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原创 光刻胶剥离工艺

引言虽然通过蚀刻的结构化是通过(例如抗蚀剂)掩模对衬底的全表面涂层进行部分腐蚀来完成的，但是在剥离过程中，材料仅沉积在不受抗蚀剂掩模保护的位置。本文章描述了获得合适的抗蚀剂掩模的要求、涂层方面的问题，以及最终去除其沉积材料的抗蚀剂掩模。基本原理图1显示了过程se-中的基本差异通过蚀刻构造薄膜时的顺序(左栏-umn)和提升关闭(右栏)。对于蚀刻工艺，光致抗蚀剂处理是在先前施加的涂层上进行的，而在剥离工艺中，涂层被施加到现有的涂层上光刻胶结构。随后的实际剥离去除了抗蚀剂结构和沉积的材料同时通

原创 GaAs 的湿法蚀刻和光刻

引言本次在补救InGaP/GaAs NPN HBT的喷雾湿法化学腐蚀过程中光刻胶粘附失效的几个实验的结果。确定了可能影响粘附力的几个因素，并使用实验设计(DOE)方法来研究所选因素的影响和相互作用。确定最显著的粘附性改进是在光致抗蚀剂涂覆之前立即结合了天然氧化物蚀刻。除了改善粘附性，这种预涂处理还改变了GaAs，使得与未经表面处理的晶片相比，反应限制蚀刻更加各向同性；轮廓都具有正锥度方向，但锥角不相同。改变后的剖面使我们能够使用5200的蒸发金属，不经平面化，生产出具有5×5 m发射极的完全可探测的HB

原创 用于先进封装技术的Si蚀刻

在本文中讲述了HARSE的工艺条件，其产生超过3微米/分钟的蚀刻速率和控制良好的、高度各向异性的蚀刻轮廓，还将成为展示先进封装技术的潜在应用示例。在用作阳极硅衬底的 “光学工作台”示意图中显示，混合技术集成和封装使用第二光刻步骤，可以在硅中蚀刻出相对于激光器的精确深度和位置的沟槽，以便被动对准光纤，此外可以蚀刻晶片通孔，用作正面控制和/或驱动电路的光学或电学互连。图1图1展示了其中的几个概念，其中一张扫描电镜照片显示了同时蚀刻到约250微米深度的硅特征，在图1a中，中心正方形或器件定位器”可

原创 KOH硅湿法蚀刻

引言氢氧化钾(KOH)是一种用于各向异性湿法蚀刻技术的碱金属氢氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蚀刻化学物质之一。各向异性蚀刻优先侵蚀衬底。也就是说，它们在某些方向上的蚀刻速度比在其他方向上的蚀刻速度快，而各向同性蚀刻(如HF)会向所有方向侵蚀。使用KOH工艺是因为其在制造中的可重复性和均匀性，同时保持了较低的生产成本。异丙醇(IPA)经常添加到溶液中，以改变从{110}壁到{100}壁的选择性，并提高表面光滑度。氧化物和氮化物在KOH中都蚀刻缓慢。氧化物可以在KOH蚀刻浴中用作短时间的蚀刻掩模。

原创 PVA刷擦洗对CMP后清洗过程的影响

介绍聚乙烯醇刷洗是化学溶液清洗过程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分为两大类，根据其接触类型(非接触，完全接触)。全接触擦洗被认为是去除晶片表面污染物的最佳有效清洁方法之一。然而，许多研究人员指责全接触擦洗导致了晶片表面的划痕，并建议应避免全接触。非接触式去除力较弱，但不会产生划痕。如果在非接触模式下，去除力可以通过流体动力阻力的最大化来克服与清洗液的附着力，那么非接触模式擦洗将是最佳的清洗方法。为了通过刷子和晶片之间的小间隙使流体动力阻力最大化，压电传感器安装在晶片上以检测由接触产生的信号。为了研究磨料

原创 臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒

摘要本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后，仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制反应，代替脱蜡器的DIO3处理在8000的厚蜡层上显示出低去除率。脱蜡器与DIO3漂洗相结合，以减少蜡去除时间并完全去除蜡残留物。用DIO3漂洗代替去离子漂洗导致表面接触角小于5°，这表明不需要进一步的清洗步骤。通过将SC-1清洗步骤与DIO3漂洗过程相结合，进一步提高了颗粒去除效率。通过在脱蜡过程中引入DIO3清洗，缩短了处

