《炬丰科技-半导体工艺》TSV对3DIC集成系统级封装热性能的影响

最新推荐文章于 2024-11-17 13:33:28 发布

hlkn2020

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文章标签： stm32 物联网自动驾驶

本文链接：https://blog.csdn.net/hlkn2020/article/details/120669880

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本文基于传热学理论，探讨了TSV（通过硅通过）在3DIC系统级封装中的热性能影响。研究了不同TSV参数如纵横比、填充材料、间距对热导率和热阻的影响，揭示了TSV如何通过扩散效应提升3DSiP的热性能。结论指出，优化TSV设计能有效改善封装的热性能。

摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：TSV对3DIC集成系统级封装热性能的影响

编号：JFKJ-21-765

作者：炬丰科技

摘要

在传热和CFD（计算流体动态）分析的基础上，本文研究了三维IC集成系统(SiP)与TSV（通过硅通过）插入器/芯片的热性能。用测定各种铜填充、铝填充的聚合物直径、螺距和长径比的等效导热系数，三维ICSiP与各种TSV插入器的连接温度和热阻，三维叠加8个TSV存储芯片的连接温度和热阻，测定TSV芯片厚度对其热点温度的影响。为方便的工程实践提供了有用的设计图表和指南。

介绍

3D集成电路集成有许多关键问题，例如。EDA(电子设计自动化)软件不常见；缺乏测试方法和设备；需要KGD知识；快速芯片与慢速芯片混合；大芯片与小芯片混合；通常需要微型泵；对准的设备精度；工艺过程中的晶片减薄和薄晶片处理；热管理问题；3D检查问题；缺乏3D专业知识、基础设施和标准；3D集成电路集成通常需要TSVsTSV成本高于引线键合；TSV大批量生产工具缺乏昂贵；TSV设计指南并不常见；缺乏TSV设计软件；TSV技术通常需要微型泵；缺乏TSV的测试方法和软件；铜填充有助于散热，但会增加TCE(热膨胀系数)；铜填充需要很长时间(吞吐量低)；TSV晶圆产量(> 99.9%)的苛刻要求；由于三氯乙烯失配引起的TSV晶片翘曲:所有过程中薄TSV晶片的处理；高