《炬丰科技-半导体工艺》半导体制造面临的挑战

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体制造面临的挑战

编号：JFKJ-21-178

作者：炬丰科技

摘要

  CMOS器件的小型化在生产和生产中都得到了极大的加速，100 nm以下的门长CMOS大规模集成电路已被应用于许多领域，甚至有报道称五纳米栅长MOS晶体管。然而，在使用这种小几何形状的mosfet实现时，出现了许多严重的问题大规模集成电路。 即使是在“商用45nm技术节点”上，该技术的性能也非常好生产成本的急剧上升成为维持生产的最大问题小型化趋势为10nm。 在本文中，未来半导体制造面临的挑战，分析了纳米器件和超大规模电路。 未来一体化的描述电路制造和半导体制造中心的分布在未来十年。 还将详细阐述可能的缩放限制。  

关键词:CMOS技术，器件小型化，半导体制造。  

介绍  

  现代电子电路已经发展到超大规模具有极高性能的集成电路。 硅微型芯片由一些硅金属氧化物半导体晶体管组成成为我们信息社会不可或缺的关键要素。 例如,互联网, 手机、视频游戏玩家、数码相机和人形机器人永远不会在没有集成电路技术的巨大进步的情况下实现。集成电路及其核心器件技术预计将进一步发展并且在未来的智能社会中越来越重要。 结合人工智能电路和传感器，高智能机器人甚至可能比一些工作，如老人护理和显微外科。 要达到这样的高度智能系统，具有更高性能和更低功耗的新型集成电路消费是不可或缺的。电子电路的发展已经完成了缩小规模自从40年前用晶体管取代真空管以来，元件的尺寸。 电路特性因小型化得到了很大的改善。 我们是现在能够在一块几厘米见方的硅片上集成数百万个晶体管。在越小的设备中，电容值越小。 这导致了更快的操作。

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本文还讲述了缩小规模的趋势及其限制，性能和功耗降低，制造业等