原创 硅和石英玻璃的低温晶片直接键合方法

摘要本文展示了一种通过两步湿化学表面清洗来结合硅和石英玻璃晶片的简易结合工艺。在200℃后退火后，获得没有缺陷或微裂纹的强结合界面。在详细的表面和结合界面表征的基础上，对结合机理进行了探索和讨论。终止于清洁表面上的氨基可能有助于退火过程中结合强度的提高。这种具有成本效益的键合工艺对于硅基和玻璃基异质集成具有巨大的潜力，而不需要真空系统。实验结果和讨论图1(a)。在裂纹打开方法中，剃刀刀片几乎不能插入到结合的晶片之间。由于后退火后的大的结合强度(> 2.0J=m2)，在结合的晶片的边缘上出现

原创 化学机械抛光后刷洗的理论分析

摘要化学机械平面化后的叶片清洗，特别是刷子擦洗，是半导体器件制造的一个关键步骤，尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒，或者是否必须发生刷-粒子接触。考虑了直径为0.1和1.0m的氧化铝颗粒粘附在抛光二氧化硅和铜表面的模型系统。结果表明，流体力学力量可以去除部分粘附颗粒，但必须发生刷状颗粒接触才能去除所有的粘附颗粒。理论粘附/移除模型：在得出任何关于粒子去除的结论之前，有必要了解在水动力流场中作用于粒子的力。图1显示了一个直径为d的可变形颗粒，它粘附在运

原创 TMAH溶液进行化学蚀刻后晶体平面的表征

本文提出了一种将垂直氮化镓鳍式场效应晶体管中的鳍式沟道设计成直而光滑的沟道侧壁的新技术。因此，详细描述了在TMAH溶液中的氮化镓湿法蚀刻；我们发现m-GaN平面比包括a-GaN平面在内的其他取向的晶面具有更低的表面粗糙度。还研究了沟道底部的沟槽和斜面(长方体)，搅动长方体的去除或晶面刻蚀速率的提高。最后，研究了有无紫外光照射下，紫外光对三甲基氯化铵中m和a-GaN晶面刻蚀速率的影响。因此，发现用紫外光将m-GaN平面蚀刻速率从0.69纳米/分钟提高到1.09纳米/分钟；在a-GaN平面蚀刻的情况下，紫外光将

原创 半导体湿法中臭氧溶液去除有机/无机污染

本研究利用臭氧去离子水（DIO3）开发了拥有低成本的新型清洗工艺(氧化亚钴），臭氧浓度为40ppm，用于去除有机蜡膜和颗粒，仅经过商业除蜡处理后，蜡渣仍超过200A。DIO3代替脱蜡剂在8000a左右对蜡有较多的去除率。将脱蜡器与dio3结合，以减少脱蜡时间和SC-1步骤，DIO3冲洗后的蜡厚度小于50A，而去离子水冲洗后的膜厚度大于200A。用DIO3冲洗代替DI冲洗后，接触角较低，表面完全亲水。用DIO3处理过的表面的光学图像显示了更薄的蜡层，这表明不需要进一步的清洗步骤。将SC-1清洗步骤与D

原创 晶圆高效干燥的方法

传统湿法清洗工艺在新一代半导体制作中具有根本的局限性，而湿法清洗后利用超临界二氧化碳的干燥法是克服这一局限性的替代方法，考察了超临界干燥法作为中间置换溶剂对IPA的二氧化碳溶解度。首先为了比较，采用超临界二氧化碳的干燥方法与传统湿法干燥方法，将IPA中的蚀刻试样之一置于自然状态，另一试样在40℃、140bar条件下超临界二氧化碳， 4分钟后用SEM观测，并观察了IPA的stiction程度，其长宽比增长率为2.5，最大长宽比为37.5的示例，长宽比15后均可见下支撑体粘附现象，但是用超临界二氧化碳，可以

