碳化硅衬底和MEMS晶圆的研磨抛光技术

引言

在半导体和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度变薄，以及抛光以使表面成为镜面。在半导体器件的制造中，半导体制造工艺包括:（1）从晶体生长开始切割和抛光硅等，并将其加工成晶片形状的工艺（晶片制造工艺）；（2）在晶片上形成IC的工艺（前一工艺）；以及（3）切割、组装、检查和安装芯片的工艺（后一工艺）。在晶片制造过程中，通过双面研磨、单面研磨、蚀刻等对从晶锭切片的晶片进行厚度调节，以消除加工表面的变形，然后将晶片加工成镜面。此外，存在用于使在前一工艺中制造的具有图案的晶片的厚度均匀且薄的后研磨工艺。在背面研磨之后，在切割过程中进行芯片化，并且在后处理中进行安装。研磨工艺和切割工艺是前一工艺和后一工艺之间的中间工艺，是提高附加值的中间工艺，如晶片减薄，应力消除，以MEMS（微机电系统）晶片制造为代表的深挖蚀刻，减薄和重新布线。

本文介绍了硅片的研磨，抛光和清洗技术，这是中间工艺的需要。此外，我们还将介绍LED照明用蓝宝石衬底和功率器件用碳化硅（SiC）衬底的研磨，抛光和清洗技术，这些技术有望成为下一代半导体，并已开始投入实际使用。

前工序和后工序的中间工序：

加速度传感器和压力传感器等MEMS技术图1利用半导体器件制造工艺的器件采用半导体制造技术在晶圆上大量制作。在制造器件之后，进行重新布线或深挖蚀刻以使器件变薄或镜面。与传统的半导体器件制造不同，需要研磨切割以外的工艺，称为中间工艺，如图1。

中间工艺包括用于TSV的新技术，例如