用的这种芯片。笔者认为，DDR-550的说法比较可信，量产DDR-550芯片也是海力士的官方新闻中所提到的。

南亚科技（Nanya）

 

 

南亚内存芯片的外观

 

 

南亚内存芯片编号说明如下（可点击放大）：

 

 

 

 

南亚的编号也是SDRAM、DDR SDRAM与DDR-2 SDRAM统一在起，而且也比较简明，在芯片结构方面，规则与美光的一样，并且也没有逻辑Bank数量的编码，在此不再详细说明了。不过，南亚代工的内存产品也非常多，如Elixir、PQI等，但这些产品已经非常少见，并且也没有对外公布明确的编码规则，我们就不介绍了。

 

 

以上图的芯片为例，可以看出是它的容量是128Mbit，位宽为8bit，SSTL-2接口，产品版本为第一代A版本，采用TSOP-II封装，速度为266A级（CL=2）。

尔必达（ELPIDA）

 

 

尔必达内存芯片的外观

 

 

尔必达是日立与NEC各自的内存分部合并的结果，也因此在产品的编号会有两种截然不同的规则与标识，早期以HM为开头的很可能就是原日立分部的延续，而目前则基本转移到了DD开头的编号规则。近期，尔必达的声势比较大，产销形势有明显的好转，采用其芯片的金士顿模组已经在国内上市，相信今后我们能见到越来越多采用尔必达芯片的产品。

 

 

尔必达内存芯片编号说明如下（可点击放大）：

 

 

 

 

尔必达的编号也是比较简单的，需要指出的是，在速度编号的后面还有可能出现其他的编码，比如L，就代表低能耗，I则代表工业级产品，具有宽广的工作温度范围（-40至85°C），不过它们很不常见，在此就不多说了。另外，编码中的第一个字母E，一般不会有，在芯片上直接以DD形状，而E则变成了尔必达的英文名称——ELPIDA。

 

 

以上面的芯片图为例，可以看出是256Mbit容量/4个逻辑Bank，8bit位宽，TSOP-II封装，产品版本号为J，速度标准为DDR-266A级（2-3-3）。

茂矽（MOSEL VITELIC）

 

 

茂矽内存芯片的外观

 

 

茂矽内存芯片编号说明如下（可点击放大）：

 

 

 

 

茂矽的编号也比较详细，而且比较明确，只是芯片结构一栏比较难以理解，我们可以这样看：前面的三位数是总容量，后面的两位数则是位宽（80=8bit、40=4bit、16=16bit、32=32bit），其他的就很好理解了。

 

 

以上面芯片图为例，可以看出是256Mbit容量，8bit位宽，4个逻辑Bank，SSTL-2接口，产品版本为A，采用TSOP-II封装，速度为DDR-400B级（3-3-3）。