原创 今日半导体工艺课堂

原创 半导体制造行业晶圆干燥工艺的应用研究

利用异丙醇(IPA)和氮载气开发创新了一种晶片干燥系统，取代了传统的非环保晶片干燥系统。研究b了IPA浓度是运行该系统的最重要因素，为了防止IPA和热量蒸发造成的经济损失，将干燥器上部封闭，以期开发出IPA和热能不流失的干燥工艺。随着半导体元件的高集成化，线宽变窄，但这种方式由于干燥器上部是开放式的，无法避免在干燥工艺中IPA大量蒸发而造成经济损失，由于IPA泄漏到干燥器上部，气味导致工作环境的恶化，判断为非环保工艺, 此外，由于干燥器上部开放，空气进入干燥器内部自由。这种环境友好的工艺不仅可以降低IP

原创 使用激光可调湿蚀刻曲面实现无间隙微透镜阵列的通用

引言近年来，飞秒激光直写技术已经成为制造任意纳米精度三维微结构的热门工具。飞秒激光诱导双光子聚合(TPP)允许在聚合物中形成微透镜或更复杂的3D微结构。然而，这种逐点过程受到低效率的限制。只有微结构或纳米壳的表层通过直接激光写入进行光聚合，内部通过紫外光固化，制造效率显著提高。我们提出了一种在二氧化硅玻璃上快速制作大面积凹面微透镜结构的新方法，该方法可用作在聚合物上复制多层膜的成型模板。我们的方法不同于经典的fs激光直写过程。它包括毫秒级的原位激光曝光和氢氟酸湿法腐蚀工艺。聚焦的飞秒激光脉冲触发了一

原创 PVA刷擦洗对CMP后清洗过程的影响

介绍聚乙烯醇刷洗是化学溶液清洗过程中常用的方法。聚乙烯醇刷擦洗可分为两大类，根据其接触类型(非接触，完全接触)。全接触擦洗被认为是去除晶片表面污染物的最佳有效清洁方法之一。然而，许多研究人员指责全接触擦洗导致了晶片表面的划痕，并建议应避免全接触。非接触式去除力较弱，但不会产生划痕。如果在非接触模式下，去除力可以通过流体动力阻力的最大化来克服与清洗液的附着力，那么非接触模式擦洗将是最佳的清洗方法。为了通过刷子和晶片之间的小间隙使流体动力阻力最大化，压电传感器安装在晶片上以检测由接触产生的信号。为了研究磨料

原创 臭氧化去离子水去除最终抛光晶片上的颗粒

摘要本研究开发了一种低拥有成本的臭氧去离子水清洗工艺。室温下40 ppm的臭氧浓度用于去除有机蜡膜和颗粒。仅经过商业脱蜡处理后，仍残留有厚度超过200的蜡残留物。由于臭氧的扩散限制反应，代替脱蜡器的DIO3处理在8000的厚蜡层上显示出低去除率。脱蜡器与DIO3漂洗相结合，以减少蜡去除时间并完全去除蜡残留物。用DIO3漂洗代替去离子漂洗导致表面接触角小于5°，这表明不需要进一步的清洗步骤。通过将SC-1清洗步骤与DIO3漂洗过程相结合，进一步提高了颗粒去除效率。通过在脱蜡过程中引入DIO3清洗，缩短了处

原创 多孔GaN的结构和光学特性

摘要本文报道了铂辅助化学化学蚀刻制备的多孔氮化镓的结构和光学性能。扫描电镜图像显示，孔隙的密度随着蚀刻时间的增加而增加，而蚀刻时间对孔隙的大小和形状没有显著影响。原子力显微镜测量结果表明，表面粗糙度随着蚀刻时间的延长而增加；然而，由于蚀刻时间较长，表面粗糙度的增加变得不显著。拉曼光谱结果表明，在一些多孔样品中，没有两种禁止模式，即A1(TO)和E1(TO)。光传输测量表明，孔隙密度的增加会导致光传输的减少。研究表明，氮化镓的结构和光学性能可能受到孔隙率的影响。实验结果和讨论图1显示了不同蚀刻时.

