GaAs 的湿法蚀刻和光刻

最新推荐文章于 2023-07-06 09:32:40 发布

华林科纳123

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文章标签：趋势科技机械

本文链接：https://blog.csdn.net/hlkn123/article/details/124690738

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本文探讨了在湿法蚀刻InGaP/GaAs NPN HBT过程中，光刻胶粘附失效的问题。通过实验设计方法，研究了预处理步骤对粘附力的影响，发现涂覆前进行天然氧化物蚀刻能显著提高粘附性，并且改变了GaAs的蚀刻轮廓，使得蚀刻更加各向同性。此发现提高了器件的生产和电气性能。

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引言

本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性，这种预涂处理还改变了GaAs，使得与未经表面处理的晶片相比，反应限制蚀刻更加各向同性；轮廓都具有正锥度方向，但锥角不相同。改变后的剖面使我们能够使用5200的蒸发金属，不经平面化，生产出具有5×5 m发射极的完全可探测的HBT。

介绍

光致抗蚀剂粘附在湿法蚀刻的结果以及随后的电气和光学器件的产量中起着关键作用。有许多因素会导致光致抗蚀剂粘附到半导体衬底上。然而，公开文献中关于砷化镓的信息非常少，硅常用的方法，如六甲基二硅氮烷(HMDS)预处理可能对GaAs无效。

我们的历史蚀刻工艺进行了两个主要的工艺改变，首先，我们从Clariant AZ4330光刻胶切换到Shipley SPR220-3。我们已经发现，后一种抗蚀剂具有更好的旋转均匀性和分辨率，但是其对GaAs的粘附力略次于AZ4330。其次，我们将湿蚀刻从基于手动浸没的工艺转