光刻胶剥离工艺

引言

虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的，但是在剥离过程中，材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本文章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的要求、涂层方面的问题，以及最终去除其沉积材料的抗蚀剂掩模。

基本原理

图1显示了过程se-中的基本差异

通过蚀刻构造薄膜时的顺序(左栏-umn)和提升关闭(右栏)。对于蚀刻工艺，光致抗蚀剂处理是在先前施加的涂层上进行的，而在剥离工艺中，涂层被施加到现有的涂层上光刻胶结构。随后的实际剥离去除了抗蚀剂结构和沉积的材料同时通过抗蚀剂掩模的开口直接施加到衬底上的材料根据需要保留在那里。如图所示，用于抗蚀剂处理的光掩模必须倒置或交替使用当在蚀刻和剥离工艺之间改变时，光刻胶的正性和负性处理。

图1:通过蚀刻工艺(左)和剥离工艺(右)构造(例如金属)层的基本工艺顺序。

与蚀刻工艺相比的优点和缺点

只有当阻止了抗蚀剂侧壁的涂覆时，剥离过程才实现可再现的限定结构，这在各向同性溅射工艺中是不可能的。对于诸如金或氮化硅的一些材料，由于施加到其上的抗蚀剂掩模的粘附性差，湿法化学蚀刻是有问题的，因此干法蚀刻或剥离是合理的替代方案。如果所需的化学物质不能用于例如工作，则湿法化学蚀刻工艺不适用安全原因。如果由于涂覆过程及其持续时间而对衬底有很高的加热，剥离过程是关键的，因为这里已经存在的光致抗蚀剂结构受到热影响(软化或强交联)。

用于剥离工艺的光致抗蚀剂

正性光刻胶

如果既不需要在涂覆抗蚀剂结构期间抵抗软化的高热稳定性，也不存在底切抗蚀剂剖面的规格，则在剥离工艺中使用正性抗蚀剂原则上是合理的。为了最大限度地减少不必要的抗蚀剂侧壁涂层，我们建议获得尽可能垂直的抗蚀剂pro文件。对于在较高温度下进行的涂覆过程，使用热稳定对于诸如AZ 701 MiR或AZ ECI 3000系列的正性抗蚀剂，具有相对较高软化温度的ble光致抗蚀剂是有意义的。

负性光刻胶

对于剥离，优化的负性抗蚀剂结合了两个通常重要的性质:取决于抗蚀剂在显影的抗蚀剂pro文件中可以实现或多或少明显的底切，并且交联防止了涂覆期间抗蚀剂结构的热软化。然而，如果温度上升太多的话，抗蚀剂的交联度会增加到随后的剥离变得困难或不可能。针对lift-o ff应用而优化的抗蚀剂系列是AZ nLOF 2000系列的负性抗蚀剂，抗蚀剂厚度大约在。

图像反转抗蚀剂

在负模式中，反转抗蚀剂使抗蚀剂pro文件在一定限度内被底切，而在处理过程中没有任何明显的交联。结果，抗蚀剂结构仍然容易受到在涂覆期间热软化变圆，但是与交联负性抗蚀剂相比，可以更容易地提升。

升空后的“栅栏”

如果在沉积过程中已经涂覆了抗蚀剂侧壁，则剥离发生在或多或少随机的位置，在该位置剥离介质设法穿透涂覆的膜。结果，栅栏状结构在剥离后保留在衬底上。

在这种情况下，以下解决方法可能会有所帮助:

•热蒸发而不是溅射使得沉积更加直接，并且抗蚀剂侧壁保持未被涂覆。

•在需要结合定向蒸发使用正性抗蚀剂的情况下，实现和保持陡峭的抗蚀剂侧壁

•当使用图像反转或负性抗蚀剂时，用于显著底切抗蚀剂pro文件的工艺参数的应用

•如果抗蚀剂特征不是交联的，必须注意在涂覆过程中不发生热软化

我们的开发人员:应用领域和兼容性

无机显影剂(标准条件下的典型需求约为。每升光致抗蚀剂20升显影剂)

AZ显影剂基于磷酸钠和–偏硅酸，针对最小的铝侵蚀进行了优化，通常在去离子水中以1 : 1的比例稀释使用，从而获得高对比度，或者不进行稀释来获得高显影速率。这个开发者的暗蚀相比其他开发者略高。AZ 351B基于缓冲氢氧化钠，通常用水稀释至1 : 4，如果可以接受较低的对比度，则用于厚度高达1 : 3的抗蚀剂。