原创 化学机械抛光后刷洗的理论分析

摘要化学机械平面化后的叶片清洗，特别是刷子擦洗，是半导体器件制造的一个关键步骤，尚未得到充分了解。临界粒子雷诺数方法用于评估在刷擦洗过程中去除晶圆表面的粘附颗粒，或者是否必须发生刷-粒子接触。考虑了直径为0.1和1.0m的氧化铝颗粒粘附在抛光二氧化硅和铜表面的模型系统。结果表明，流体力学力量可以去除部分粘附颗粒，但必须发生刷状颗粒接触才能去除所有的粘附颗粒。理论粘附/移除模型：在得出任何关于粒子去除的结论之前，有必要了解在水动力流场中作用于粒子的力。图1显示了一个直径为d的可变形颗粒，它粘附在运

原创 KOH、TMAH 和 EDP 对硅表面的影响

本文研究了氢氧化钾、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氢氧化铵（四甲基铵）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的浓度和温度对硅表面的影响，制作了光滑的垂直墙和悬吊梳式结构。在蚀刻研究中，在1100C下热生长1lm二氧化硅掩蔽层，然后通过常规光刻和氧化物图案蚀刻对氧化物层形成图案,对于垂直的侧壁，掩模图案应平行于方向对齐,在将样品浸入蚀刻溶液中之前，在缓冲的高频溶液中去除天然氧化物，然后在去离子(DI)水中冲洗,为了更好地晶片区域的均匀性，我们将样品水平保存在蚀刻溶液中。将氢氧化钾薄片溶解

原创 通过表面分析评估 Cu-CMP 工艺

引言半导体装置为了达成附加值高的系统LSI，需要高集成化，高速化，这其中新的布线材料，绝缘膜是不可缺少的。其中，具有低电阻的Cu，作为布线材料受到关注。化学机械抛光（CMP）和之后的清洗是Cu布线形成中不可缺少的过程，CMP中使用的浆料、清洗液的性能在很大程度上左右了布线的形成。在本文中对进行了CMP和后清洗的晶圆表面进行分析表面分析的Cu―CMP工程的评价。Cu-CMP工序Cu布线是通过双镶嵌法形成的。双镶嵌法是在一次性制作布线沟和布线孔之后，通过电镀法等嵌入Cu的方法。后清洗液必须除去用

原创 ICP刻蚀氮化镓基LED结构的研究

摘要氮化镓作为一种宽带隙半导体，已被用于制造发光二极管和激光二极管等光电器件。最近已经开发了几种用于氮化镓基材料的不同干蚀刻技术。电感耦合等离子体刻蚀因其优越的等离子体均匀性和强可控性而备受关注。本研究采用电感耦合等离子体刻蚀法对氮化镓基发光二极管结构进行干法刻蚀，刻蚀气体为氯气，添加气体为三氯化硼。研究了刻蚀气体流量、电感耦合等离子体功率、射频功率和室压等关键工艺参数对氮化镓基发光二极管结构刻蚀性能的影响，包括刻蚀速率、选择性、刻蚀表面形貌和侧壁。使用深度轮廓仪测量蚀刻深度，并用于计算蚀刻速率。用扫描

原创 晶片键合过程中保持晶片对准精度的方法

介绍多年来，半导体晶片键合一直是人们感兴趣的课题。使用中间有机或无机粘合材料的晶片键合与传统的晶片键合技术相比具有许多优点，例如相对较低的键合温度、没有电压或电流、与标准互补金属氧化物半导体晶片的兼容性以及实际上能够接合任何种类的晶片材料。粘合晶片键合不需要特殊的晶片表面处理或平面化步骤。晶片表面的结构和颗粒可以被容忍，并通过粘合材料得到一定程度的补偿。也可以用选择性粘合晶片键合来局部键合光刻预定的晶片区域。粘合晶片键合可应用于先进微电子和微机电系统(MEMS)的制造、集成和封装。在这篇文章中，我们

原创 泛半导体湿法工艺资料分享

原创 用NaOH和KOH溶液蚀刻硅晶片的比较研究

我们研究了碱性刻蚀表面形貌对p型单晶硅片少数寿命的影响，在恒温下分别使用30%和23%的氢氧化钠和氢氧化钾溶液，表面状态通过计算算术平均粗糙度(Ra)和U-V-可见光-近红外光学反射率来表征，而电学表征通过准稳态光电导测量来完成，这揭示了所得表面状态和少数载流子寿命之间的相关性。测量的表面粗糙度表明，23%重量的氢氧化钾溶液具有高的少数载流子寿命。为了确定提供最光滑硅表面的氢氧化钾溶液，在第一步中，我们通过在90 ℃的恒温下研究四种不同的浓度来优化氢氧化钾溶液。在第二步中，我们将优化的氢氧化钾溶液的表面

