SPM清洗技术

摘要

单片SPM系统使用了大量的化学物质,同时满足28nm以下的清洁规格。 本文描述了在集成系统Ultra-C Tahoe中使用批量SPM系统和单晶片清洗,结果达到了技术规范,使用了不到单晶片系统中使用的80%的SPM化学物质。

介绍

采用干法和湿法相结合的方法开发了传统的有机光刻胶条工艺。 然而,基于反应性等离子体灰化的干燥处理也存在一些问题,如等离子体损伤、抗爆裂、不完全去除抗蚀剂,以及副产品再沉积,需要后续进行湿剥离/清洗。 为了避免等离子体问题,采用了以硫酸和过氧化氢水溶液(SPM在80℃-150℃)等酸性化学物质为基础的湿汽提工艺。

图1:Ultra C太浩清洗系统的简化装置

图2:使用超音波装置或氮气喷雾装置的单片清洗装置

图3:独立工作台、独立单晶片和Ultra-C Tahoe整体清洗性能对比

评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值