原创 利用蚀刻法消除硅晶片表面金属杂质​

为了将硅晶片中设备激活区的金属杂质分析为ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸对硅晶片进行不同厚度的重复蚀刻，在晶片内表面附近，研究了定量分析特定区域中消除金属杂质的方法。利用蚀刻plate实现硅晶片的蚀刻方法: 硅晶片为消除表面金属杂质的影响，将10%HF溶液5 mL滴入拟蚀刻晶片面，将该溶液均匀地滚动，去除表面的金属杂质，然后定量称重，将HF和HNQ以l:3（v/v）混合的溶液5ml均匀滴在plate上，用真空tweezer抓住表面已洗净的晶片拟蚀刻的另一面，将拟蚀刻的一面放上去与plate

原创 硝酸浓度对多孔氧化锌薄膜刻蚀工艺能的影响

引言本文用湿化学腐蚀法制备多孔氧化锌的研究。通过射频磁控溅射在择优取向的p型硅上沉积ZnO薄膜。在本工作中使用的蚀刻剂是0.1％和1％硝酸（HNO）溶液，ZnO在不同时间被蚀刻，并通过X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）光谱进行表征，以允许对它们的结构和光学性质进行检查。XRD结果表明，当薄膜在不同的氢氮浓度下刻蚀不同的时间时，ZnO的强度降低。上述观察归因于氧化锌的溶解。扫描电镜图像显示，氧化锌薄膜的厚度随着刻蚀时间的延长而减小，这是氢氮溶液各向同性刻蚀的结果。光致发光发射

原创 测量硅蚀刻速率的简单方法

本文提出了一种利用原子力显微镜(AFM)测量硅蚀刻速率的简单方法，应用硅表面的天然氧化物层作为掩膜，通过无损摩擦化学去除部分天然氧化物，暴露底下新鲜硅。因此，可以实现在氢氧化钾溶液中对硅的选择性蚀刻，通过原子精密的AFM可以检测到硅的蚀刻深度，从而获得了氢氧化钾溶液中精确的硅蚀刻速率。首先，在乙醇中通过超声波清洗硅基底，使用原子力显微镜，在潮湿空气（相对湿度≃50%）划伤二氧化硅尖端后，通过摩擦化学去除清洁硅基板表面3×3μm2方形区域内的天然氧化物，如图1所示，磨损面积的深度为∼2nm，超过了天然氧化

原创 使用超临界二氧化碳进行精密表面清洁

引言超临界二氧化碳(CO2)由于其低成本、低毒性、不燃性和环境可接受性，已被确定为各种精密清洁应用中氟氯化碳的有前途的溶剂替代品。本文介绍了最近使用CO2作为清洗溶剂的经验，以将该技术应用于商业实践。超临界流体在精密清洗中的应用源于过去十年该技术的发展。超临界流体的新的溶剂特性，特别是二氧化碳，已经在食品、制药和石油工业中得到商业利用。最近，超临界流体技术已被商业应用于从工业废水中提取有害有机化学品。目前，二氧化碳正被用于多种精密清洁应用，第一批商用系统正在运行中。实验典型的一氧化碳清洗过程

原创 单晶硅各向异性刻蚀技术

引言单晶硅， 作为IC、LSI的电子材料， 用于微小机械部件的材料，也就是说，作为结构材料的新用途已经开发出来了。其理由是， 除了单晶SI或机械性强之外，还在于通过利用仅可用于单晶的晶体取向的各向异性烯酸，精密地加工出微细的立体形状。以各向异性烯酸为契机的半导体加工技术的发展，在晶圆上形成微细的机械结构体，进而机械地驱动该结构体，在20世纪70年代后半期的Stanford大学，IBM公司等的研究中，这些技术的总称被使用为微机械。在本稿中，关于在微机械中占据重要位置的各向异性烯酸技术，在叙述其研究动向和加

原创 湿蚀剂通过光刻胶渗透的研究

引言本文研究了通过光敏抗蚀剂的湿蚀刻剂渗透。后者能够非常快速地响应选择湿蚀刻剂/聚合物的兼容性，以保护下面的膜不被降解。如今，大多数材料图案化是用等离子蚀刻而不是湿法蚀刻来进行的。事实上，与通常的各向同性湿法蚀刻条件相比，由于非常高的各向异性，反应离子蚀刻工艺能够实现更好的蚀刻尺寸控制。尽管如此，当使用敏感材料(即栅极氧化物[1])或当尺寸放宽时，使用光敏抗蚀剂的湿法图案化仍然是参考工艺。本文研究了整个湿法腐蚀过程中抗蚀剂保护的完整性。给出了确保这种保护的一些提示，以及评估这种保护的相关新方法。结果

原创 新型晶圆清洗

本文介绍了新型的全化学晶片清洗技术，研究它们是否可以提供更低的水和化学消耗的能力，能否提供每种技术的工艺应用、清洁机制、工艺效益以及考虑因素、环境、安全、健康(ESH)效益、技术状态和供应商信息的可用信息。将晶片暴露于少量(约1克)无水三氧化硫气体中，然后自动转移到一个单独的室中，在那里用去离子水冲洗并甩干(见图1)，三氧化硫室的条件要求温度通常低于100°C，且环境干燥，光致抗蚀剂在暴露于三氧化硫期间没有被去除，而是被化学改性，一旦磺化，抗蚀剂可溶于水，并在去离子水冲洗过程中被去除，该工具目前是单晶片

原创 半导体晶圆清洗站多化学品供应系统的讨论

引言半导体制造工业中的湿法清洗/蚀刻工艺用于通过使用高纯化学品清洗或蚀刻来去除晶片上的颗粒或缺陷。扩散、光和化学气相沉积(CVD)、剥离、蚀刻、聚合物处理、清洁和旋转擦洗之前有预清洁作为湿法清洁/蚀刻工艺。清洗工艺在半导体晶片工艺的主要技术之前或之后进行。晶片上的颗粒和缺陷是在超大规模集成电路制造过程中产生的。控制硅片上的颗粒和缺陷是提高封装成品率的主要目标。随着更小的电路图案间距和更高的大规模集成电路密度，已经研究了颗粒和微污染对晶片的影响，以提高封装产量。湿法清洗/蚀刻工艺的湿法站配置有晶片装载器/

原创 用于半导体的RCA清洁技术

引言RCA清洗技术是用于清洗硅晶圆等的技术，由于其高可靠性，30多年来一直被用于半导体和平板显示器(FPD)领域的清洗。其基础是以除去颗粒为目的的氨水-过氧化氢溶液组成的SC―1洗涤和以除去金属杂质为目的的盐酸-过氧化氢溶液组成的SC―2洗涤相结合的洗涤技术。SC-1洗涤的机理说明如下。首先，用过氧化氢氧化硅晶片的表面，用作为碱的氨蚀刻氧化硅，并通过剥离去除各种颗粒。另一方面，在SC-2清洗中，许多金属溶解在pH为0-2的酸性溶液中，如SC-2清洗液，并作为离子稳定存在，因此晶片上的金属杂质也被溶解和去

原创 高效N型太阳能电池晶片清洗工艺的比较

引言许多晶圆清洗技术都在竞争高效太阳能电池处理的使用。有些是从集成电路制造中借鉴而来的，在本工作中，对上述技术进行了定性比较，并在清洁效率和作为预扩散清洁的适用性方面对后三种技术进行了实验比较，所述预扩散清洁用于加工效率超过21 %的双面和IBC n型太阳能电池领域的工业应用。一般认为高效太阳能电池器件，如PERC电池、双面n型太阳能电池如ISC的BiSoN概念和交叉背接触(IBC)太阳能电池如ISC的ZEBRA概念需要比标准铝背表面场太阳能电池更先进的晶片清洗。电池效率在20% (BiSoN)..

原创 PVA 刷擦洗

引言本文简要综述了所提出的清洗机制。然后介绍了聚VA刷摩擦分析结果。在摩擦分析中，刷的粘弹性行为、平板的表面润湿性以及刷的变形是重要的。此外，我们还介绍了PVA电刷和接触面之间真实接触面积的可视化结果。在半导体器件制造过程中，这次的专题“清洗与净化”是一个非常重要的事项。基本上半导体工厂都是洁净室，各种工艺都是在极度受控的环境下使用的。用PVA刷摩擦表面的清洗机构并不那么简单。那是因为使含有非常多液体的刷子在表面移动，因此提出了如Fig.1所示的各种清洗模型。用液体和固体去除表面存在的粒子，为正..

原创 微加工过程中的不同蚀刻方法

微加工过程中有很多加工步骤。蚀刻是微制造过程中的一个重要步骤。术语蚀刻指的是在制造时从晶片表面去除层。这是一个非常重要的过程，每个晶片都要经历许多蚀刻过程。用于保护晶片免受蚀刻剂影响的材料被称为掩模材料，其用于许多蚀刻步骤中以抵抗蚀刻。该掩模材料可以是光致抗蚀剂，并且使用光刻法将其图案化。蚀刻也可以称为制作空腔，这些空腔应该根据用途具有特定的深度。产生的这种空腔的深度可以通过蚀刻时间和蚀刻速率来控制。执行蚀刻机制的成功之处在于，多层结构的顶层应该被完全去除，而在下层或掩模层中没有任何种类的损伤。这完全取决于

原创 先进器件的CMP后清洗技术

引言半导体的制造以硅晶圆为起点，经过形成前工序的晶体管的FEOL，插头形成的MOL，以及连接晶体管作为电子电路发挥作用的布线工序的BEOL，形成器件芯片，在后工序中，将芯片进行个片化后进行封装，完成。随着芯片的高性能/低电力化，工艺变得复杂化，仅前工序就已经达到数百工序，其中约1/4～1/5被清洗工序所占据。特别是在FEOL中，1970年开发出了组合高纯度药品使用的RCA清洗，现在也被广泛使用。在本文中，为了在半导体制造中的平坦化工艺，特别是在形成布线层的工程中实现CMP后的高清洁面，关于湿法清洗所要求

原创 下一代半导体清洗技术研究

引言在半导体器件的制造过程中，由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米级的异物（颗粒），1/3的制造过程被称为清洗过程。在半导体器件中，通常进行RCA清洁，其中半导体器件以一批25个环（盒）为单位，依次浸入氨水，过氧化氢溶液，盐酸等加热的化学品中。然而，最近，为了降低环境负荷的目的和半导体器件的多品种化，需要片叶式的清洗方法，喷射纯水的清洗工序正在增加。在单片式清洗中，超声波振动体型清洗装置是一种有效的清洗方法，目前已被许多工艺所使用。通过超声波振动器的清洁是通过从超声波振动器向纯水施加超声波振动来加速水

原创 碳化硅衬底和MEMS晶圆的研磨抛光技术

引言在半导体和LED的制造中，需要研磨以使晶片的厚度变薄，以及抛光以使表面成为镜面。在半导体器件的制造中，半导体制造工艺包括:（1）从晶体生长开始切割和抛光硅等，并将其加工成晶片形状的工艺（晶片制造工艺）；（2）在晶片上形成IC的工艺（前一工艺）；以及（3）切割、组装、检查和安装芯片的工艺（后一工艺）。在晶片制造过程中，通过双面研磨、单面研磨、蚀刻等对从晶锭切片的晶片进行厚度调节，以消除加工表面的变形，然后将晶片加工成镜面。此外，存在用于使在前一工艺中制造的具有图案的晶片的厚度均匀且薄的后研磨工艺。在背

原创 微泡基础知识及其在半导体清洗中的应用

介绍小气泡显示出与普通气泡不同的行为。普通气泡在水中急速浮起，在表面破裂消失。但是，如果成为直径小于50μm的气泡，则会慢慢浮起并缩小，最终在水中消失。在水中变小消失（或者看起来消失）的气泡在这里被称为微气泡。微气泡在水中急剧缩小的原因是，由于它是小气泡，内部的气体有效地溶解在周围的水中。气泡的这种缩小意味着“气液界面”的变化，具有重要的工程学意义，即气泡内部压力的上升和表面电荷的浓缩，以及对发挥作用的固体表面的洗涤效果的表现。臭氧微泡清洗半导体晶片半导体是支撑现代社会最重要的电子零部件。在该制